- 在半導體業，有非常多與接口標準、性能規格、功能特性和設計的真實可能性有關聯的假設、術語和誤解。因此，弄清事實很重要。本文將闡明關于NAND閃存的錯誤觀念。 在使用期的性能恒定。 固態硬盤(SSD)寫入數據愈多，特別是隨機數據，而控制器背后需處理的工作就越多。智慧量和您實際的讀取或寫入處理可以為應用于交叉存取后臺管理工作的控制器開創新局。對于在內部存儲器或硬件加速器方面資源較少的廉價控制器，可能會表現差勁，不是導致系統的使用壽命縮短就是性能大幅下降。 隨著PCIe銷售額的增加，SATA逐漸消失不見
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NAND 閃存
- 在半導體業，有非常多與接口標準、性能規格、功能特性和設計的真實可能性有關聯的假設、術語和誤解。因此，弄清事實很重要。本文將闡明關于NAND閃存的錯誤觀念。 在使用期的性能恒定。 固態硬盤(SSD)寫入數據愈多，特別是隨機數據，而控制器背后需處理的工作就越多。智慧量和您實際的讀取或寫入處理可以為應用于交叉存取后臺管理工作的控制器開創新局。對于在內部存儲器或硬件加速器方面資源較少的廉價控制器，可能會表現差勁，不是導致系統的使用壽命縮短就是性能大幅下降。 隨著PCIe銷售額的增加，SATA逐漸消失不見
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NAND UFS
- 近日國際半導體產業協會SEMI公布了最新的中國集成電路產業生態系統報告，報告顯示，中國前端晶圓廠產能今年將增長至全球半導體晶圓廠產能的16%，到2020年，這一份額將增加到20%。受跨國公司和國內公司存儲和代工項目的推動，中國將在2020年的晶圓廠投資將以超過200億美元的支出，超越世界其他地區，占據首位。 2014年中國成立大基金以來，促進了中國集成電路供應鏈的迅速增長，目前已成為全球半導體進口最大的國家市場。SEMI指出，目前中國正在進行或計劃開展25個新的晶圓廠建設項目，代工廠、DRAM和3D
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晶圓 DRAM 3D NAND
- 內存價格從2016年起一路上揚，但自2018下半年起，由于各廠商產能陸續開出，因此資策會MIC預測內存價格將于開始下滑。 資策會MIC資深產業顧問洪春暉表示，2018年的半導體市場概況是近5年來難得的樂觀，盡管2018年內存價格成長空間有限，但NAND Flash需求仍然持續增加。 因此，預估2018年全球半導體市場規模將成長10.1%，其中最大的原因是各應用終端內存需求持續增加，以及車用電子等新興應用帶動。 洪春暉進一步指出，內存受惠于市場價格上揚，2018年全年臺灣內存產業產值將成長25%，產
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內存 NAND
- 由于持續受益于存儲器芯片熱潮，韓國三星電子(Samsung Electronics)今年第二季仍穩坐半導體銷售龍頭地位，再度超越其競爭對手——英特爾(Intel)。 根據市場研究機構IHS Markit的統計，三星在今年第二季全球芯片市場占15.9%，英特爾約占7.9%。然而，隨著NAND快閃存儲器(flash)市場顯著降溫，英特爾已自本季開始縮小與三星的差距，其季成長較三星更高3%。 以半導體銷售額來看，三星在第二季的銷售額為192億美元，較第一季成長3.4%，并較2017年第二季成長了33.7
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三星 NAND 英特爾
- 1. 引言 NAND FLASH被廣泛應用于電子系統中作為數據存儲。在各種高端電子系統中現場可編程門陣列(FPGA)已被廣泛應用。FPGA靈活的硬件邏輯能實現對NAND FLASH的讀寫操作。本文中闡述了一種基于NIOS II 軟核的NAND FLASH的驅動方法。 2. VDNF2T16VP193EE4V25簡介 歐比特公司的VDNF2T16VP193EE4V25是一款容量為2Tb、位寬為16位的NAND FLASH，其內部由8片基片拓撲而成，其拓撲結構如下： 其主要特性如下： ? 總容量
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NAND NIOS II FPGA
- 8月20日，研究機構ICInsights發布了2018年上半年全球半導體供應商Top15榜單，三星位居第一位，英特爾位居第二位。不過遺憾的是，中國大陸暫時沒有公司進入這個榜單的前15名。 根據發布的數據顯示，三星、英特爾、SK海力士、臺積電、鎂光排名榜單的前五位，相較于去年同期，這幾家公司都有比較明顯的增長，特別是三星、SK海力士以及鎂光，分列六至十五位的分別是博通、高通、東芝\東芝內存、德州儀器、英偉達、西數\閃迪、英飛凌、恩智浦、意法半導體和聯發科。這里，英偉達數據最為搶眼，相較于去年同期，英偉
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DRAM NAND
- 什么是閃存?了解閃存最好的方式就是從它的ldquo;出生rdquo;它的ldquo;組成rdquo;均研究的透徹底底的。閃存的存儲單元為三端器件，與場效應管有相同
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Flash存儲器 閃存
- 幾年前突然“大火”的存儲行情，給業界帶來的極大的沖擊。在 PC 市場衰退后本就不多的 DIY 用戶，要么咬牙買高價內存(DRAM)和固態硬盤(SSD)、要么咬牙推遲或干脆直接放棄了裝機升級的計劃。當然，市場也不是沒有好消息。據集邦咨詢(DRAMeXchange)所述，近期閃存降價的趨勢，有望持續到 2019 上半年。 DRAMeXchange 報告稱，2018 年 3~4 季度，NAND 閃存的平均銷售價格，預計將下降 10% 。集邦認為，市場需求較低的情況下所增長的產能，是推動這一趨勢的主要原因。
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閃存 DRAM
- 在最近發布的《麥克萊恩2018年中期報告》(McClean Report 2018)中，IC Insights預測，2018-2022年全球GDP和IC市場相關系數將達到0.95，高于2010-2017年期間的0.88。 IC Insights描述了從2010年到2017年全球GDP增長與IC市場增長之間日益密切的關聯，以及到2022年的最新預測。 如圖所示，在2010-2017年的時間段內，全球GDP增長與IC市場增長的相關系數為0.88，這是一個強勁的數字，因為完全相關為1.0。在此期間之前的3
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DRAM NAND
- NAND閃存價格2018年以來一直在降低，大家也應該注意到了今年發布的智能手機閃存容量也越來越大了，中高端機中64GB是起步，128GB已經是主流了。NAND閃存降價的趨勢在下半年還會繼續，因為智能手機出貨量增長放緩，而3D NAND閃存產能持續增加，預計Q3、Q4兩個季度中NAND價格都會下跌10%，不用過這也加速了大容量SSD硬盤的普及，未來2-3內512GB將成為主流之選。 集邦科技旗下的DRAMeXchange日前發布了有關NAND閃存市場下半年趨勢的報告，認為Q3季度雖然是傳統旺季，但是N
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NAND SSD
- 外界普遍認為，中國存儲芯片公司逐步擴大產能，全球內存閃存芯片市場的價格有望出現下降。
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內存 閃存
- 對于關注國產內存、閃存的用戶來說，從明年開始將會有實質性的成果，因為長江存儲、晉華集成電路以及合肥Innotro存儲都將量產。據臺灣電子時報報道稱，2019年，中國大陸地區將有三家存儲芯片廠竣工并投入量產。目前，長江存儲正在準備的第一個訂單是，生產8GB容量的SD存儲卡，訂單規模為一萬套32層3D NAND閃存芯片。 在新產品方面，長江存儲正在研發64層的3D NAND閃存，計劃在2018年年底前推出樣品。 跟長江存儲不同的是，晉華公司和Innotron主要負責DRAM內存芯片的制造。據說前者已經
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存儲 閃存
- 今年下半年，隨著長江存儲、福建晉華、合肥長鑫國內三大存儲廠商相繼進入試產階段，中國存儲產業將迎來發展的關鍵階段。業界認為，國內存儲產業發展初期雖難大舉撼動全球版圖，但或將對全球存儲市場價格走勢造成影響。 而隨著中美貿易局勢的緊張，以及中國監管機構正式啟動對三星、美光、SK海力士等存儲機構的反壟斷調查，中國存儲產業的發展也愈發受到關注。 目前，中國存儲器產業已經形成以投入NAND Flash市場的長江存儲、專注于移動式內存的合肥長鑫，以及致力于利基型內存的福建晉華三大陣營。 近期傳出合肥長鑫投產8
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NAND DRAM
- 據韓國媒體報道稱，三星已經上調了今明兩年在NAND生產上的投資，總計高達150億美元，這主要用于擴大韓國平澤工廠以及中國西安工廠的3D NAND產能。報道中提到，三星如此投資，只是為了提高NAND產量，所以未來SSD的繼續降價是基本沒懸念的事。 全球NAND閃存市場份額中，三星排名第一，占有率達到37%，其一舉一動直接影響整個行業的發展，而此番投資NAND領域以擴大產能，也勢必讓競爭對手采用同樣的策略。 有報道稱，東芝/西數、美光、SK Hynix及Intel都在大舉投資NAND產能，今年底到明年
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三星 NAND
nand 閃存介紹
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