mosfet 文章最新資訊

飛兆單一P溝道具有小體積和低導通阻抗

飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor) 現(xiàn)為手機和其它超便攜應用的設計人員提供一款P溝道PowerTrench MOSFET器件，滿足其對具有出色散熱性能的小尺寸電池或負載開關解決方案的需求
關鍵字：飛兆 MOSFET

電壓高（120VP-P）的功率MOSFET放大器電路及工作原

電路的能功要使放大后的波形與輸入波形相似，放大電路必須采用對稱電路，而且有源元件的特性要一致。本電路就是波形失真小的放大電路，各級均為推挽對稱電路，可以獲得上升邊和下降邊時間常數基本相等的脈沖響應以及
關鍵字： MOSFET VP-P 120 電壓

高頻特性得到改善的功率MOSFET放大器電路及其工作

電路的功能用于大功率的MOSFET功率放大器，其轉換速度比單級晶體管快，適合在高頻條件下工作。本電路使用了決定轉換速度的激勵器，而且還在輸出級采用了MOSFET，使高頻特性得以改善。輸出功率取決于電源電壓和負載。
關鍵字： MOSFET 高頻特性放大器電路工作原理

集成MOSFET驅動器的全橋移相控制器-LM5046(五)

摘要：新推出的全橋移相控制器LM5046，全橋變換器的全部功能，LM5046組成的全橋DC／DC基本電路，內部等效電路。而其具備28個PIN腳功能，文中一一有分解說明。
關鍵詞：全橋移相控制器LM5046；28個PIN腳功能(上接第1
關鍵字：控制器 -LM5046 全橋移驅動器 MOSFET 集成

MOSFET的UIS和雪崩能量解析

在功率MOSFET的數據表中，通常包括單脈沖雪崩能量EAS，雪崩電流IAR，重復脈沖雪崩能量EAR等參數，而許多電子工程師在設計電源系統(tǒng)的過程中，很少考慮到這些參數與電源系統(tǒng)的應用有什么樣的聯(lián)系，如何在實際的應用中評
關鍵字：解析能量雪崩 UIS MOSFET

功率MOSFET設計考量

用作功率開關的MOSFET
隨著數十年來器件設計的不斷優(yōu)化，功率MOSFET晶體管帶來了新的電路拓撲和電源效率的提升。功率器件從電流驅動變?yōu)殡妷候寗樱涌炝诉@些產品的市場滲透速度。上世紀80年代，平面柵極功率MOSFET
關鍵字：考量設計 MOSFET 功率

MOSFET高速驅動設計

隨著電源高效、高功率密度的要求，電源的頻率由原來的工頻，到幾十千赫茲，再到如今幾百千赫茲甚至兆赫茲。電源頻率的要求越來越高。如何選擇合適的MOSFET，如何有效地驅動高速MOSFET，提升電源效率是廣大工程師面臨的問題。本文將探討MOSFET的選型以及高速驅動線路設計的注意事項。
關鍵字： MOSFET 電容

包含熱模型的新型MOSFET PSPICE模型

1. 引言　　散熱器在計算時會出現(xiàn)誤差，一般說來主要原因是很難精確地預先知道功率損耗，每只器件的參數參差不 ...
關鍵字：熱模型 MOSFET PSPICE

飛兆和英飛凌進一步擴展功率MOSFET兼容協(xié)議

全球領先的高性能功率和便攜產品供應商飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor)和英飛凌科技(Infineon Technologies)宣布，兩家公司進一步擴展封裝兼容合作伙伴關系，擴展協(xié)議將包括5x6mm非對稱結構功率級雙MOSFET封裝。
關鍵字：飛兆半導體英飛凌科技 MOSFET

飛兆與英飛凌進一步擴展功率MOSFET兼容協(xié)議

　　飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor)和英飛凌科技(Infineon Technologies)宣布，兩家公司進一步擴展封裝兼容合作伙伴關系，擴展協(xié)議將包括5x6mm非對稱結構功率級雙MOSFET封裝。　　飛兆半導體PowerTrench非對稱結構功率級雙MOSFET模塊是飛兆半導體全面廣泛的先進MOSFET產品系列的組成部分，為電源設計人員提供了適用于關鍵任務的高效信息處理設計的全面解決方案。　　這一兼容協(xié)議是兩家公司在2010年達成的協(xié)議的擴展，旨在為客戶保證供
關鍵字：飛兆 MOSFET

開關電源MOSFET漏源極電壓電磁干擾的仿真分析

1引言開關電源是目前用途非常廣泛的一種電源設備，然而隨著開關頻率以及開關速度的不斷提高，產生的電磁干擾越來越大，由于市場準入制度的實施，電磁干擾研究已引起了足夠的重視。干擾源是電磁干擾的三要素之一，是電
關鍵字：仿真分析干擾電磁 MOSFET 電壓開關電源

集成MOSFET驅動器的全橋移相控制器-LM5046(三)

摘要：新推出的全橋移相控制器LM51346，全橋變換器的全部功能，LM5046組成的全橋DC／DC基本電路，內部等效電路。而其具備28個PIN腳功能，文中一一有分解說明。
關鍵詞：全橋移相控制器LM5046：28個PIN腳功能(上接第
關鍵字：控制器 -LM5046 全橋移驅動器 MOSFET 集成

大功率電源中MOSFET功率計算

計算功率耗散　　要確定一個MOSFET場效應管是否適于某一特定應用，需要對其功率耗散進行計算。耗散主要包括 ...
關鍵字：大功率電源中 MOSFET 功率

適用于小功率電機驅動系統(tǒng)的MOSFET逆變模塊

摘要
　　本文介紹新型的MOSFET逆變模塊，用于驅動風扇和水泵中的小型直流無刷電機。這種功率模塊集成了6個MOSFET和相應的高壓柵極驅動電路 (HVIC)。通過使用專門設計的MOSFET和HVIC，該模塊能提供最小的功耗和最佳
關鍵字： MOSFET 逆變模塊系統(tǒng) 驅動功率電機適用于

計算大功率電源中MOSFET的功率耗散

中心議題：計算大功率電源中MOSFET的功率耗散解決方案：重新設定輸入電壓范圍改變開關頻率
也許便攜式電源設計工程師所面臨的最大挑戰(zhàn)在于向現(xiàn)代高性能CPU供電。最近，CPU供電電流每兩年翻一倍。事實上
關鍵字：功率耗散 MOSFET 電源大功率計算

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mosfet介紹

　　金屬-氧化層-半導體-場效晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一種可以廣泛使用在類比電路與數位電路的場效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的極性不同，可分為n-type與p-type的MOSFET，通常又稱為NMOSFET與PMOSF [ 查看詳細 ]