8月7日消息,隨著移動設備功能的不斷增強,對內存性能和容量的要求也日益提高。據外媒gsmarena報道,三星電子近日宣布,公司推出了業界最薄的LPDDR5X
DRAM芯片。這款12納米級別的芯片擁有12GB和16GB兩種封裝選項,專為低功耗RAM市場設計,主要面向具備設備端AI能力的智能手機。gsmarena這款新型芯片的厚度僅為0.65毫米,比上一代產品薄了9%。三星估計,這一改進將使其散熱性能提高21.2%。gsmarena三星通過優化印刷電路板(PCB)和環氧樹脂封裝技術,將LPDDR5X的厚度
關鍵字:
三星 手機芯片 LPDDR5X DRAM
近期在智慧手機、PC、數據中心服務器上,用于暫時儲存數據的DRAM價格漲勢停歇,買家拉貨不積極,影響DRAM報價漲勢。 業者期待,SK海力士、三星及美光前三大廠HBM產能增開,對一般型DRAM產生的排擠效應,加上產業旺季來臨,可帶動DRAM重啟漲勢。 據了解,6月指針性產品DDR4 8GB合約價約2.10美元、容量較小的4GB合約價1.62美元左右,表現持平,主要是供需雙方對價格談判,呈現拉鋸狀況。而另一方面,三星新一代HBM3E,據傳有望通過輝達(NVIDIA)認證,輝達GB200將于2025年放量,其
關鍵字:
HBM DRAM 美光
三星今日宣布,已成功在聯發科技的下一代天璣旗艦移動平臺完成其最快的10.7千兆比特/秒(Gbps)LPDDR5X DRAM驗證。三星半導體LPDDR5X移動內存產品圖此次10.7Gbps運行速度的驗證,使用三星的16GB LPDDR5X封裝規格,基于聯發科技計劃于下半年發布的天璣9400旗艦移動平臺進行。兩家公司保持密切合作,僅用三個月就完成了驗證。"通過與聯發科技的戰略合作,三星已驗證了其最快的LPDDR5X
DRAM,該內存有望推動人工智能(AI)智能手機市場,"三星電子內存產
關鍵字:
三星 聯發科技 天璣 LPDDR5X
圓滿收官!紫光國芯慕尼黑上海電子展2024展現科技創新實力2024年7月8日至10日,西安紫光國芯半導體股份有限公司(簡稱:紫光國芯,證券代碼:874451)精彩亮相慕尼黑上海電子展。紫光國芯聚焦人工智能、高性能計算、汽車電子、工業控制、消費電子等重點領域,為客戶提供全方面的存儲產品及相關技術解決方案。展會現場重點展示了DRAM存儲系列產品、SeDRAM?技術和CXL技術、新品牌云彣(UniWhen?)和SSD產品系列。128Mb PSRAM,新一代DRAM KGD產品系列DRAM KGD展區首次展示了紫
關鍵字:
紫光國芯 慕尼黑電子展 DRAM SeDRAM CXL
根據全球市場研究機構TrendForce集邦咨詢最新調查顯示,由于通用型服務器(general server)需求復蘇,加上DRAM供應商HBM生產比重進一步拉高,使供應商將延續漲價態度,第三季DRAM均價將持續上揚。DRAM價格漲幅達8~13%,其中Conventional DRAM漲幅為5-10%,較第二季漲幅略有收縮。TrendForce集邦咨詢指出,第二季買方補庫存意愿漸趨保守,供應商及買方端的庫存水平未有顯著變化。觀察第三季,智能手機及CSPs仍具補庫存的空間,且將進入生產旺季,因此預計智能手機
關鍵字:
服務器 DRAM TrendForce
6月25日消息,據媒體報道,SK海力士在近期于美國夏威夷舉行的VLSI 2024峰會上,重磅發布了關于3D DRAM技術的最新研究成果,展示了其在該領域的深厚實力與持續創新。據最新消息,SK海力士在3D DRAM技術的研發上取得了顯著進展,并首次詳細公布了其開發的具體成果和特性。公司正全力加速這一前沿技術的開發,并已取得重大突破。SK海力士透露,目前其5層堆疊的3D DRAM良品率已高達56.1%,這一數據意味著在單個測試晶圓上,能夠成功制造出約1000個3D DRAM單元,其中超過一半(即561個)為良
關鍵字:
SK海力士 3D DRAM
全球市場研究機構TrendForce集邦咨詢觀察,2024年大型云端CSPs,如Microsoft、Google、Meta、AWS等廠商,將仍為采購高階主打訓練用AI
server的主力客群,以作為LLM及AI建模基礎。待2024年CSPs逐步完成建置一定數量AI訓練用server基礎設施后,2025年將更積極從云端往邊緣AI拓展,包含發展較為小型LLM模型,以及建置邊緣AI
server,促其企業客戶在制造、金融、醫療、商務等各領域應用落地。此外,因AI PC或NB在計算機設備基本架構組成與
關鍵字:
云端 CSPs 邊緣AI DRAM TrendForce
內存大廠美光預計6月26日公布季報,自美光的高帶寬內存(HBM)開始供貨給輝達后,已化身為AI明星股,年初至今,美光股價大漲近七成,市值大增636.26億美元,至1,545.22億美元。 市場分析師預期,美光經營層將大談需求改善、行業供應緊張、價格進一步上揚,以及他們供應給輝達和其他AI芯片廠商的HBM,下一世代的發展,提出對后市正向的看法。由于AI應用的需求,人們對DRAM、HBM的興趣與日俱增,且內存市場通常存在「FOMO」(Fear of missing out)現象,意思是「害怕錯失機會」,在美光
關鍵字:
HBM DRAM 美光
中國臺灣美光內存后里廠20日下午5點34分發生火警,火勢快速撲滅,無人傷亡,美光昨深夜發出聲明指出,臺中廠火警廠區營運未受任何影響。 臺中市消防局昨日傍晚5時34分獲報,中國臺灣美光位在后里區三豐路的廠房發生火災,消防局抵達時廠區人員已將火勢撲滅,無人受傷,原因有待厘清。根據經濟日報報導,美光針對臺中廠火警一事發出聲明,經查證所有員工與承包商安全無虞,且廠區營運未受任何影響。美光是國際三大DRAM廠商,市占約19.2%,與前兩大三星及SK海力士合計市占達96%。美光高達65%的DRAM產品在中國臺灣生產,
關鍵字:
美光 DRAM
IT之家 6 月 19 日消息,韓媒 ETNews 援引業內人士的話稱,韓國兩大存儲巨頭三星電子和 SK 海力士目前的通用 DRAM 內存產能利用率維持在 80~90% 水平。韓媒宣稱,這一情況同主要企業已實現生產正常化的 NAND 閃存產業形成鮮明對比:除鎧俠外,三星電子和 SK 海力士也已于本季度實現 NAND 產線滿負荷運行。報道指出,目前通用 DRAM (IT之家注:即常規 DDR、LPDDR)需求整體萎靡,市場仍呈現供大于求的局面,是下游傳統服務器、智能手機和 PC 產業復蘇緩慢導致的
關鍵字:
DRAM 閃存 三星 海力士
2024年第一季DRAM產業,受到主流產品合約價走揚、且漲幅較2023年第四季擴大,帶動營收較前一季度成長5.1%,達183.5億美元,推動多數業者營收呈季增趨勢。TrendForce指出,第一季三大原廠出貨皆季減,反映產業淡季效應,加上下游業者的庫存水平墊高,采購量明顯衰退。三大原廠延續著2023年第四季合約價上漲氛圍,再加上庫存仍處于健康水位,漲價意圖強烈。其中,中系手機銷售暢旺,帶動mobile DRAM的價格漲幅領先所有應用,而consumer DRAM的原廠庫存仍待去化,拖累價格漲幅居所有應用之
關鍵字:
存儲器 DRAM TrendForce
根據全球市場研究機構TrendForce集邦咨詢調查顯示,2024年第一季DRAM產業主流產品合約價走揚、且漲幅較2023年第四季擴大,帶動營收較前一季度成長5.1%,達183.5億美元,推動多數業者營收延續季增趨勢。出貨表現上,第一季三大原廠皆出現季減,反映產業淡季效應,加上下游業者的庫存水平已墊高,采購量明顯減弱。平均銷售單價方面,三大原廠延續著2023年第四季合約價上漲氛圍,再加上庫存仍處于健康水位,故漲價意愿強烈。其中,中系手機銷售暢旺,帶動Mobile
DRAM的價格漲幅領先所有應用,而Co
關鍵字:
淡季效應 DRAM TrendForce 集邦咨詢
IT之家 5 月 30 日消息,綜合臺媒《工商時報》《經濟日報》報道,南亞科技在昨日的年度股東常會上表示,其首款 1C nm 制程 DRAM 內存產品 16Gb DDR5 顆粒將于明年初進入試產階段。南亞科技目前已在進行 1B nm 制程的 DRAM 試產,涵蓋 8/4Gb DDR4 內存和 16Gb DDR5 內存。南亞科技表示其首批 DDR5 內存將在下半年少量試產,明年進一步提升產量。此外南亞科技還在 1B nm 節點規劃了 16Gb DDR5 迭代版本、16Gb LPDDR5 內存、16
關鍵字:
南亞科技 內存 DRAM
據日媒報道,美光科技計劃投入6000億-8000億日圓(約合人民幣277-369億元)在日本廣島縣興建新廠,用于生產DRAM芯片。這座新廠房將于2026年初動工,并安裝極紫外光刻(EUV)設備。消息稱最快2027年底便可投入營運。報道稱,此前,日本政府已批準多達1920億日圓補貼,支持美光在廣島建廠并生產新一代芯片。去年,日本經濟產業省曾表示,將利用這筆經費協助美光科技生產芯片,這些芯片將是推動生成式AI、數據中心和自動駕駛技術發展的關鍵。
關鍵字:
美光 DRAM 日本 EUV
lpddr5x dram介紹
您好,目前還沒有人創建詞條lpddr5x dram!
歡迎您創建該詞條,闡述對lpddr5x dram的理解,并與今后在此搜索lpddr5x dram的朋友們分享。
創建詞條
關于我們 -
廣告服務 -
企業會員服務 -
網站地圖 -
聯系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網安備11010802012473