- 全球整合式芯片解決方案的領導廠商美滿電子科技(Marvell，納斯達克代碼：MRVL)今日宣布，推出革命性的第五代6Gb/s SATASSD控制器Marvell 88SS1074。這款業界領先的產品采用了Marvell第三代NANDEdge? 糾錯、低密度奇偶校驗(LDPC)技術，使消費類及企業級SSD便于采用15nm TLC NAND閃存。先進的Marvell 88SS1074 SATA SSD控制器顯著降低了存儲系統的總體成本，功耗更低，并提供無與倫比的性能。 Marvell公司總裁、聯合創始人
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Marvell 控制器 NAND
- 科研投資
日本資深專業人士泉谷涉還說：2012年日本國內半導體產值約5萬億日元，占GDP的5%，但它對應用半導體的服務業、硬件業以及通過IT業以提高生產力的下游產業來計算，半導體產生的經濟效益約為100萬億日元 ，兩者之比達到1：20，如此給力，誰不動心?!但是，半導體業又一向被稱為“食金蟲”產業，沒有國家的大力支持，沒有生產設備和科研經費的巨大投入，那是美夢難圓的。
半導體設備投資也是引導世界經濟增長的要素之一，它每年投資計劃的發表還常關聯到生產設備、材料公司的股
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半導體 NAND IC 201405
- 智慧之石 作為電子工業發展基礎的電子器件，已經歷了三個巨大變革時代：1.?電子管時代――1905～1947(42年);2.?晶體管時代――1947～1958(11年);3.?集成電路時代――1958～…(到2014年已有56年)。 電子管的發明拉開了電子時代的序幕，為當時蓬勃發展的無線電報事業提供了核心器件，在它存在的40多年的時間里，推動了收音機、電視機、雷達、計算機的發明和應用。美國是電子工業發展的代表，1920年即開始廣播，也是30年代最早開始電視廣播的國家之一
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NAND DRAM PC 201404
- 全球市場研究機構TrendForce 旗下記憶體儲存事業處DRAMeXchange 表示，在NAND Flash業者原先對于 2013年第四季終端裝置出貨過于樂觀，導致產出成長高于后續實際需求而讓市況呈現供過于求，以及SK海力士(Hynix)火災影響 NAND 產能調配等因素下，2013年第四季 NAND Flash 品牌供應商營收較第三季下滑4.5%，來到61億6,800萬美元。
2013年全年整體市況與供需產銷較2012年改善不少，因此第四季營收較 2012年同期增加16%;DRAMeXch
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NAND DRAM
- 存儲器大廠美光擴大委外封裝合作，東芝新廠可望今年量產。日月光、力成、南茂、華東等臺廠積極布局，今年存儲器封測競爭卡位，勢必激烈。
展望今年，國際存儲器大廠集中資源開發前端制程，包括動態隨機存取存儲器(DRAM)和快閃存儲器(Flash)后段封測可能擴大委外，封測臺廠考量自身發展，積極與國際大廠洽商合作。
美光(Micron)去年以20億美元買下日本存儲器大廠爾必達(Elpida)，提高美光全球DRAM市占率約1倍。
為進一步集成DRAM封測業務，去年下半年美光著手洽商DRAM后段封測
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存儲器 NAND
- 武漢新芯集成電路制造公司(XMC)2006成立，2012年底起獨立經營，是國有制企業。為了區別于本土的制造巨頭SMIC(中芯國際)和華力微電子(HLMC)等，XMC將立足存儲器制造。近日，武漢新芯董事長王繼增告訴筆者。
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XMC 存儲器 NOR NAND 201401
- 武漢新芯集成電路制造公司(XMC)是地方政府投資的半導體企業，2006年由湖北省、武漢市、武漢市東湖高新區投資，并由東湖高新區管理的全資國有企業，前幾年委托SMIC(中芯國際)經營管理，從2012年底起獨立經營。
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XMC 存儲器 NAND
- 東京—東芝公司(TOKYO：6502)日前宣布推出新型嵌入式NAND閃存模塊(e·MMC)，該模塊整合了采用19納米第二代工藝技術制造的NAND芯片。同時該模塊符合最新的e·MMC?[1]標準，旨在應用于智能手機、平板電腦和數字攝像機等廣泛的數字消費品。批量生產將從11月底開始。
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東芝 嵌入式 NAND
- 摘要: NAND Flash應用的困難在于管理和需要特殊的系統接口。本文介紹了一種利用MCU存儲器管理接口結合I/O口來實現NAND Flash存儲結構的搭建和管理的方法，并介紹底層的驅動程序。
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Flash 嵌入式 MCU 存儲器 NAND 寄存器 201312
- 全球整合式芯片解決方案的領導廠商美滿電子科技(Marvell，納斯達克代碼：MRVL)日前宣布，其完備的整合式芯片與軟件定義解決方案組合將繼續加速實現全球消費者和企業的“美滿互聯生活(Connected Lifestyle)”。當前，Marvell擁有豐富的端到端存儲、網絡、計算、移動和聯網解決方案，在行業中占據著獨一無二的領導地位。
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Marvell 固態硬盤 NAND
- 與多年前相比，現在的移動消費電子裝置結構復雜，功能豐富，能夠存儲大量音樂、照片和視頻內容。讓人欣慰的是，存儲...
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NAND 移動設備 大容量存儲
- 市調機構集邦科技預期，第4季儲存型快閃存儲器(NANDFlash)供過于求情況可望趨緩，10月合約價看漲。
集邦科技表示，海力士(Hynix)中國大陸無錫廠發生火災意外，不僅帶動動態隨機存取存儲器(DRAM)價格飆漲，同時激勵9月NANDFlash合約價上漲3%至6%。
集邦科技指出，盡管NANDFlash市場銷售并無好轉跡象，不過，海力士無錫廠復工情況依然混沌不明，NANDFlash供給將連帶受到影響，預期第4季NANDFlash市場供過于求情況可望趨緩。
集邦預期，近期1至2個月
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快閃存儲器 NAND
- 因其小尺寸、低等效串聯電阻（ESR）、低成本、高可靠性和高紋波電流能力，多層陶瓷（MLC）電容器在電源電子產品中變得 ...
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電源 MLC 電容器
- 燒寫前提：已經把FS2410開發板的S3C2410_BIOS.bin通過JTAG燒到了NOR里面了，這樣我們從NOR啟動才可以使用US...
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DNW USB uboot nand
mlc nand介紹
MLC NAND
目錄
1定義
2MLC芯片特點
3與SLC對比
1定義
MLC 全稱為Multi-Level Cell，多層單元閃存，MLC通過使用大量的電壓等級，每一個單元儲存兩位數據，數據密度比較高。
一般廠家宣稱可以保證得擦除次數是3，000次 。這一點與SLC得100，000的擦除次數有不小的差異。
2MLC芯片特點
1、傳輸速率 [
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