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nand 閃存 文章 最新資訊

我國首批32層三維NAND閃存芯片年內(nèi)將量產(chǎn)

  •   位于武漢“中國光谷”的國家存儲器基地項目芯片生產(chǎn)機臺11日正式進場安裝,這標(biāo)志著國家存儲器基地從廠房建設(shè)階段進入量產(chǎn)準(zhǔn)備階段,我國首批擁有完全自主知識產(chǎn)權(quán)的32層三維NAND閃存芯片將于年內(nèi)量產(chǎn),從而填補我國主流存儲器領(lǐng)域空白。   目前,我國通用存儲器基本全部依賴進口,國家存儲器基地于2017年成功研發(fā)我國首顆32層三維NAND閃存芯片。這顆耗資10億美元、由1000人的團隊歷時2年自主研發(fā)的芯片,是我國在制造工藝上最接近國際高端水平的主流芯片,有望使我國進入全球存儲芯片第
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14張圖看懂半導(dǎo)體工藝演進對DRAM、邏輯器件、NAND的影響

  • DRAM工藝尺寸的縮減正在面臨基本的物理限制,目前還有沒有明確的解決方案,由于印刷需求的推動,DRAM的清洗復(fù)雜度也在增加。
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中國電子信息產(chǎn)業(yè)規(guī)模快速增長 加快邁向中高端

  •   近年來,全球信息技術(shù)創(chuàng)新進入密集發(fā)生期,呈現(xiàn)多方向、寬前沿、集群式等特征,有望引發(fā)產(chǎn)業(yè)格局重大調(diào)整。這有助于我國電子信息產(chǎn)業(yè)打破因核心關(guān)鍵技術(shù)缺失帶來的低端鎖定,加快邁向全球價值鏈中高端,迎來從跟跑到并跑乃至領(lǐng)跑的歷史契機。   工業(yè)和信息化部副部長羅文8日在深圳舉行的全國電子信息行業(yè)工作座談會上透露,2017年我國規(guī)模以上電子信息產(chǎn)業(yè)整體規(guī)模達(dá)18.5萬億元,手機、計算機和彩電產(chǎn)量穩(wěn)居全球第一,在通信設(shè)備、互聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域涌現(xiàn)了一批具有全球競爭力的龍頭企業(yè)。   據(jù)前瞻產(chǎn)業(yè)研究院《電子信息制造業(yè)發(fā)展
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2018年內(nèi)存芯片收入有望實現(xiàn)創(chuàng)紀(jì)錄增長

  •   全球半導(dǎo)體行業(yè)在2017年創(chuàng)下了10年以來的最好成績,年收入比2016年增長了22%,達(dá)到4291億美元。   這是根據(jù)英國分析公司IHS Markit的新統(tǒng)計數(shù)據(jù)得出的,HIS認(rèn)為市場對內(nèi)存芯片處理能力需求的大幅增加歸因于新興應(yīng)用如大數(shù)據(jù)、物聯(lián)網(wǎng)和機器學(xué)習(xí)。   這一需求的增長使得三星電子作為全球領(lǐng)先芯片制造商占據(jù)第一位置,領(lǐng)先于競爭對手英特爾,而英特爾已經(jīng)占據(jù)第一的位置有25年之久。2017年,三星的收入增長了54%。   IHS表示,動態(tài)隨機存取存儲器芯片的銷售總額增長了77%,而閃存芯片
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中美貿(mào)易戰(zhàn),韓國半導(dǎo)體最受傷?

  • 中國已經(jīng)提出,提高從美國進口半導(dǎo)體芯片的比例,取代來自韓國和中國臺灣的產(chǎn)品。
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三星中國西安NAND Flash工廠二期項目動工

  •   在當(dāng)前NandFlash存儲器仍舊供不應(yīng)求,市場價格依舊居高不下的情況下,日前全球NandFlash存儲器龍頭企業(yè)的韓國三星,日前宣布將在本月底正式動工的中國西安NandFlash存儲器廠的擴建計劃,28日正式動工,預(yù)計將在2019年完工啟用。   據(jù)了解,該項總金額高達(dá)70億美元,工程期間達(dá)到3年的擴廠計劃,是三星在2017年的8月間所宣布。目前三星西安廠的第一期產(chǎn)線是在2014年所建置,月產(chǎn)能為12萬片。如今,新的產(chǎn)線動工建置,未來完成之后將可再為三星增加每月20萬片的產(chǎn)能。   只是,該新的
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存儲器/嵌入式存儲器的市場機會 

  • 美光科技嵌入式產(chǎn)品事業(yè)部市場副總裁Kris Baxter在2018年“慕尼黑上海電子展”期間,介紹了美光及多家行業(yè)分析師對存儲器尤其是嵌入式存儲器市場的預(yù)測,重點是DRAM和NAND在汽車和工業(yè)領(lǐng)域的趨勢。
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三星閃存工廠突發(fā)停電30分鐘:6000片晶圓報廢

  •   閃存產(chǎn)品正走在發(fā)展的快車道上,智能手機、自動駕駛汽車、數(shù)據(jù)中心等需求廣闊,極大推進了發(fā)展。不過,Digitimes 3月14日發(fā)回報道,3月9日,三星位于Pyeongtaek(平澤市)的閃存工廠出現(xiàn)停電事故,TechNews預(yù)計損失相當(dāng)于3月份的全球供應(yīng)的3.5%。   雖然停電僅持續(xù)了半小時,但依然損壞了5000~6000片晶圓,是三星3月產(chǎn)量的11%。   三星方面則表示,備用電源(設(shè)計為20分鐘)的有效啟動應(yīng)對了突發(fā)狀況,所以不會對閃存運營造成顯著影響。   據(jù)DRAMeXchange(集
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美光科技宣布推出適用于旗艦級智能手機的尖端移動3D NAND解決方案

  •   美光科技有限公司今日宣布推出三種全新 64 層第二代 3D NAND 存儲產(chǎn)品,這三種產(chǎn)品均支持高速通用閃存存儲 (UFS) 2.1 標(biāo)準(zhǔn)。全新美光移動 3D NAND 產(chǎn)品提供 256GB、128GB 和 64GB 三種容量選擇。  該全新移動解決方案基于美光業(yè)界領(lǐng)先的三級單元 (TLC) 3D NAND 技術(shù),
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東芝閃存業(yè)務(wù)無法在三月底賣出

  •   去年,日本東芝公司和美國貝恩資本領(lǐng)軍的財團達(dá)成協(xié)議,以180億美元變賣寶貴的閃存芯片業(yè)務(wù)。據(jù)外媒最新消息,這一交易無法在預(yù)期的三月底(本財年結(jié)束)獲得通過,但這將是東芝的一個好消息,東芝有望獲得更高的賣價,或選擇上市。   據(jù)彭博社引述消息人士報道,目前中國政府相關(guān)部門正在審核東芝轉(zhuǎn)讓閃存業(yè)務(wù)的交易,目前仍然未批準(zhǔn),另外在三月底之前通過審批的可能性不大。   日本一位科技行業(yè)分析師表示,東芝在三月底之前完成這一交易的可能性非常微小,中國相關(guān)機構(gòu)不太可能執(zhí)行一個有利于東芝公司的時間表。   東芝是
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春節(jié)不停工,武漢國家存儲器基地要在今年實現(xiàn)3D NAND量產(chǎn)?

  •   打造萬億級產(chǎn)業(yè)集群,推動武漢經(jīng)濟高質(zhì)量發(fā)展。春節(jié)闔家團圓之時,仍有大量建設(shè)者、生產(chǎn)者堅守崗位,為城市發(fā)展貢獻(xiàn)“加速度”。過年期間,分布在譽為“黃金大道”的8公里左嶺大道上的多個重大產(chǎn)業(yè)項目上,有超過2000多人堅守崗位過大年,光谷“芯片—顯示—智能終端”萬億級產(chǎn)業(yè)集群正在“加速度”中加快鍛造。   在國家存儲器基地,有600多人在建設(shè)工地上忙碌。據(jù)了解,目前,他們正在進行廠內(nèi)潔凈室
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中國閃存廠商與蘋果合作可望在該領(lǐng)域迅速取得成功

  •   據(jù)外媒報道指蘋果正與中國閃存廠商長江存儲商談采用后者生產(chǎn)的NAND flash芯片,后者預(yù)計今年底開始投產(chǎn)NAND flash芯片,剛剛投產(chǎn)就能獲得蘋果這個大客戶的青睞將有助于后者迅速在該領(lǐng)域取得成功。     閃存領(lǐng)域需要新的競爭者   在過去十幾年,在NAND flash領(lǐng)域占據(jù)優(yōu)勢的是三星、東芝等閃存廠商,幾大廠商合計占有全球NAND flash市場份額高達(dá)80%,在這些廠商當(dāng)中,三星以近四成的市場份額占有該市場第一位的市場份額。   過去幾年由于PC從傳統(tǒng)機械硬盤轉(zhuǎn)換為閃
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空氣產(chǎn)品公司將為三星電子西安第二座3D V-NAND芯片廠供氣

  •   全球領(lǐng)先的工業(yè)氣體供應(yīng)商——空氣產(chǎn)品公司 (Air Products,紐約證券交易所代碼:APD) 今天宣布將為三星電子位于西安市的第二座半導(dǎo)體工廠供應(yīng)工業(yè)氣體。  位于西安高新技術(shù)開發(fā)區(qū)的芯片廠是三星電子最大的海外投資項目之一,也是中國最先進的半導(dǎo)體工廠之一。其生產(chǎn)的3D V-NAND閃存芯片廣泛應(yīng)用于嵌入式NAND存儲、固態(tài)硬盤、移動設(shè)備和其它消費電子產(chǎn)品。  空氣產(chǎn)品公司西安工廠自2014年起開始服務(wù)于這一項目,目前運作兩座大型空氣分離裝置、一座氫氣生產(chǎn)裝
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買個32G內(nèi)存的手機為啥只有20幾個G?看完你就懂了

  •   現(xiàn)在市面上存在NAND FLASH和eMMC這兩種的大容量存儲介質(zhì),就是各類移動終端及手機的主要存儲介質(zhì)。兩者有何區(qū)別,存儲芯片的實際大小與標(biāo)稱值又有什么關(guān)系呢?  我們總是在說手機內(nèi)存,那到底是用什么介質(zhì)存儲的呢?99%是用NAND Flash和eMMC這兩種的存儲介質(zhì)。eMMC是近幾年智能手機興起后,為滿足不斷增大的系統(tǒng)文件而誕生的,是NAND Flash的升級版,他的結(jié)構(gòu)如下:        我們接觸到的16G、32G等手機,為何實際
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旺宏2017NOR市占達(dá)30%,稱霸全球

  •   旺宏昨日召開財報會表示,2017年在NOR型快閃存儲器的市占率約30%,為全球霸主。另外,小于75納米制程產(chǎn)品占2017年第四季NOR營收60%,旺宏并預(yù)計NOR型快閃存儲器2018年成長動力將來自于數(shù)據(jù)中心、電信與車用產(chǎn)品等。NOR型快閃存儲器占上季旺宏營收48%為最大產(chǎn)品線。   旺宏電子總經(jīng)理盧志遠(yuǎn)表示,預(yù)期今年高品質(zhì)的NOR型快閃存儲器價格仍穩(wěn)定微揚,旺宏不做低階產(chǎn)品,也仍看好SLC NAND市況,因此對今年營運看法樂觀。   就短期來看,盧志遠(yuǎn)表示,本季整體需求預(yù)估會比去年第四季緩和;雖
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nand 閃存介紹

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