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lpddr5x dram 文章 最新資訊

華邦電子預(yù)計(jì)DRAM價(jià)格到2026年6月將暴漲近4倍，產(chǎn)能已預(yù)訂至2027年

  • AI應(yīng)用持續(xù)推動(dòng)內(nèi)存需求激增，昨日華邦電子（Winbond）在法說(shuō)會(huì)上指出，DRAM供應(yīng)緊張已成為當(dāng)前焦點(diǎn)。據(jù)《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》報(bào)道，公司表示DRAM短缺將持續(xù)存在，本季度內(nèi)存價(jià)格預(yù)計(jì)將飆升90%–95%，而下一季度的漲幅有望與本季持平。《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》進(jìn)一步指出，除了本季度價(jià)格接近翻倍外，第二季度價(jià)格預(yù)計(jì)還將再上漲近一倍，這意味著到2026年6月底，DRAM價(jià)格可能達(dá)到2025年底水平的近4倍。《工商時(shí)報(bào)》也提到，華邦2025年和2026年的產(chǎn)能已全部售罄，產(chǎn)線處于滿載運(yùn)轉(zhuǎn)狀態(tài)。受此強(qiáng)勁漲價(jià)趨勢(shì)推動(dòng)，機(jī)構(gòu)投資者對(duì)
  • 關(guān)鍵字： 華邦  DRAM  

如何走出DRAM短缺困境？

  • 如今科技領(lǐng)域似乎一切都圍繞AI展開(kāi)，而事實(shí)也的確如此。在計(jì)算機(jī)內(nèi)存市場(chǎng)，這一點(diǎn)體現(xiàn)得尤為明顯。為AI數(shù)據(jù)中心中GPU及其他加速芯片提供支持的DRAM需求極其旺盛、利潤(rùn)空間巨大，導(dǎo)致原本用于其他領(lǐng)域的內(nèi)存產(chǎn)能被分流，價(jià)格也隨之暴漲。據(jù)Counterpoint Research數(shù)據(jù)，本季度截至目前，DRAM價(jià)格已上漲80%～90%。電子行業(yè)為何會(huì)陷入這一困境？當(dāng)前局面是DRAM行業(yè)周期性繁榮與衰退疊加前所未有的AI硬件基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)浪潮共同導(dǎo)致的結(jié)果。供需劇烈波動(dòng)的核心要理解這一事件的來(lái)龍去脈，就必須認(rèn)識(shí)到造成
  • 關(guān)鍵字： DRAM  GPU  

英特爾重返 DRAM 賽道？深入解析與軟銀合作的 Z-Angle 內(nèi)存項(xiàng)目

  • 2 月 2 日，英特爾宣布與軟銀子公司 SAIMEMORY 達(dá)成合作，共同研發(fā) Z-Angle 內(nèi)存（ZAM），其內(nèi)存領(lǐng)域的野心再度引發(fā)關(guān)注。根據(jù)雙方發(fā)布的新聞稿，該項(xiàng)目將于 2026 年第一季度啟動(dòng)，預(yù)計(jì) 2027 年推出原型產(chǎn)品，2030 年實(shí)現(xiàn)全面量產(chǎn)。在此次合作中，英特爾將提供技術(shù)與創(chuàng)新支持，SAIMEMORY 則主導(dǎo)產(chǎn)品研發(fā)與商業(yè)化進(jìn)程。《日本電子工程時(shí)報(bào)》援引軟銀發(fā)言人的表述稱，“ZAM” 中的 “Z” 代表 Z 軸，研發(fā)團(tuán)隊(duì)正考慮采用垂直堆疊結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)。報(bào)道還提到，軟銀計(jì)劃在 2027 財(cái)年完
  • 關(guān)鍵字： 英特爾  DRAM  軟銀  Z-Angle  內(nèi)存項(xiàng)目  

電動(dòng)車(chē)企成本的“完美風(fēng)暴”正在形成

  • 瑞銀在最新研報(bào)中稱，隨著2026年初刺激政策的全面退潮和5%購(gòu)置稅的征收，需求端本就疲軟。然而，供給端卻迎來(lái)了大宗商品（銅、鋁、鋰）和關(guān)鍵零部件（存儲(chǔ)芯片DRAM）價(jià)格的劇烈反彈。據(jù)該行測(cè)算，一輛典型的中型智能電動(dòng)車(chē)的成本通脹高達(dá)人民幣4000至7000元。瑞銀稱，在當(dāng)前競(jìng)爭(zhēng)激烈、利潤(rùn)微薄的市場(chǎng)環(huán)境下，由于車(chē)企很難將這部分成本轉(zhuǎn)嫁給消費(fèi)者，這波成本上漲足以將車(chē)企的利潤(rùn)完全吞噬（fully erode carmakers' margin）。金屬價(jià)格全線反彈研報(bào)稱，瑞銀基于其過(guò)往的拆解數(shù)據(jù)，建立了一個(gè)
  • 關(guān)鍵字： 電動(dòng)車(chē)  DRAM  金屬  購(gòu)置稅  

上調(diào)100%！存儲(chǔ)市場(chǎng)又一重磅調(diào)價(jià)信號(hào)

  • 三星今年第一季度對(duì)NAND閃存的供應(yīng)合約價(jià)格已上調(diào)超過(guò)100%，目前客戶已收到通知。據(jù)行業(yè)知情人士透露，三星去年底已經(jīng)完成了與主要客戶的供應(yīng)合同談判，從一月起正式實(shí)施新的價(jià)格體系。另外，SK海力士也對(duì)NAND產(chǎn)品采取了類似的定價(jià)策略；存儲(chǔ)芯片大廠SanDisk也計(jì)劃在一季度將面向企業(yè)級(jí)的NAND價(jià)格上調(diào)100%。目前，三星已著手與客戶就第二季度的NAND價(jià)格進(jìn)行新一輪談判，市場(chǎng)普遍預(yù)計(jì)價(jià)格上漲的勢(shì)頭將在第二季度延續(xù)。市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce的數(shù)據(jù)顯示，去年第四季度NAND閃存價(jià)格漲幅為上一季度的3
  • 關(guān)鍵字： 存儲(chǔ)  NAND  DRAM  三星  SK海力士  

瑞銀示警：DRAM短缺逼近汽車(chē)業(yè) 2大品牌最危險(xiǎn)

  • 生成式人工智能（AI）浪潮席卷全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，卻可能為汽車(chē)供應(yīng)鏈埋下新的不確定性。 瑞銀最新發(fā)布的全球汽車(chē)產(chǎn)業(yè)研究報(bào)告警告，受AI服務(wù)器需求暴增影響，DRAM產(chǎn)能正大幅向高帶寬記憶體（HBM）傾斜，導(dǎo)致汽車(chē)級(jí)存儲(chǔ)器面臨價(jià)格上漲與供應(yīng)短缺的雙重壓力，相關(guān)沖擊預(yù)計(jì)將自2026年第二季開(kāi)始逐步浮現(xiàn)。瑞銀指出，全球三大DRAM供應(yīng)商三星電子、SK海力士與美光，為追求更高的毛利率，已明確將產(chǎn)能重心轉(zhuǎn)向AI服務(wù)器所需的HBM產(chǎn)品，由于汽車(chē)級(jí)DDR內(nèi)存與AI芯片共享有限的硅晶圓產(chǎn)能，HBM產(chǎn)能快速擴(kuò)張，勢(shì)必排擠車(chē)用DR
  • 關(guān)鍵字： 瑞銀  DRAM  汽車(chē)  

Cadence采用下一代低功耗DRAM和Microsoft RAIDDR ECC技術(shù)，為人工智能應(yīng)用提供企業(yè)級(jí)可靠性

  • 楷登電子（美國(guó) Cadence 公司）近日宣布，推出業(yè)界首款專為企業(yè)與數(shù)據(jù)中心應(yīng)用設(shè)計(jì)的高可靠性 LPDDR5X 9600Mbps 內(nèi)存 IP 系統(tǒng)解決方案。該創(chuàng)新方案融合了 Cadence 經(jīng)過(guò)量產(chǎn)驗(yàn)證的 LPDDR5X IP 與微軟的先進(jìn)冗余獨(dú)立雙倍數(shù)據(jù)速率陣列（RAIDDR）糾錯(cuò)碼（ECC）編碼方案，實(shí)現(xiàn)了兼具高性能、低功耗與穩(wěn)健可靠性的強(qiáng)強(qiáng)組合。微軟已成為首個(gè)部署該新款系統(tǒng)解決方案的客戶。在 AI 基礎(chǔ)設(shè)施構(gòu)建浪潮中，LPDDR5X 憑借其在處理 AI、HPC 及其他內(nèi)存密集型工作負(fù)載方面的卓越能
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內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)格更新：DRAM飆升，賣(mài)家壓制庫(kù)存，主流DDR4上漲10%

  • 根據(jù)TrendForce最新的記憶現(xiàn)貨價(jià)格趨勢(shì)報(bào)告，關(guān)于DRAM的現(xiàn)貨價(jià)格持續(xù)日復(fù)一日上漲，盡管交易依然低迷，供應(yīng)商和交易員囤積庫(kù)存，推動(dòng)主流DDR4 1Gx8 3200MT/s芯片平均價(jià)格上漲9.64%。與此同時(shí)，在NAND，盡管一些買(mǎi)家采取了觀望態(tài)度，現(xiàn)貨交易者對(duì)未來(lái)價(jià)格趨勢(shì)持樂(lè)觀態(tài)度，卻拒絕降價(jià)以刺激銷(xiāo)售。詳情如下：DRAM現(xiàn)貨價(jià)格：受強(qiáng)勁的合約價(jià)格上漲推動(dòng)，現(xiàn)貨價(jià)格連續(xù)日漲。然而，由于供應(yīng)商和交易商不愿釋放庫(kù)存，交易量依然受限。主流芯片（即DDR4 1Gx8 3200MT/s）的平均現(xiàn)貨價(jià)格已從上
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2026年全球DRAM供應(yīng)仍將嚴(yán)重不足

  • 據(jù)韓媒Chosun Biz援引市調(diào)機(jī)構(gòu)Omdia數(shù)據(jù)，2026年三星電子的DRAM晶圓產(chǎn)量預(yù)計(jì)為793萬(wàn)片，較2025年的759萬(wàn)片增長(zhǎng)約5%。SK海力士的DRAM產(chǎn)量則預(yù)計(jì)將從2025年的597萬(wàn)片提升至2026年的648萬(wàn)片，增幅約為8%。然而，由于技術(shù)升級(jí)至10納米第六代DRAM（1c）制程可能引發(fā)短期產(chǎn)能損失，實(shí)際增產(chǎn)幅度或低于預(yù)期。美光的年產(chǎn)量預(yù)計(jì)維持在約360萬(wàn)片，與2025年持平。盡管三大DRAM廠商的產(chǎn)能均有所增加，但與市場(chǎng)需求相比仍存在顯著差距。韓國(guó)KB證券分析顯示，客戶端DRAM需求的
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華碩預(yù)告視頻展示了即將推出的AM5“Neo”主板——更新可能包括新的AIO接口、M.2升級(jí)以及NitroPath DRAM支持超高速DDR5

  • 華碩發(fā)布了一段18秒的預(yù)告視頻，展示了其即將推出的Neo主板，旨在與市場(chǎng)上最好的主板競(jìng)爭(zhēng)。ROG Crosshair、ROG Strix、TUF Gaming和ProArt系列的新Neo版本將為AMD的AM5平臺(tái)帶來(lái)顯著的生活質(zhì)量升級(jí)，目前AM5平臺(tái)擁有一些最優(yōu)秀的CPU。硬件界又到了令人興奮的時(shí)代，品牌們準(zhǔn)備在CES 2026上發(fā)布最新創(chuàng)新產(chǎn)品。緊隨MSI和技嘉發(fā)布Max和X3D更新之后，華碩憑借備受期待的Neo系列登上了聚光燈下。雖然“Neo”代表新或近期，但這些即將推出的AMD主板很可能繼續(xù)基于AM
  • 關(guān)鍵字： AM5“Neo”主板  華碩Neo主板  CES 2026  NitroPath DRAM  

據(jù)報(bào)道，AI將在2026年消耗全球DRAM晶圓容量的20%，HBM和GDDR7引領(lǐng)需求

  • 隨著人工智能基礎(chǔ)設(shè)施的逐步擴(kuò)充，內(nèi)存供應(yīng)緊張，價(jià)格飆升。《商業(yè)時(shí)報(bào)》援引行業(yè)專家的話，預(yù)測(cè)云高速內(nèi)存消耗到2026年可能達(dá)到3艾字節(jié)（EB）。值得注意的是，考慮到高速內(nèi)存如HBM和GDDR7的“等效晶圓使用量”，報(bào)告警告稱人工智能實(shí)際上可能占全球DRAM供應(yīng)近20%。報(bào)告指出，3EB預(yù)計(jì)將由三個(gè)關(guān)鍵組成部分驅(qū)動(dòng)。首先，跨主要平臺(tái)——谷歌（Gemini）、AWS（Bedrock）和OpenAI（ChatGPT）——的核心推理工作負(fù)載預(yù)計(jì)實(shí)時(shí)內(nèi)存需求將達(dá)到約750PB。考慮到實(shí)際部署所需的冗余和安全裕度，這一
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蘋(píng)果將從三星采購(gòu)iPhone 17 60–70%的LPDDR5X

  • 隨著iPhone 17打破銷(xiāo)售紀(jì)錄，蘋(píng)果CEO蒂姆·庫(kù)克在最新的財(cái)報(bào)電話會(huì)議上罕見(jiàn)地透露了公司假日季度的展望，他表示蘋(píng)果預(yù)計(jì)將在12月創(chuàng)下新的歷史收入紀(jì)錄，據(jù)MacRumors報(bào)道。在此背景下，韓京現(xiàn)在表示三星可能是最大受益者之一，據(jù)報(bào)道三星將獲得iPhone 17 LPDDR供應(yīng)60%至70%的頂級(jí)LPDDR5X供應(yīng)。值得注意的是，蘋(píng)果還向三星請(qǐng)求了即將于明年九月發(fā)布的iPhone 18大量LPDDR量產(chǎn)，韓京報(bào)道。報(bào)告指出，iPhone 17的這一調(diào)整標(biāo)志著三星市場(chǎng)份額的顯著提升，指出在之前的iPho
  • 關(guān)鍵字： 蘋(píng)果  三星  iPhone 17  LPDDR5X  

三星發(fā)布與InGaO合作的亞10納米DRAM突破，據(jù)報(bào)道關(guān)注0a/0b的采用

  • 三星電子于7月完成了6代10納米級(jí)工藝的1代1c DRAM開(kāi)發(fā)后，現(xiàn)正推進(jìn)下一代DRAM技術(shù)。據(jù)The Elec報(bào)道，三星與三星先進(jìn)技術(shù)研究院（SAIT）發(fā)布了一種實(shí)現(xiàn)亞10納米DRAM的新方法，可能適用于0a和0b DRAM。正如韓國(guó)新聞2024年底報(bào)道，三星計(jì)劃于2025年發(fā)布第六代10納米1c型HBM4DRAM處理器，隨后于2026年推出第七代10納米1維DRAM，并計(jì)劃于2027年前推出首款亞10納米0安DRAM。《The Elec》援引的一位業(yè)內(nèi)消息人士指出，雖然該技術(shù)仍處于研究階段，且數(shù)年內(nèi)難
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三星CEO據(jù)報(bào)道將就緊張的移動(dòng)DRAM供應(yīng)問(wèn)題，罕見(jiàn)的參加CES會(huì)議

  • 在內(nèi)存價(jià)格急劇上漲的背景下，即使是三星也感受到了壓力，盡管三星內(nèi)部擁有強(qiáng)大容量。DealSite透露，三星電子DX部門(mén)CEO兼負(fù)責(zé)人盧泰文將在2026年1月6日至9日在拉斯維加斯舉行的CES 2026開(kāi)幕日會(huì)面美光CEO Sanjay Mehrotra。正如報(bào)道所強(qiáng)調(diào)的，活動(dòng)期間此類會(huì)議較為罕見(jiàn)，但消息人士稱三星請(qǐng)求此次會(huì)議是為了應(yīng)對(duì)移動(dòng)DRAM供應(yīng)收緊的問(wèn)題。據(jù)DealSite報(bào)道，討論將聚焦于即將推出的Galaxy S26的LPDDR5X，因?yàn)轱w漲的價(jià)格使得與三星DS部門(mén)和美光的合同尚未解決。正如Se
  • 關(guān)鍵字： 三星  存儲(chǔ)  DRAM  

長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)發(fā)布DDR5和LPDDR5X新品

  • 長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)近日正式推出其最新的DDR5和LPDDR5X產(chǎn)品系列，標(biāo)志著國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片技術(shù)邁上新臺(tái)階。據(jù)官方介紹，此次發(fā)布的DDR5系列產(chǎn)品最高速率達(dá)到8000Mbps，最高顆粒容量為24Gb，同時(shí)覆蓋服務(wù)器、工作站及個(gè)人電腦全領(lǐng)域的七大模組產(chǎn)品。此外，LPDDR5X移動(dòng)端內(nèi)存的最高速率達(dá)到10667Mbps，最高顆粒容量為16Gb，性能和容量均處于業(yè)界領(lǐng)先水平。長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)在存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域的技術(shù)實(shí)力得到了充分體現(xiàn)。此次發(fā)布不僅是對(duì)自身技術(shù)積累的一次集中展示，也表明國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片已具備與國(guó)際一線廠商競(jìng)爭(zhēng)的能力。專家指出
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lpddr5x dram介紹

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