- 伴隨存儲芯片價格筑底，關于半導體周期拐點將臨近的討論越來越熱。
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存儲芯片 DRAM
- 今日，三星電子宣布其采用12納米級工藝技術的16Gb DDR5 DRAM已開始量產。三星本次應用的前沿制造工藝，再次奠定了其在尖端DRAM技術方面的優勢。"采用差異化的工藝技術，三星業內先進的12 納米級DDR5
DRAM具備出色的性能和能效，"三星電子內存產品與技術執行副總裁Jooyoung
Lee表示，"最新推出的DRAM反映了我們持續開拓DRAM市場的決心。這不僅意味著我們為滿足計算市場對大規模數據處理的需求，提供高性能和高容量的產品，而且還將通過商業化的下一代
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三星電子 12納米 DDR5 DRAM
- IT之家 5 月 18 日消息，三星在去年 12 月宣布開發 16Gb 的 DDR5 DRAM 之后，于今天宣布已大規模量產 12 納米工藝的 DDR5 DRAM。存儲芯片行業當前正處于低谷期，三星通過量產 12nm 的 DRAM，希望進一步鞏固其在該領域的領先地位。IT之家從三星新聞稿中獲悉，與上一代相比，新芯片的功耗降低了 23%，而晶圓生產率提高了 20%，這意味著芯片尺寸比上一代更小，單個晶圓可以多生產 20% 的芯片。三星表示 16Gb DDR5 DRAM 降低的功耗將使服務器和數據中
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三星 DDR5 DRAM
- 三星電子今日宣布，研發出其首款支持Compute Express Link?（CXL?）2.0的128GB DRAM。同時，三星與英特爾密切合作，在英特爾?至強?平臺上取得了具有里程碑意義的進展。繼2022年五月，三星電子研發出其首款基于CXL 1.1的CXL DRAM（內存擴展器）后，又繼續推出支持CXL 2.0的128GB
CXL DRAM，預計將加速下一代存儲解決方案的商用化。該解決方案支持PCIe 5.0（x8通道），提供高達每秒35GB的帶寬。可擴展內存（Memory Expander）“作
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三星電子 CXL 2.0 CXL DRAM
- 集邦咨詢預估第二季度 DDR5 Server DRAM（服務器內存）價格跌幅將收斂，由原預估 15%-20% 收斂至 13%-18%。
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DDR5 DRAM
- 2023年4月20日， SK海力士宣布，再次超越了現有最高性能DRAM（內存）——HBM3*的技術界限，全球首次實現垂直堆疊12個單品DRAM芯片，成功開發出最高容量24GB（Gigabyte，千兆字節）**的HBM3 DRAM新產品，并正在接受客戶公司的性能驗證。SK海力士強調“公司繼去年6月全球首次量產HBM3 DRAM后，又成功開發出容量提升50%的24GB套裝產品。”,“最近隨著人工智能聊天機器人（AI Chatbot）產業的發展，高端存儲器需求也隨之增長，公司將從今年下半年起將其推向市場，以滿足
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SK海力士 堆疊HBM3 DRAM
- 據媒體報道，盡管消費性電子應用需求復蘇緩慢，但華邦電總經理陳沛銘指出，第二季與客戶洽談合約價格已看到止穩跡象。華邦電是一家利基型存儲器IC設計、制造與銷售公司，其產品包括利基型存儲器（Specialty DRAM）、行動存儲器（Mobile DRAM）以及編碼型閃存（Code Storage Flash Memory）。存儲器產品主要以DRAM、NAND Flash為主。從產品價格上看，在NAND
Flash方面，此前據TrendForce集邦咨詢3月30日調查指出，即便原廠持續進行減產，然需求端如服
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利基型 DRAM
- TrendForce集邦咨詢表示，由于部分供應商如美光（Micron）、SK海力士（SK
hynix）已經啟動DRAM減產，相較第一季DRAM均價跌幅近20%，預估第二季跌幅會收斂至10~15%。不過，由于2023下半年需求復蘇狀況仍不明確，DRAM均價下行周期尚不見終止，在目前原廠庫存水位仍高的情況下，除非有更大規模的減產發生，后續合約價才有可能反轉。PC DRAM方面，由于買方已連續三季大減采購量，目前買方的PC DRAM庫存約9~13周，而PC
DRAM原廠已進行減產，TrendForce集
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DRAM 止跌 TrendForce
- 當前，由于消費電子市場需求持續疲弱，當前存儲器賣方面臨庫存高企壓力，以DRAM和NAND Flash為主的存儲器產品價格持續下探。為避免存儲器產品再出現大幅跌價，多家供應商已經開始積極減產，盡管2023年第一季價格跌幅將有所收斂，但集邦咨詢仍預估當季DRAM價格跌幅將達13~18%，NAND Flash均價跌幅為10~15%。對于第二季DRAM產業市況發展，近日，南亞科和華邦電給出了各自的看法。李培英：下半年市況將有所好轉南亞科總經理李培英認為，受高通貨膨脹與供應鏈不順影響，今年上半年將是DRAM市況最差
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DRAM 存儲
- 華邦消費性電子應用需求回溫本季是谷底；南亞科上半年跌幅收斂。
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DRAM NAND
- 由于DRAM及NAND Flash第一季價格續跌，加上庫存水位過高，終端消費支出持續放緩，據外電消息，韓國三星電子及SK海力士本季度的芯片業務恐因提列庫存損失而面臨數十億美元虧損。法人指出，南亞科（2408）及華邦電（2344）因減產及跌價導致營收及毛利率持續下滑，第一季本業虧損恐將在所難免。據外電報導，三星電子3月19日提交給韓國金融監督院的申報文件中指出，截至去年第四季，整體庫存資產達到52.2兆韓元（約折合399億美元），遠高于2021年的41.4兆韓元并創下歷史新高。其中，占三星營收比重最高的半導
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存儲器 DRAM NAND Flash
- 近日，外媒《BusinessKorea》報道稱，三星的主要半導體負責人最近在半導體會議上表示正在加速3D DRAM商業化，并認為3D DRAM是克服DRAM物理局限性的一種方法，據稱這將改變存儲器行業的游戲規則。3D DRAM是什么？它將如何顛覆DRAM原有結構？壹摩爾定律放緩，DRAM工藝將重構1966年的秋天，跨國公司IBM研究中心的Robert H. Dennard發明了動態隨機存取存儲器（DRAM），而在不久的將來，這份偉大的成就為半導體行業締造了一個影響巨大且市場規模超千億美元的產業帝國。DRA
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