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MOS管被靜電擊穿的原因分析
- MOS管一個ESD敏感器件,它本身的輸入電阻很高，而柵-源極間電容又非常小，所以極易受外界電磁場或靜電的感應而帶電,又因在靜電較強的場合難于泄放電荷，容易引起靜電擊穿。 靜電擊穿有兩種方式; 一是電壓型，即柵極的薄氧化層發生擊穿，形成針孔，使柵極和源極間短路，或者使柵極和漏極間短路; 二是功率型，即金屬化薄膜鋁條被熔斷，造成柵極開路或者是源極開路。 現在的mos管沒有那么容易被擊穿，尤其是是大功率的vmos,主要是不少都有二極管保護。vmos柵極電容大，感應不出高壓。若是碰上3
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教你如何合理選擇MOS管，四大要領要記住
- 怎么選擇MOS管是新手工程師們經常遇到的問題，了解了MOS管的選取法則，那么工程師們選擇的時候就可以通過這些法則去選取所要的MOS管了，從而讓整個電路工作能順利進行下去。不會因為MOS管的不合適而影響后面的各項工作和事宜。下面總結出如何正確選取MOS管的四大法則。 法則之一：用N溝道orP溝道 選擇好MOS管器件的第一步是決定采用N溝道還是P溝道MOS管。在典型的功率應用中，當一個MOS管接地，而負載連接到干線電壓上時，該MOS管就構成了低壓側開關。在低壓側開關中，應采用N溝道MOS管，這
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小功率 MOS管 選型手冊(較為全面)
- 絕對要收藏的小功率 MOS管 選型手冊。 KD2300 N-Channel SOT23-3 封裝、電壓20V、內阻28mΩ、電流6A、 可兼容、代用、代換、替換市面上各類型的2300;Si2300，APM2300，CEM2300，STS2300， AP2300，MT2300，ME2300 KD2302 N-Channel SOT23-3 封裝、電壓20V、內阻85mΩ、電流3.2A 可兼容、代用、代換、替換市面上各類型的2302 ;APM2302，SSS2302，ME2302，AP2302，
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關于MOS管的使用掃盲
- 在使用MOS管設計開關電源或者馬達驅動電路的時候，大部分人都會考慮MOS的導通電阻，最大電壓等，最大電流等，也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路也許是可以工作的，但并不是優秀的，作為正式的產品設計也是不允許的。 下面是我對MOSFET及MOSFET驅動電路基礎的一點總結，其中參考了一些資料，非全部原創。包括MOS管的介紹，特性，驅動以及應用電路。 1，MOS管種類和結構 MOSFET管是FET的一種(另一種是JFET)，可以被制造成增強型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，但實際應
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經驗：MOS管的柵極不能浮空
- 本文介紹了實際使用MOS管的一個小經驗：柵極不能浮空。 MOS管經常用于電路的開關控制，通過改變柵極(gate)的電壓來使漏級(drain)和源級(source)導通或截斷。下面就是一個常見的開關電路。 Vg輸入高時，N管會導通，使得P管的柵極為低，P管的DS導通。 一次發現奇怪的現象，Vg為高阻態時，Vout輸入不定，檢查發現P管的柵極電壓變化不定。仔細檢查發現R2虛焊，從而導致了N管的柵極浮空，把R2焊好，問題解決。 因此，MOS管的柵極不能浮空
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詳細講解MOS管驅動電路
- 簡介：下面是我對MOS及MOS驅動電路基礎的一點總結，其中參考了一些資料，并非原創。包括MOS管的介紹、特性、驅動以及應用電路。 在使用MOS管設計開關電源或者馬達驅動電路的時候，大部分人都會考慮MOS管的導通電阻、最大電壓、最大電流等，也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路也許是可以工作的，但并不是優秀的，作為正式的產品設計也是不允許的。 下面是我對MOS及MOS驅動電路基礎的一點總結，其中參考了一些資料，并非原創。包括MOS管的介紹、特性、驅動以及應用電路。 MOSFET管FET
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mos管介紹
mos管是金屬(metal)—氧化物(oxid)—半導體(semiconductor)場效應晶體管。或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導體。
雙極型晶體管把輸入端電流的微小變化放大后，在輸出端輸出一個大的電流變化。雙極型晶體管的增益就定義為輸出輸入電流之比（beta）。另一種晶體管，叫做場效應管（FET），把輸入電壓的變化轉化為輸出電流的變化。FET的增益等于它的transc [ 查看詳細 ]
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