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jeft 文章 最新資訊

使用Onsemi源開關SiC JFET的反激變換器設計

  • 一、引言Onsemi碳化硅(SiC)JFET是一種高性能、常開啟型(normally-on)JFET晶體管,VDS-max范圍為650V到1700V。提供高開關頻率和低至4毫歐的超低導通電阻RDS (on),所需芯片面積不到其他技術的一半。此外,低柵極電荷(Qg)得以進一步減少導通損耗和開關損耗。SiC JFET專為優化用于電源單元(PSU)和下游高壓DC-DC轉換,以應對未來AI數據中心機架的巨大功率需求。在電動汽車電池斷開單元的應用中,通過使用基于SiC JFET的固態開關來替代多個組件,可提高運行效
  • 關鍵字: Onsemi  JEFT  變換器  

MOS及MOS驅動電路基礎總結

  •   在使用MOS管設計開關電源或者馬達驅動電路的時候,大部分人都會考慮MOS管的導通電阻、最大電壓、最大電流等,也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路也許是可以工作的,但并不是優秀的,作為正式的產品設計也是不允許的。   下面是我對MOS及MOS驅動電路基礎的一點總結,其中參考了一些資料。包括MOS管的介紹、特性、驅動以及應用電路。   MOSFET管FET的一種(另一種是JEFT),可以被制造成增強型或耗盡型,P溝道或N溝道共4種類型,但實際應用的只有增強型的N溝道MOS管和增強型的P溝道MOS管,
  • 關鍵字: MOS管  JEFT  
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