全球半導體市場第3季，以870億美元創下史上最高營收紀錄，景氣持續樂觀。其中亞太地區比前年增加12.0%成長最多，南韓業者營收屢創新高，然而日本地區卻出現成長衰退跡象。
據Digital Times報導，日前美國半導體產業協會(SIA)宣布，第3季半導體產業全球營收，與前年同期相比成長8.0%，以870億美元創下史上單季最高紀錄。不但比第2季增加5.7%，也高于世界半導體貿易統計組織(WSTS)在7月預測的年度成長值6.5%。
SIA CEO Brian C. Toohey表示，第3季半導
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半導體 DRAM NAND
全球行業領先的嵌入式市場閃存解決方案創新廠商Spansion公司今日宣布推出面向消費、通信和工業設備市場的工業級e.MMC NAND閃存系列。Spansion的e.MMC NAND閃存提供8GB和16GB存儲密度，工作溫度范圍為-40度到+85度，可滿足上述市場對可靠、更高密度存儲日益增長的需求。最新推出的Spansione.MMC閃存系列完善了Spansion領先業界的并行和串行NOR閃存以及面向嵌入式應用的SLC NAND閃存產品組合。
Spansione.MMC閃存采用高密度的MLC NA
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Spansion NAND MMC
第三季NAND Flash市況在蘋果iPhone6/6Plus新機上市備貨需求強勁與OEM業者進入出貨旺季的帶動下，eMMC/eMCP與SSD的成長力道均高于上半年，NAND Flash價格表現也相對穩健，使得第三季NAND Flash品牌供貨商營收較上季增加12.2%至85.8億美元。TrendForce旗下內存儲存事業處DRAMeXchange研究協理楊文得表示，新制程的嵌入式產品自第三季起成為市場主流，有助于各家業者成本結構的改善，而隨著蘋果第四季iPhone表現持續亮眼以及新產品的問世，整體N
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NAND Flash SSD iPhone6
過去媒體與業界常講最尖端、先進的半導體技術不會到中國投資，某些國家的政府對于輸出特定半導體技術到中國投資都有設定限制，因此過去國際半導體廠在中國投資半導體相關事業，以芯片封裝測試廠、8 寸以下晶圓廠為主。不過，這個局面在中國市場打開，中國政府近期又積極招商，宣示要花大筆人民幣來買技術、買設備與外資合作建立中國半導體產業的新局后，有了重大改變。
英特爾才剛于 2014 年 9 月 26 日和中國手機芯片廠展訊聯合宣布，以 15 億美元入股紫光集團，持股占比約為 20%。而前身是 AMD 快閃內存事
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AMD Spansion NAND
中芯國際集成電路制造有限公司今日宣布38納米 NAND 閃存工藝制程已準備就緒，中芯國際憑此成為唯一一家可為客戶生產 NAND 產品的代工廠。該工藝平臺完全由中芯國際自主研發，可滿足特殊存儲器無晶圓廠客戶對高質量、低密度 NAND 閃存持續增長的需求，使中芯國際占據該領域的領先地位。
NAND 閃存是近年來發展最為迅速的非易失性存儲(NVM)產品。38納米 NAND 閃存主要面向嵌入式產品、移動計算、物聯網(IoT)、電視及機頂盒等多種大需求量的特殊應用領域。客戶也可利用此技術帶動串行外設接
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中芯國際 NAND
TrendForce 旗下記憶體儲存事業處 DRAMeXchange 最新調查報告顯示，蘋果(Apple) 9月份推出大螢幕尺寸的 iPhone 6 / 6 Plus在全球熱銷，帶動 2014全年 iPhone 銷售量提升至1.88支，年成長率高達22%，成功扭轉過去一年來iPhone趨緩的銷售動能，重新站穩高階智慧型手機領導廠商的地位;值得注意的是，蘋果這次的改變除了將螢幕尺寸從一直堅守的4寸，向上突破至4.7與5.5寸，在儲存容量與價格上也開始展現更積極的策略。
DRAMeXchange
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智能手機 NAND
儲存型快閃記憶體(NAND Flash)控制晶片廠群聯 (8299)董事長潘健成表示，智慧手機市場本季需求不振，主要是受到市場上迷漫觀望氣氛影響，直到蘋果公布iPhone 6系列產品規格之后，其它手機品牌廠出現搶零組件熱潮。
他說，10月的急單火紅，第4季零組件拉貨力道優于本季。
潘健成表示，先前消費者期待iPhone 6上市，導致iPhone 5系列產品，自今年3月起就銷售不佳;其它品牌的Android系統也在第2季出現清庫存的情況，上游供應商不敢備貨、通路商也不愿意拉貨囤積庫存
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NAND 控制晶片
核心提示：東芝(Toshiba)在2014年9月9日于日本四日市工廠，主持采用更高精度制程NAND Flash廠、第五工廠第二期工程完工典禮，與3D NAND Flash廠、第二工廠新工程動土典禮，象征在NAND Flash市場的積極作為。
東芝(Toshiba)在2014年9月9日于日本四日市工廠，主持采用更高精度制程NAND Flash廠、第五工廠第二期工程完工典禮，與3D NAND Flash廠、第二工廠新工程動土典禮，象征在NAND Flash市場的積極作為。
由于智能型手
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東芝 NAND
雖然規模和技術遠遠不如TSMC臺積電、UMC臺聯電等代工巨頭，不過中芯國際(SMIC)這兩年發展的還不錯，28nm工藝年初也正式量產了，還從TSMC手中搶到了部分高通處理器訂單，現在他們準備進軍新的市場領域了——向客戶推出38nm工藝的NAND閃存，而且是中芯國際自主研發的技術。
NAND閃存的重要性不必說，目前SSD固態硬盤以及消費電子上所用的存儲器多數都是基于NAND閃存，目前全球主要的NAND產能都掌握在三星電子、東芝/閃迪、SK Hynix及Intel、美光合
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中芯國際 NAND
東芝公司今天宣布，該公司在閃存峰會(Flash Memory Summit)上展示其最新的NAND閃存和存儲產品。閃存峰會是全球最大的閃存討論會，于8月5至7日在美國加州圣塔克拉拉市的圣塔克拉拉會議中心(Santa Clara Convention Center)舉行。
閃存峰會的展覽環節在會議的最后兩天8月6日和7日舉行，東芝在504號展位布展。
主要展品
??? 1、企業級固態硬盤(eSSD)：
??? 企業級讀密集型
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東芝 NAND 固態硬盤
全球領先的閃存存儲解決方案供應商閃迪公司今日宣布，來自移動設備、平板電腦和消費類電子產品行業生態系統的300多位領導廠商本周齊聚中國深圳，參加閃迪舉辦的第二屆年度“Future Proof Storage”研討會。本次活動于8月26日舉行，囊括了中國及世界各地極具影響力的領先移動科技公司(包括幾乎所有領先芯片組供應商的代表)，共同探討塑造移動互聯市場的新技術、新應用、新趨勢和閃存技術演進。Future Proof Storage 研討會邀請了移動行業中的十幾位領導者擔任演講嘉賓
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閃迪 智能手機 NAND
TrendForce旗下內存儲存事業處DRAMeXchange最新調查顯示，由于智能手機、平板電腦等移動裝置需求穩健增長，固態硬盤在筆記本電腦以及服務器與數據中心的需求增加，而物聯網應用也將逐漸導入NANDFlash，2015年NANDFlash整體產業規模將提升至266億美元，年增長9%。
DRAMeXchange研究協理楊文得表示，2014年NANDFlash需求位增長率為36%，在更多元化的產品開始導入NANDFlash的挹注下，2015年的需求位增長率將依舊有35%。市場趨勢觀察的重
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NAND Flash 穿戴性裝置
今年第二季NANDFlash品牌供貨商營收達76.49億美元，季成長5.6%，隨著智能手機與平板電腦等進入出貨旺季，仍可望提升NANDFlash下半年的市場表現。
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Intel NAND
全球NANDFlash(儲存型快閃記憶體)供給成長持續大于需求，預估NANDFlash今年底報價將較去年跌掉三成，且跌勢恐將一直延續至2018年。
市調機構IHSiSuppli最新報告預測，NANDFlash今年底報價將跌至0.49美元每GB，遠低于去年的0.71美元，預估2018年將進一步跌至0.14美元，其間年復合成長率為負的28%。
NANDFlash產出過多是導致價格崩跌的主因，若以1GB等量單位計算，IHSiSuppl估計，2018年NANDFlash產出將自2013年的
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東芝 NAND
并非所有的嵌入式應用都“生而平等”。在設計者們繼續尋求途徑改善用戶體驗和性能等方面的過程中，一個必須考慮的重要因素是嵌入式應用的運行環境。從北極地區冰冷刺骨的戶外天線，到美國德州油氣公司極度炙熱的井下鉆機，嵌入式應用所需支持的環境千差萬別。嵌入式系統及其組件不僅須支持高溫環境下功能運作，還必須保持其交流和直流參數以及其它規格要求。如果在極端溫度范圍內無法滿足所有規格要求，必須做出得失權衡，就必須記錄下這一信息，并在設計過程中進行共享。在汽車、消費、工業、游戲、網絡或通信應用中，
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Spansion NAND FL1-K
mlc nand介紹
MLC NAND
目錄
1定義
2MLC芯片特點
3與SLC對比
1定義
MLC 全稱為Multi-Level Cell，多層單元閃存，MLC通過使用大量的電壓等級，每一個單元儲存兩位數據，數據密度比較高。
一般廠家宣稱可以保證得擦除次數是3，000次 。這一點與SLC得100，000的擦除次數有不小的差異。
2MLC芯片特點
1、傳輸速率 [
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