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中國(guó)封裝材料投資持續(xù)增長(zhǎng)

　　SEMI和國(guó)際Techsearch公司共同合作，對(duì)全球半導(dǎo)體封裝材料市場(chǎng)進(jìn)行調(diào)研，2007年全球半導(dǎo)體封裝材料市場(chǎng)達(dá)到152.17億美元。從過(guò)去5年封裝材料市場(chǎng)數(shù)據(jù)看，中國(guó)仍是全球封裝材料生產(chǎn)重鎮(zhèn)，而且是投資持續(xù)增長(zhǎng)的地區(qū)之一。　　材料種類越來(lái)越多　　過(guò)去幾年，全球半導(dǎo)體封裝主要采用以下型式：CSP(芯片級(jí)封裝)、flipchip(倒焊封裝)、stackeddiepackaging(芯片堆疊封裝)及waferlevelpackag-ing(硅片級(jí)封裝)。　　全球手機(jī)及其他移動(dòng)電子產(chǎn)品的廣泛
關(guān)鍵字：封裝材料

北京電子信息材料領(lǐng)域技術(shù)的現(xiàn)狀及優(yōu)勢(shì)

　　一、北京電子信息材料領(lǐng)域技術(shù)的現(xiàn)狀及優(yōu)勢(shì) 　　北京信息產(chǎn)業(yè)已經(jīng)成為首都經(jīng)濟(jì)發(fā)展的重要支柱產(chǎn)業(yè)，2006年，北京信息產(chǎn)業(yè)的工業(yè)增值超過(guò)1300億，占全市GDP的16.6%，信息產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展強(qiáng)勁拉動(dòng)了我市電子信息材料產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。目前，北京電子信息材料領(lǐng)域已經(jīng)初具規(guī)模，整體技術(shù)水平居于國(guó)內(nèi)領(lǐng)先地位。優(yōu)勢(shì)產(chǎn)業(yè)主要集中在集成電路配套材料、光電顯示材料和磁性材料三大領(lǐng)域。　　首先我們來(lái)看集成電路配套材料領(lǐng)域。北京聚集了中科院半導(dǎo)體所、中科院物理所、有色金屬研究總院等多家國(guó)家半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的頂尖級(jí)科研機(jī)構(gòu)，
關(guān)鍵字：消費(fèi)電子電子信息材料半導(dǎo)體元器件用材料

07年半導(dǎo)體設(shè)備采購(gòu)保守銷售額小增3%

　　國(guó)際半導(dǎo)體設(shè)備材料產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(SEMI)于近日在日本舉行的SEMICON Japan展會(huì)上，公布了年終資本設(shè)備銷售預(yù)測(cè)報(bào)告(SEMI Capital Equipment Consensus Forecast)，預(yù)計(jì)2007年半導(dǎo)體設(shè)備銷售額將達(dá)到416.8億美元，比2006年增長(zhǎng)3%。　　SEMI指出，在2006年半導(dǎo)體設(shè)備支出大幅增長(zhǎng)23%之后，今年的設(shè)備采購(gòu)相對(duì)保守，第三季的全球半導(dǎo)體設(shè)備出貨額為111.3億美元，比第二季微增1%，呈現(xiàn)平穩(wěn)增長(zhǎng)。SEMI進(jìn)一步預(yù)測(cè)，2008年的整體半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)
關(guān)鍵字：模擬技術(shù) 電源技術(shù) 半導(dǎo)體設(shè)備材料

需求減少材料價(jià)格上漲連接器面臨下滑

　　iSuppli預(yù)測(cè)，今年全球連接器市場(chǎng)營(yíng)收與2006年的420億美元相比，將上升8.1%，達(dá)到464億美元。與之相對(duì)的是2006年連接器營(yíng)收上升了9.2%。　　2006年上半年連接器需求勢(shì)態(tài)令人出乎意料，十分強(qiáng)勁，接著在2007年上半年有所下滑。連接器業(yè)務(wù)減速的一個(gè)重要原因是美國(guó)經(jīng)濟(jì)發(fā)展速度開(kāi)始減緩。如果美國(guó)經(jīng)濟(jì)下滑到不景氣的程度，則有可能威脅全球連接器產(chǎn)業(yè)增長(zhǎng)。　　不過(guò)由于制造商將業(yè)務(wù)運(yùn)作轉(zhuǎn)移到亞洲，該地區(qū)的連接器產(chǎn)業(yè)有望在2007年保持全球領(lǐng)先的水平，而不受美國(guó)經(jīng)濟(jì)的影響。推動(dòng)連接器銷量增
關(guān)鍵字：連接器消費(fèi)電子材料制造商元件制造銅價(jià) 連接器

“明日芯片”的新材料、新封裝

　　過(guò)去十年，「摩爾定律」即將告終的警訊不斷被提及。但是麻省理工學(xué)院(MIT)的新興技術(shù)大會(huì)(Emerging Technologies Conference)的研究人員最近表示，摩爾定律的告終或許會(huì)比預(yù)期更快，因?yàn)镃MOS的升級(jí)已經(jīng)越來(lái)越不容易與摩爾定律平衡了。摩爾定律或許在最近十年就會(huì)不敷使用，而這會(huì)引導(dǎo)他們?nèi)ラ_(kāi)發(fā)新材料與封裝方式。　　“即使我們可以繼續(xù)維持摩爾定律，但如果我們不關(guān)心，效能可能會(huì)開(kāi)始降低。”IBM研究部門資深經(jīng)理David Seeger于會(huì)議中以“明日芯片”為題的演講中如此告訴與會(huì)
關(guān)鍵字：嵌入式系統(tǒng) 單片機(jī) 摩爾定律材料封裝封裝

MLCC貼片電容在設(shè)計(jì)制造中的材料選用

　　瓷粉：它是產(chǎn)品質(zhì)量水平高低的決定性因素，采用技術(shù)不成熟的瓷粉材料會(huì)存在重大的質(zhì)量事故隱患。　　進(jìn)口：北美中溫?zé)Y(jié)瓷粉、日本高溫?zé)Y(jié)瓷粉均較成熟。　　國(guó)產(chǎn)材料：I類低K值瓷粉較成熟。　　（三巨電子科技公司均采用美國(guó)進(jìn)口瓷粉設(shè)計(jì)制造COG、X7R類中高壓MLCC產(chǎn)品，低壓產(chǎn)品選用日本進(jìn)口瓷粉設(shè)計(jì)制造。）　　內(nèi)漿：它是產(chǎn)品質(zhì)量水平關(guān)鍵因素，基本要求是與瓷粉材料的匹配性好，如采用與瓷粉材料匹配性不良的內(nèi)漿制作MLCC，其可靠性會(huì)大大下降。　　端漿：它是產(chǎn)品性能高低的重要因素，如端漿選用不當(dāng)
關(guān)鍵字： MLCC 貼片電容材料設(shè)計(jì) 電容器

中國(guó)電子元件向關(guān)鍵材料與技術(shù)進(jìn)軍

在過(guò)去的20年間，中國(guó)電子元件行業(yè)走過(guò)了飛速發(fā)展的歷程，在總體規(guī)模不斷突破的同時(shí)，企業(yè)效益和行業(yè)集約度也在不斷提高。不過(guò)，在電子元件升級(jí)換代的歷史機(jī)遇下，如何從電子元件大國(guó)走向電子元件強(qiáng)國(guó)也成為擺在整個(gè)中國(guó)電子元件行業(yè)面前的一道難題。與會(huì)專家建議，企業(yè)應(yīng)該以發(fā)展新型高端元件為方牽引，以關(guān)鍵材料和關(guān)鍵技術(shù)為突破口，全面提升中國(guó)電子元件產(chǎn)業(yè)的產(chǎn)品結(jié)構(gòu)和技術(shù)水平。 20年發(fā)展破千億，向效益型企業(yè)轉(zhuǎn)變中國(guó)電子元件行業(yè)協(xié)會(huì)信息中心提供的數(shù)字顯示，電子元件百?gòu)?qiáng)企業(yè)總體銷售收入在2006年首次突破千億元大
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萊爾德科技推出T-GARD 20導(dǎo)熱絕緣材料

　　萊爾德科技推出經(jīng)濟(jì)型高性能導(dǎo)熱絕緣材料T-GARD 20。這一產(chǎn)品是針對(duì)電腦的供電電源而設(shè)計(jì)的。　　T-gard 20的介質(zhì)擊穿電壓（DBV）為9000 Vac，具有很高的電氣可靠性。客戶不必?fù)?dān)心他們的應(yīng)用系統(tǒng)的電介質(zhì)絕緣問(wèn)題。T-gard 20的介質(zhì)擊穿電壓是競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的兩倍。　　“這項(xiàng)產(chǎn)品使用厚度為0.05 mm電氣級(jí)聚脂，介電強(qiáng)度是始終一致的。”萊爾德科技導(dǎo)熱絕緣材料全球產(chǎn)品經(jīng)理Robert Kranz說(shuō)道。“相變涂敷層的表面濕潤(rùn)性很
關(guān)鍵字： 20 T-GARD 材料導(dǎo)熱電源技術(shù) 絕緣萊爾德模擬技術(shù)

全球IC構(gòu)裝材料產(chǎn)業(yè)回顧與展望

　　一、全球IC構(gòu)裝產(chǎn)業(yè)概況　　　　由全球的IC封測(cè)產(chǎn)能利用率來(lái)看，2005年上半的產(chǎn)能利用率是從2004年第三季的巔峰開(kāi)始逐漸下滑，但到2005年第二季時(shí)已跌落谷底，并開(kāi)始逐季向上攀升，在2005年底時(shí)全球的封測(cè)產(chǎn)能利用率已達(dá)八成左右，整體表現(xiàn)可說(shuō)是一季比一季好。2005年全球IC構(gòu)裝市場(chǎng)在2004年的增長(zhǎng)力道延續(xù)之下，全球2005年的IC構(gòu)裝產(chǎn)值達(dá)到303億美元，較2004年增長(zhǎng)10.9%，預(yù)期在半導(dǎo)體景氣逐步加溫下，2006年可達(dá)336億美元。
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06年半導(dǎo)體材料市場(chǎng)穩(wěn)中有升增長(zhǎng)7.2%

國(guó)際半導(dǎo)體設(shè)備暨材料協(xié)會(huì)(SEMI)分析師Dan Tracy日前預(yù)計(jì)，2006年總體材料市場(chǎng)增長(zhǎng)7.2%，將從2005年的179.53億美元增長(zhǎng)至192.4億美元。Tracy曾預(yù)計(jì)該領(lǐng)域在2005年會(huì)獲得6%的年度增長(zhǎng)，而后由臺(tái)灣工研院經(jīng)資中心(IEK)公布的實(shí)際增長(zhǎng)率為5.8%。分析師指出，在300毫米晶圓技術(shù)驅(qū)動(dòng)下，預(yù)計(jì)全球硅晶圓材料市場(chǎng)在未來(lái)幾年將出現(xiàn)強(qiáng)勁增長(zhǎng)。2006年硅晶圓市場(chǎng)預(yù)計(jì)增長(zhǎng)7.4%，從2
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體材料市場(chǎng)

06年半導(dǎo)體材料市場(chǎng)穩(wěn)中有升硅晶圓增長(zhǎng)

　　國(guó)際半導(dǎo)體設(shè)備暨材料協(xié)會(huì)(SEMI)分析師Dan Tracy日前預(yù)計(jì)，2006年總體材料市場(chǎng)增長(zhǎng)7.2%，將從2005年的179.53億美元增長(zhǎng)至192.4億美元。Tracy曾預(yù)計(jì)該領(lǐng)域在2005年會(huì)獲得6%的年度增長(zhǎng)，而后由臺(tái)灣工研院經(jīng)資中心(IEK)公布的實(shí)際增長(zhǎng)率為5.8%。　　分析師指出，在300毫米晶圓技術(shù)驅(qū)動(dòng)下，預(yù)計(jì)全球硅晶圓材料市場(chǎng)在未來(lái)幾年將出現(xiàn)強(qiáng)勁增長(zhǎng)。2006年硅晶圓市場(chǎng)預(yù)計(jì)增長(zhǎng)7.4%，從2005年的82.02億美元增長(zhǎng)到2006年的89.88億美元。　　Tracy
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體材料硅晶圓市場(chǎng) 其他IC 制程