- MOSFET因導通內阻低、開關速度快等優點被廣泛應用于開關電源中。MOSFET的驅動常根據電源IC和MOSFET的參數選擇合適的電路。下面一起探討MOSFET用于開關電源的驅動電路?！ ≡谑褂肕OSFET設計開關電源時，大部分人都會考慮MOSFET的導通電阻、最大電壓、最大電流。但很多時候也僅僅考慮了這些因素，這樣的電路也許可以正常工作，但并不是一個好的設計方案。更細致的，MOSFET還應考慮本身寄生的參數。對一個確定的MOSFET，其驅動電路，驅動腳輸出的峰值電流，上升速率等，都會影響MOSFET的
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MOSFET 驅動電路
- 功率放大電路是一種以輸出較大功率為目的的放大電路。因此，要求同時輸出較大的電壓和電流。管子工作在接近極限狀態。一般直接驅動負載，帶載能力要強?！ 」β蔒OSFET是較常使用的一類功率器件?！癕OSFET”是英文MetalOxideSemicoductorFieldEffectTransistor的縮寫，譯成中文是“金屬氧化物半導體場效應管”。它是由金屬、氧化物(SiO2或SiN)及半導體三種材料制成的器件。所謂功率MOSFET(PowerMOSFET)是指它能輸出較大的工作電流(幾安到幾十安)，用于功
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MOSFET 功率放大電路
- 橫跨多重電子應用領域、全球領先的半導體供應商意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST)發布兩款40V汽車級MOSFET。新產品采用意法半導體最新的STripFET? F7制造技術，開關性能優異，能效出色，噪聲輻射極低，耐誤導通能力強。新產品最大輸出電流達到120A，主要目標應用包括高電流的動力總成、車身或底盤和安全系統，同時優異的開關特性使其特別適用于電機驅動裝置，例如電動助力轉向系統(EPS)。
意法半導體的STripFET系列采用DeepGATE?技
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意法半導體 MOSFET
- MOS管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導體(semiconductor)場效應晶體管，或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導體。MOS管的source和drain是可以對調的，他們都是在P型backgate中形成的N型區。在多數情況下，這個兩個區是一樣的，即使兩端對調也不會影響器件的性能。這樣的器件被認為是對稱的。
目前在市場應用方面，排名第一的是消費類電子電源適配器產品。而MOS管的應用領域排名第二的是計算機主板、NB、
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MOS管 MOSFET
- 摘要：文章對主流熱插拔控制策略進行了比較分析，在介紹熱插拔控制器TPS2491功能結構后，以24V電源背板總線數據采集卡為設計實例，詳細介紹了基于TPS2491進行熱插拔保護電路的設計過程，并對設計電路進行了測試驗證，
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TPS2491 熱插拔 保護電路 MOSFET
- 2010年，供應商發布了第一波基于GaN技術的功率半導體。但直到最近，這種產品的可用性依然不高，價格也高昂不下，GaN技術一直在尋找理想的應用空間。隨著時間的推移，這些器件預計將逐步應用到電動汽車、移動設備的快速充電適配器、無線充電和其他系統中，GaN基功率半導體器件正在電源市場上攻城拔寨。
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GaN MOSFET
- 英飛凌科技股份公司發布針對高能效設計和應用的OptiMOS™ 5 150 V產品組合。該產品家族進一步壯大了行業領先的最新一代OptiMOS™ 5功率MOSFET的陣容。新的150 V產品家族專門針對要求低電荷、高功率密度和高耐受性的高性能應用而優化。它是英飛凌面向低壓馬達驅動、通訊電源同步整流和DC/DC Brick同步整流，以及太陽能電源優化器等系統解決方案的重要組成部分之一。
更環保的技術
英飛凌堅持不懈地研發適用于高能效設計的產品，以幫助減少全球二氧化碳排放
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英飛凌 MOSFET
- 東芝公司旗下存儲與電子元器件解決方案公司今日宣布推出適用于智能手機和平板電腦等移動設備中的負載開關的N溝道MOSFET，該產品實現了業界領先的1]低導通電阻。新產品出貨即日啟動。
新產品系列包括30V“SSM6K513NU”和40V“SSM6K514NU”。這些新MOSFET利用東芝最先進的“U-MOS IX-H系列”溝道工藝，實現了業界領先的低導通電阻：“SSM6K513NU”：6.5mOhm以及&
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東芝 MOSFET
- 大家都在談論FinFET——可以說，這是MOSFET自1960年商用化以來晶體管最大的變革。幾乎每個人——除了仍然熱心于全耗盡絕緣體硅薄膜(FDSOI)的人，都認為20 nm節點以后，FinFET將成為SoC的未來。但
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SoC FinFET MOSFET
- 近日在中國深圳，我遇到了一位在一家信息娛樂系統制造商任職的設計師。“您碰巧在設計中用過60V的負載開關嗎?”我問。他說用過，并告訴我他的電路板包含了大約10個30V-60V的小外形晶體管(SOT)-23，漏源導通電阻RDS(ON)通常100mΩ左右。“在這些電路板上，您有遇到過空間受限的問題嗎?”我問。他確實碰到過，于是我向他展示TI新型CSD18541F5 60V FemtoFET MOSFET的技術信息，RDS(ON)不到60m&Omeg
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SOT-23 MOSFET
- 電路的能功要使放大后的波形與輸入波形相似，放大電路必須采用對稱電路，而且有源元件的特性要一致。本電路就是波形失真小的放大電路，各級均為推挽對稱電路，可以獲得上升邊和下降邊時間常數基本相等的脈沖響應以及
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MOSFET VP-P 電壓
- 電路的功能用于大功率的MOSFET功率放大器，其轉換速度比單級晶體管快，適合在高頻條件下工作。本電路使用了決定轉換速度的激勵器，而且還在輸出級采用了MOSFET，使高頻特性得以改善。輸出功率取決于電源電壓和負載。
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MOSFET 高頻特性 放大器電路 工作原理
- 有刷直流電機通過電刷進行換向。以下是關于有刷直流電機的一些關鍵點：典型的轉子(也就是電樞)上有繞組，并且在其末端連有換向器電刷與換向部分連接和斷開，從而將能量傳遞到電樞永磁直流電機的定子(或外部機筒)將有
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MOSFET 光學編碼器 PWM 有刷直流電機驅動器
- 看到這個主題，可能有些工程師會問：多少伏的功率MOSFET，耐壓BVDSS不就是多少伏嗎?這里面還有什么被忽略的內容?細節決定技術，今天研究功率MOSFET數據表中BVDSS所隱藏的一些有意思的細節，來理解這個參數所設定的含義。
數據表中漏源擊穿電壓BVDSS通常定義為漏電流為250uA時漏極到源極的電壓，漏極到源極的漏電流表示為IDSS。數據表中標稱BVDSS電壓是在柵極和源極S短路、25℃的工作溫度、漏極和源極不發生雪崩擊穿時，所能施加的最大的額定電壓，測試的電路如圖1所示。關于雪崩擊穿問題
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MOSFET BVDSS
- Fairchild，現在是安森美半導體的一部分，今天推出了其SuperFET® III系列，用于650V N溝道MOSFET，這是該公司新一代的MOSFET，可滿足最新的通信、服務器、電動車(EV)充電器和太陽能產品的更高功率密度、系統效率和優越的可靠性要求。
SuperFET III MOSFET系列兼具一流可靠性、低EMI、卓越效率和優異熱性能，是高性能應用的理想之選。一流性能之外，該系列還提供了廣泛的封裝選擇，賦予了產品設計者更大的靈活性，特別是對于尺寸受限的設計。
Fair
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Fairchild MOSFET
mosfet介紹
金屬-氧化層-半導體-場效晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一種可以廣泛使用在類比電路與數位電路的場效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的極性不同，可分為n-type與p-type的MOSFET，通常又稱為NMOSFET與PMOSF [
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