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hbm 內(nèi)存 文章 最新資訊

DSP芯片TMS320C6712外部內(nèi)存自引導(dǎo)功能的實現(xiàn)代碼

  • DSP芯片TMS320C6712外部內(nèi)存自引導(dǎo)功能的實現(xiàn)代碼,TMS320C6000系列與TMS320C54系列的引導(dǎo)方式有很大差別。在開發(fā)應(yīng)用TMS320C6000系列DSP時，許多開發(fā)者，尤其是初涉及者對DSP ROM引導(dǎo)的實現(xiàn)有些困難，花費許多時間和精力摸索。筆者結(jié)合開發(fā)實例，介紹了實現(xiàn)外部存儲器
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決勝利器 鉑勝高性能內(nèi)存系列

  • 挑選出適合自己使用的內(nèi)存是電腦順暢運行的關(guān)鍵所在，而在IT行業(yè)領(lǐng)先品牌英睿達旗下的鉑勝系列高性能內(nèi)存則可以滿足普通用戶到極限發(fā)燒友的各層次使用需要。
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LwIP的內(nèi)存管理介紹

  • TCP/IP是一種基于OSI參考模型的分層網(wǎng)絡(luò)體系結(jié)構(gòu)，它由應(yīng)用層、運輸層、網(wǎng)絡(luò)層、數(shù)據(jù)鏈路層、物理層組成。各層之間消息的傳遞通過數(shù)據(jù)報的形式進行。由于各層之間報頭長度不一樣，當數(shù)據(jù)在不同協(xié)議層之間傳遞時，對數(shù)
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便攜設(shè)備DDR2-3內(nèi)存電源解決方案

  • 在筆記本電腦和PDA便攜系統(tǒng)中，為達到JEDEC(電子器件工程設(shè)計聯(lián)合會)的標準規(guī)范(JESD79E)，對DDR2-3內(nèi)存在靜態(tài)穩(wěn)壓和動態(tài)響應(yīng)方面提出了嚴格的要求。DDR2-3基本上需要三條電源軌：一個給內(nèi)核供電的主電源(VDDQ)、一個
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十大新興技術(shù)展望：塑料內(nèi)存可重復(fù)讀寫

  • 經(jīng)濟衰退意味著變革的到來，而要變革，便需加大對新產(chǎn)品研發(fā)的投資力度。眾所周知，市場和繁榮從來不 會以相同的模式回到以前的狀態(tài)。雖然軟件的影響力和重要性可能會在明年有所增強，不過，全球著名電子技術(shù)類期刊
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電腦內(nèi)存的作用

  • 可能大家看了以上關(guān)于內(nèi)存含義的概述還是不怎么了解內(nèi)存是什么，其實內(nèi)存也是存儲器，只是內(nèi)存不同于硬盤等存儲 ...
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嵌入式LwIP協(xié)議棧的內(nèi)存管理

  • 嵌入式LwIP協(xié)議棧的內(nèi)存管理,摘要：在內(nèi)存需求分析的基礎(chǔ)上，闡述了LwIPTCP/IP協(xié)議棧中pbuf結(jié)構(gòu)的基本原理和內(nèi)存管理機制的實現(xiàn)。這對在嵌入式系統(tǒng)中實現(xiàn)TCP／IP協(xié)議棧，進行網(wǎng)絡(luò)連接有重要意義。關(guān)鍵詞：TCP/IP協(xié)議LwIP協(xié)議棧內(nèi)存管理pbuf結(jié)構(gòu)目
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J2me性能優(yōu)化，避免內(nèi)存溢出小結(jié)

  • J2me性能優(yōu)化，避免內(nèi)存溢出小結(jié),最近在做一個手機瀏覽器的客戶端，最初以為一個瀏覽器的客戶端不用考慮太多的內(nèi)存使用，結(jié)果做完才發(fā)現(xiàn)在高端的手機上運行沒有任何問題，在低端的手機上不是響應(yīng)速度過慢，就是內(nèi)存溢出。所以就開始對代碼進行優(yōu)化，
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支持工控計算機設(shè)計的寬溫內(nèi)存iDIMM

  • 2010年由工控內(nèi)存大廠Innodisk推出一系列支持專業(yè)工控計算機設(shè)計的寬溫內(nèi)存iDIMM, iDIMM 比一般標準內(nèi)存能 ...
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閃速內(nèi)存硬件接口和程序設(shè)計中的關(guān)鍵技術(shù)

  • 閃速內(nèi)存硬件接口和程序設(shè)計中的關(guān)鍵技術(shù),摘 要： 介紹了閃速內(nèi)存的使用方法，并給出了單片機與閃速內(nèi)存接口和程序設(shè)計中應(yīng)注意的關(guān)鍵技術(shù)。關(guān)鍵詞： 單片機 閃速內(nèi)存 公共閃存接口CFI閃速內(nèi)存(Flash Memory)以其集成度高、制造成本低、使用方便等諸多優(yōu)點廣
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基于嵌入式系統(tǒng)設(shè)計中查找內(nèi)存丟失的策略方案

  • 基于嵌入式系統(tǒng)設(shè)計中查找內(nèi)存丟失的策略方案,在嵌入式系統(tǒng)設(shè)計過程中，要利用數(shù)組保存內(nèi)存分配的每一個塊記錄，在內(nèi)存塊釋放的同時，也將該記錄從數(shù)組中刪除。在主循環(huán)的每次迭代之后，分配的內(nèi)存塊的總數(shù)目將打印出來。理想情況下，要按類型對這些內(nèi)存塊排序，
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Buddy算法的μC/OSII高可靠內(nèi)存管理方案

  • Buddy算法的μC/OSII高可靠內(nèi)存管理方案,1 內(nèi)存管理概述內(nèi)存管理是操作系統(tǒng)的中心任務(wù)之一，其主要任務(wù)是組織內(nèi)存以容納內(nèi)核和待執(zhí)行程序，跟蹤當前內(nèi)存的使用情況，在需要時為進程分配內(nèi)存，使用完畢后釋放并回收內(nèi)存。目前嵌入式系統(tǒng)中常用的內(nèi)存管理策略
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爾必達破產(chǎn)牽動全球內(nèi)存版圖 內(nèi)存條報價上漲

  • 　　2月27日向法院申請破產(chǎn)保護的日本爾必達(Elpida Memory，6665.TO)昨日在東京股市交易中大跌97%。這家全球第三大動態(tài)半導(dǎo)體內(nèi)存(DRAM)企業(yè)申請破產(chǎn)保護時，負債4480億日元(約合55億美元)，創(chuàng)日本制造企業(yè)破產(chǎn)規(guī)模之最。 　　這一破產(chǎn)消息在全球內(nèi)存行業(yè)旋即激起“駭浪”。據(jù)臺灣集邦全球電子交易市集(DRAMexchange)的數(shù)據(jù)顯示，DRAM芯片現(xiàn)貨價格2月28日大幅走高，主流DDR3(雙數(shù)據(jù)速率3)價格最高上漲13%。 　　爾必達主要生產(chǎn)DRAM，
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三星發(fā)布新一代智能手機內(nèi)存 速度提升1倍

  • 　　三星電子日前針對智能手機發(fā)布了新開發(fā)的低能耗DDR3 RAM，運行速度為當前產(chǎn)品的2倍。三星是在今天的“國際固態(tài)電路大會”(International Solid-State Circuits Conference)上展示了自己4Gb LPDDR3模塊的。 　　據(jù)悉，該產(chǎn)品使用的是32納米技術(shù)，相對前任產(chǎn)品節(jié)能20%，頻率可以達到1600Mbps，另外產(chǎn)品還可以堆疊成8Gb或16Gb，單條標準內(nèi)存就可以實現(xiàn)32GB的容量。無論是能耗還是性能方面，4Gb LPDDR3都優(yōu)于目前
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ReRAM將能代替內(nèi)存和硬盤

  • 　　固態(tài)硬盤供應(yīng)商SanDisk正在研發(fā)一種新型的系統(tǒng)存儲器，未來也許能一舉替代內(nèi)存和硬盤。 ReRAM代表電阻式RAM，將DRAM的讀寫速度與SSD的非易失性結(jié)合于一身。換句話說，關(guān)閉電源后存儲器仍能記住數(shù)據(jù)。如果ReRAM有足夠大的空間，一臺配備ReRAM的PC將不需要載入時間。ReRAM基于憶阻器原理，致力于商業(yè)化ReRAM的企業(yè)包括惠普、Elpida、索尼、松下、美光、海力士等等。 　　基礎(chǔ)電子學(xué)教科書列出三個基本的被動電路元件：電阻器、電容器和電感器;電路的四大基本變量則是電流、電壓、電荷和磁
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