lpddr5 文章 最新資訊
長江存儲首個LPDDR5工程品送樣 NAND撐起國產(chǎn)
- 存儲器缺貨嚴峻持續(xù)擴大，供應鏈傳出，隨著國際存儲器原廠快速傾斜至服務器市場，導致消費性、汽車市場等將首當其沖，國內(nèi)NAND Flash領(lǐng)導大廠長江存儲傳將被賦予關(guān)鍵的維穩(wěn)大任，優(yōu)先支持中國特定產(chǎn)業(yè)與應用，確保內(nèi)需供應鏈穩(wěn)定，以避免發(fā)生斷供、企業(yè)裁員的惡性沖擊。供應鏈人士也透露，長江存儲已不滿足于僅作為3D NAND的中國領(lǐng)頭羊，近來低調(diào)切入DRAM與高帶寬記憶體（HBM）技術(shù)領(lǐng)域，日前更已完成LPDDR5工程樣品開發(fā)，預計2026年下半啟動的武漢三期新廠，近期已經(jīng)封頂，并將以DRAM為擴產(chǎn)重心。 隨著在產(chǎn)
- 關(guān)鍵字： 長江存儲 LPDDR5 NAND
不負期待：與美光相約2023進博會
- 不負期待?與美光相約2023進博會2023年11月5日，第六屆中國國際進口博覽會正式開幕，吸引了來自世界各地的企業(yè)參展。其中，美光首次亮相進博會，為業(yè)界帶來了一系列創(chuàng)新的內(nèi)存和存儲產(chǎn)品及解決方案，并展示了其為賦能數(shù)據(jù)經(jīng)濟發(fā)展，推動人工智能和5G應用進步所付出的不懈努力。深入存儲四大應用領(lǐng)域美光的展位以“深耕存儲領(lǐng)域，賦能數(shù)字中國”為主題，向觀眾展示了一系列高性能內(nèi)存和存儲產(chǎn)品。展臺劃分為數(shù)據(jù)中心、汽車與智能邊緣領(lǐng)域、移動設(shè)備以及PC客戶端四大應用領(lǐng)域，最新的產(chǎn)品和解決方案令人印象深刻。這些創(chuàng)新的
- 關(guān)鍵字： 美光 進博會 LPDDR5 內(nèi)存 存儲技術(shù)
美光LPDDR5 內(nèi)存獲得 ISO 26262 安全標準 ASIL-D 等級認證
- 隨著自動駕駛汽車愈發(fā)迅猛的發(fā)展驅(qū)勢，人們對汽車的功能安全也更加關(guān)注。由于許多新興高級駕駛輔助系統(tǒng)（ADAS）平臺的組件與系統(tǒng)非常復雜，與數(shù)據(jù)中心相比有過之而無不及，因此確保汽車的硬件系統(tǒng)符合各項安全風險防控標準至關(guān)重要。事實上，當前許多 L2 和L3 級別的自動駕駛汽車都使用了數(shù)據(jù)中心組件與系統(tǒng)級芯片 （SoC），如專用視覺處理器、GPU與高性能內(nèi)存等。 ISO 26262 標準半導體分類 ISO 26262標準旨在規(guī)范自動駕駛汽車的功能安全。該標準剛出臺時，并未過多涉及半導體領(lǐng)域，但之后經(jīng)過再三考慮，
- 關(guān)鍵字： 美光 LPDDR5 ASIL-D
LPDDR5X標準與LPDRR5對比：帶寬增至8533Mbps
- 2021年7月28日，JEDEC 固態(tài)技術(shù)協(xié)會于發(fā)布了關(guān)于 LPDDR5 內(nèi)存芯片的最新標準，標準號 JESD209-5B。新版標準針對目前已經(jīng)應用的 LPDDR5 內(nèi)存提供了新的規(guī)格，提高了性能，降低了功耗以及增強了兼容性。此外，還包含下一代 LPDDR5X 內(nèi)存標準。新標準表示，LPDDR5/LPDDR5X 旨在提高內(nèi)存速率和效率，適用于 5G 智能手機等產(chǎn)品。具體來看：（1）LPDDR5X 將實現(xiàn)最高 8533 Mbps 的速率；（2）信號 TX/RX 發(fā)射或接收需要有更高的完整性；（3）新增 Ad
- 關(guān)鍵字： LPDDR5 LPDDR5X 內(nèi)存
三星LPDDR5X內(nèi)存來了：比LPDDR5快約1.2倍
- 2022年3月3日 三星半導體官方微博宣布，三星首款基于14nm的LPDDR5X內(nèi)存已在高通驍龍移動平臺上驗證使用。三星表示，三星與高通公司密切合作，7.5Gbps的LPDDR5X用于驍龍移動平臺。LPDDR5X的速度比目前高端智能手機上的LPDDR5 (6.4Gbps)快約1.2倍，有望在下一代智能手機上提升超高分辨率視頻錄制性能和語音識別、圖像識別、自然語言處理等人工智能功能。此外，三星LPDDR5X內(nèi)存采用先進的電路設(shè)計和動態(tài)電壓頻率縮放，功耗可降低約20%。三星半導體執(zhí)行副總裁兼內(nèi)存全球銷售和營銷
- 關(guān)鍵字： LPDDR5X LPDDR5 三星
強強聯(lián)合，三星推出全新智能手機內(nèi)存組合
- 本月開始，三星首款LPDDR5 (Low-Power Double Data Rate, 低功耗雙倍數(shù)據(jù)速率內(nèi)存) uMCP(UFS-based Multichip Package, UFS多芯片封裝)將量產(chǎn)并用于中高端智能手機。三星半導體的全新智能手機內(nèi)存組合 LPDDR5 uMCP 三星半導體的全新智能手機內(nèi)存組合 LPDDR5 uMCP通過結(jié)合LPDDR5內(nèi)存和UFS 3.1 NAND(UFS: Universal Flash Storage,通用閃存存儲；NAND:閃存 )存儲
- 關(guān)鍵字： 三星 LPDDR5
LPDDR5究竟有多強：幫助消除5G數(shù)據(jù)瓶頸和實現(xiàn)智能駕駛
- 2020年2月，內(nèi)存大廠美光率先宣布量產(chǎn)LPDDR5 DRAM芯片，并同時宣布首發(fā)于小米10智能手機。據(jù)小米官方數(shù)據(jù)，由于采用LPDDR5高性能內(nèi)存，小米10手機在5G云游戲、AI運算等場景方面可以有效降低云游戲延遲、確保AI運算數(shù)據(jù)實時同步。在游戲（王者榮耀）場景中，采用LPDDR5可以省電約20%，在微信語音和視頻場景應用中，可省電約10%。美光宣稱，其LPDDR5內(nèi)存能使5G智能手機以高達6.4Gbps的傳輸速度處理數(shù)據(jù)，對消除5G數(shù)據(jù)瓶頸將起到關(guān)鍵作用。同時，也可以滿足自動駕駛汽車中對大帶寬內(nèi)存及
- 關(guān)鍵字： LPDDR5 5G 智能駕駛
關(guān)于我們 -
廣告服務 -
企業(yè)會員服務 -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473