mosfet 文章最新資訊

飛兆單一P溝道具有小體積和低導(dǎo)通阻抗

飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor) 現(xiàn)為手機(jī)和其它超便攜應(yīng)用的設(shè)計(jì)人員提供一款P溝道PowerTrench MOSFET器件，滿足其對(duì)具有出色散熱性能的小尺寸電池或負(fù)載開關(guān)解決方案的需求
關(guān)鍵字：飛兆 MOSFET

電壓高（120VP-P）的功率MOSFET放大器電路及工作原

電路的能功要使放大后的波形與輸入波形相似，放大電路必須采用對(duì)稱電路，而且有源元件的特性要一致。本電路就是波形失真小的放大電路，各級(jí)均為推挽對(duì)稱電路，可以獲得上升邊和下降邊時(shí)間常數(shù)基本相等的脈沖響應(yīng)以及
關(guān)鍵字： MOSFET VP-P 120 電壓

高頻特性得到改善的功率MOSFET放大器電路及其工作

電路的功能用于大功率的MOSFET功率放大器，其轉(zhuǎn)換速度比單級(jí)晶體管快，適合在高頻條件下工作。本電路使用了決定轉(zhuǎn)換速度的激勵(lì)器，而且還在輸出級(jí)采用了MOSFET，使高頻特性得以改善。輸出功率取決于電源電壓和負(fù)載。
關(guān)鍵字： MOSFET 高頻特性放大器電路工作原理

集成MOSFET驅(qū)動(dòng)器的全橋移相控制器-LM5046(五)

摘要：新推出的全橋移相控制器LM5046，全橋變換器的全部功能，LM5046組成的全橋DC／DC基本電路，內(nèi)部等效電路。而其具備28個(gè)PIN腳功能，文中一一有分解說明。
關(guān)鍵詞：全橋移相控制器LM5046；28個(gè)PIN腳功能(上接第1
關(guān)鍵字：控制器 -LM5046 全橋移驅(qū)動(dòng)器 MOSFET 集成

MOSFET的UIS和雪崩能量解析

在功率MOSFET的數(shù)據(jù)表中，通常包括單脈沖雪崩能量EAS，雪崩電流IAR，重復(fù)脈沖雪崩能量EAR等參數(shù)，而許多電子工程師在設(shè)計(jì)電源系統(tǒng)的過程中，很少考慮到這些參數(shù)與電源系統(tǒng)的應(yīng)用有什么樣的聯(lián)系，如何在實(shí)際的應(yīng)用中評(píng)
關(guān)鍵字：解析能量雪崩 UIS MOSFET

功率MOSFET設(shè)計(jì)考量

用作功率開關(guān)的MOSFET
隨著數(shù)十年來器件設(shè)計(jì)的不斷優(yōu)化，功率MOSFET晶體管帶來了新的電路拓?fù)浜碗娫葱实奶嵘９β势骷碾娏黩?qū)動(dòng)變?yōu)殡妷候?qū)動(dòng)，加快了這些產(chǎn)品的市場(chǎng)滲透速度。上世紀(jì)80年代，平面柵極功率MOSFET
關(guān)鍵字：考量設(shè)計(jì) MOSFET 功率

MOSFET高速驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)

隨著電源高效、高功率密度的要求，電源的頻率由原來的工頻，到幾十千赫茲，再到如今幾百千赫茲甚至兆赫茲。電源頻率的要求越來越高。如何選擇合適的MOSFET，如何有效地驅(qū)動(dòng)高速M(fèi)OSFET，提升電源效率是廣大工程師面臨的問題。本文將探討MOSFET的選型以及高速驅(qū)動(dòng)線路設(shè)計(jì)的注意事項(xiàng)。
關(guān)鍵字： MOSFET 電容

包含熱模型的新型MOSFET PSPICE模型

1. 引言　　散熱器在計(jì)算時(shí)會(huì)出現(xiàn)誤差，一般說來主要原因是很難精確地預(yù)先知道功率損耗，每只器件的參數(shù)參差不 ...
關(guān)鍵字：熱模型 MOSFET PSPICE

飛兆和英飛凌進(jìn)一步擴(kuò)展功率MOSFET兼容協(xié)議

全球領(lǐng)先的高性能功率和便攜產(chǎn)品供應(yīng)商飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor)和英飛凌科技(Infineon Technologies)宣布，兩家公司進(jìn)一步擴(kuò)展封裝兼容合作伙伴關(guān)系，擴(kuò)展協(xié)議將包括5x6mm非對(duì)稱結(jié)構(gòu)功率級(jí)雙MOSFET封裝。
關(guān)鍵字：飛兆半導(dǎo)體英飛凌科技 MOSFET

飛兆與英飛凌進(jìn)一步擴(kuò)展功率MOSFET兼容協(xié)議

　　飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor)和英飛凌科技(Infineon Technologies)宣布，兩家公司進(jìn)一步擴(kuò)展封裝兼容合作伙伴關(guān)系，擴(kuò)展協(xié)議將包括5x6mm非對(duì)稱結(jié)構(gòu)功率級(jí)雙MOSFET封裝。　　飛兆半導(dǎo)體PowerTrench非對(duì)稱結(jié)構(gòu)功率級(jí)雙MOSFET模塊是飛兆半導(dǎo)體全面廣泛的先進(jìn)MOSFET產(chǎn)品系列的組成部分，為電源設(shè)計(jì)人員提供了適用于關(guān)鍵任務(wù)的高效信息處理設(shè)計(jì)的全面解決方案。　　這一兼容協(xié)議是兩家公司在2010年達(dá)成的協(xié)議的擴(kuò)展，旨在為客戶保證供
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開關(guān)電源MOSFET漏源極電壓電磁干擾的仿真分析

1引言開關(guān)電源是目前用途非常廣泛的一種電源設(shè)備，然而隨著開關(guān)頻率以及開關(guān)速度的不斷提高，產(chǎn)生的電磁干擾越來越大，由于市場(chǎng)準(zhǔn)入制度的實(shí)施，電磁干擾研究已引起了足夠的重視。干擾源是電磁干擾的三要素之一，是電
關(guān)鍵字：仿真分析干擾電磁 MOSFET 電壓開關(guān)電源

集成MOSFET驅(qū)動(dòng)器的全橋移相控制器-LM5046(三)

摘要：新推出的全橋移相控制器LM51346，全橋變換器的全部功能，LM5046組成的全橋DC／DC基本電路，內(nèi)部等效電路。而其具備28個(gè)PIN腳功能，文中一一有分解說明。
關(guān)鍵詞：全橋移相控制器LM5046：28個(gè)PIN腳功能(上接第
關(guān)鍵字：控制器 -LM5046 全橋移驅(qū)動(dòng)器 MOSFET 集成

大功率電源中MOSFET功率計(jì)算

計(jì)算功率耗散　　要確定一個(gè)MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管是否適于某一特定應(yīng)用，需要對(duì)其功率耗散進(jìn)行計(jì)算。耗散主要包括 ...
關(guān)鍵字：大功率電源中 MOSFET 功率

適用于小功率電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的MOSFET逆變模塊

摘要
　　本文介紹新型的MOSFET逆變模塊，用于驅(qū)動(dòng)風(fēng)扇和水泵中的小型直流無刷電機(jī)。這種功率模塊集成了6個(gè)MOSFET和相應(yīng)的高壓柵極驅(qū)動(dòng)電路 (HVIC)。通過使用專門設(shè)計(jì)的MOSFET和HVIC，該模塊能提供最小的功耗和最佳
關(guān)鍵字： MOSFET 逆變模塊系統(tǒng) 驅(qū)動(dòng) 功率電機(jī) 適用于

計(jì)算大功率電源中MOSFET的功率耗散

中心議題：計(jì)算大功率電源中MOSFET的功率耗散解決方案：重新設(shè)定輸入電壓范圍改變開關(guān)頻率
也許便攜式電源設(shè)計(jì)工程師所面臨的最大挑戰(zhàn)在于向現(xiàn)代高性能CPU供電。最近，CPU供電電流每兩年翻一倍。事實(shí)上
關(guān)鍵字：功率耗散 MOSFET 電源大功率計(jì)算

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mosfet 介紹

　　金屬-氧化層-半導(dǎo)體-場(chǎng)效晶體管，簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一種可以廣泛使用在類比電路與數(shù)位電路的場(chǎng)效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的極性不同，可分為n-type與p-type的MOSFET，通常又稱為NMOSFET與PMOSF [ 查看詳細(xì) ]