- 近日，長江存儲三期項目正在安裝巨型潔凈廠房設備，項目負責人透露，計劃今年建成投產。湖北省委書記王忠林來到長江存儲三期項目建設現場三期擴產與未來目標長江存儲成立于2016年7月，是我國存儲芯片制造領域的龍頭企業，主要為市場提供3D NAND閃存晶圓及顆粒，嵌入式存儲芯片以及消費級、企業級固態硬盤等產品和解決方案。2021年12月，長江存儲二期科技有限責任公司成立，注冊資本600億元。2025年9月，長存三期（武漢）集成電路有限責任公司成立，注冊資本達207.2億元?——?由長江存儲持股5
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- 存儲器缺貨嚴峻持續擴大，供應鏈傳出，隨著國際存儲器原廠快速傾斜至服務器市場，導致消費性、汽車市場等將首當其沖，國內NAND Flash領導大廠長江存儲傳將被賦予關鍵的維穩大任，優先支持中國特定產業與應用，確保內需供應鏈穩定，以避免發生斷供、企業裁員的惡性沖擊。供應鏈人士也透露，長江存儲已不滿足于僅作為3D NAND的中國領頭羊，近來低調切入DRAM與高帶寬記憶體（HBM）技術領域，日前更已完成LPDDR5工程樣品開發，預計2026年下半啟動的武漢三期新廠，近期已經封頂，并將以DRAM為擴產重心。 隨著在產
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- 全球存儲器市場爆發缺貨潮，NAND閃存大廠長江存儲傳出以「史無前例」的速度擴張產能，原定于2027年量產的武漢新廠已大幅提前，最快將在今（2026）年下半年正式投產。 此舉是否對臺廠旺宏、南亞科、群聯等帶來競爭壓力，后續發展備受市場關注。長江存儲祭彎道超車奇招朝鮮日報英文版《The Chosun Daily》報道，長江存儲武漢三廠于2025年9月動工，原先預估須待2027年才具備正式量產條件。 然而，當地半導體業界人士透露，長江存儲近期已密集下達NAND Flash生產設備采購訂單，并同步進行工廠啟動與產
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- 美光新加坡工廠預計將于 2028 年下半年投產晶圓。
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- 隨著全球人工智能浪潮推動資料中心硬體需求激增，美國，存儲芯片巨頭美光科技（Micron Technology）宣布將在新加坡投入高達240億美元，用于建設一座全新的先進半導體制造工廠，以擴大其NAND Flash的生產能力，預計將于2028年下半年投產。據了解，美光科技此次宣布在新加坡建設的新工廠選址位于美光在兀蘭（Woodlands）現有的制造園區內，240億美元的投資額將在未來10年內分階段完成，預計將新增70萬平方英尺的無塵室（cleanroom）空間，并聚焦NAND Flash芯片的生產。值得一提
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- 中國本土芯片企業芯海科技（Cmsemicon）正式推出其首款非易失性存儲芯片，發布旗下首款閃存產品CMS25Q40A，標志著公司正式且實質性地進軍存儲半導體領域。據報道，該產品是一款容量為4兆位（4Mbit）、低功耗的SPI接口NOR Flash芯片。其存儲陣列由2,048個可編程頁組成，每頁大小為256字節，單次寫入操作最大可編程數據量達256字節。該芯片支持多種擦除模式，具備成本低、功耗低、高速SPI讀寫性能以及斷電后數據可長期保存等優勢，主要面向小容量存儲應用場景，包括嵌入式MCU程序存儲、小型智能
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- 三星今年第一季度對NAND閃存的供應合約價格已上調超過100%，目前客戶已收到通知。據行業知情人士透露，三星去年底已經完成了與主要客戶的供應合同談判，從一月起正式實施新的價格體系。另外，SK海力士也對NAND產品采取了類似的定價策略；存儲芯片大廠SanDisk也計劃在一季度將面向企業級的NAND價格上調100%。目前，三星已著手與客戶就第二季度的NAND價格進行新一輪談判，市場普遍預計價格上漲的勢頭將在第二季度延續。市場研究機構TrendForce的數據顯示，去年第四季度NAND閃存價格漲幅為上一季度的3
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- 周樂/券商中國存儲芯片漲價潮愈演愈烈。據最新消息，三星電子今年第一季度將其NAND閃存的價格提高了一倍多，漲幅遠超市場預期。目前三星電子已經著手與客戶就第二季度的NAND價格進行新一輪談判，市場普遍預計價格上漲的勢頭將在第二季度延續。多家機構分析認為，AI浪潮驅動的“存儲芯片超級周期”正全面到來。花旗預計，2026年動態隨機存取存儲器（DRAM）與閃存產品的平均售價或將分別上漲88%、74%，漲幅高于該行此前預測的53%、44%。價格暴漲1月25日，據韓國《電子時報》報道，今年第一季度，三星電子將NAND
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- 援引市場研究機構Omdia的最新調研成果披露，合計占全球NAND產能60%以上的兩大原廠三星電子和SK海力士，今年將縮減在閃存上的晶圓投片量，這可能會進一步加劇NAND供應的短缺。三星產量從2025年的490萬片縮減至468萬片，SK海力士則同步跟進，產能從2025年的190萬片降至170萬片。在英偉達等公司引領的推理人工智能（AI）領域競爭日益激烈的背景下，作為關鍵組件的NAND閃存供應緊張，增加了包括服務器、個人電腦和移動設備在內的所有領域價格持續上漲的可能性。分析師預測，這將對三星電子和SK海力士的
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- 1 月 20 日消息，基于花旗集團、美國銀行及摩根大通的分析報告，受 RAM 內存和 NAND 閃存組件成本飆升影響，在 iPhone 18 系列售價方面，蘋果雖然會極力維持起步機型的發售價與前代持平，但在高存儲容量版本上，消費者將面臨比以往更大的價格漲幅。Freedom Capital Markets 技術研究主管 Paul Meeks 分析認為，全球科技企業對 AI 算力的狂熱需求，導致內存市場供不應求，這種短缺狀態預計將至少持續兩年。即便蘋果擁有強大的供應鏈議價能力，也難以完全消化這部分上漲的物料清
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- 中國芯片制造商GigaDevice成立于2005年，自稱是全球第二大SPI NOR閃存供應商，于1月13日首次進入香港市場。據EE Times China報道，該公司在IPO中發行了2892萬股H股。此次發行價格為每股162港元，據報道籌集資金高達46.84億港元（約合6億美元）。值得一提的是，新浪引用 chidu.com 強調，GigaDevice既是國內DRAM巨頭CXMT的股東，也是其姊妹公司，兩家公司均由同一位企業家朱怡明創立。正如36Kr之前報道，2022年至2024年間，GigaDevice累
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- 根據TrendForce最新的記憶現貨價格趨勢報告，關于DRAM的現貨價格持續日復一日上漲，盡管交易依然低迷，供應商和交易員囤積庫存，推動主流DDR4 1Gx8 3200MT/s芯片平均價格上漲9.64%。與此同時，在NAND，盡管一些買家采取了觀望態度，現貨交易者對未來價格趨勢持樂觀態度，卻拒絕降價以刺激銷售。詳情如下：DRAM現貨價格：受強勁的合約價格上漲推動，現貨價格連續日漲。然而，由于供應商和交易商不愿釋放庫存，交易量依然受限。主流芯片（即DDR4 1Gx8 3200MT/s）的平均現貨價格已從上
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- 上個月有報道稱，長江存儲（YMTC）已經開始出貨第五代3D TLC NAND閃存，共有294層，以及232個有源層。長江存儲已經成功地將密度提高到行業相同的水平，實現了最高的垂直柵密度，也是現階段商業產品中最高的，使其成為了全球NAND閃存市場的有力競爭者。據TrendForce報道，三星將從第10代V-NAND閃存開始，采用長江存儲的專利混合鍵合技術。三星的目標是在2025年下半年開始量產第10代V-NAND閃存，預計總層數達到420層至430層。此外，傳聞SK海力士也正在與長江存儲進行專利協議的談判。
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- 存儲巨頭在NAND容量擴展上謹慎行事，逐步淘汰MLC（多級單元）等老產品，同時加倍投入先進技術。值得一提的是，在2025年12月舊金山IEDM大會上，SK海力士發布了其尖端的5位NAND閃存，聲稱其讀取速度比傳統PLC（五級單元）快達20×，Blocks & Files報道。據報道，SK海力士的多點小區（MSC）NAND技術將每個3D NAND小區一分為二，提升每個小區的數據容量，同時將電壓狀態數量減少約三分之二。Blocks & Files指出，這一突破展示了SK海力士自2022年起開發
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- 英偉達推出全新推理上下文（Inference Context）內存存儲平臺（ICMSP），通過將推理上下文卸載（Offload）至NVMe SSD的流程標準化，解決KV緩存容量日益緊張的問題。該平臺于 2026 年國際消費電子展（CES 2026）正式發布，致力于將GPU的KV緩存（Key-Value Cache）擴展至基于 NVMe 的存儲設備，并獲得英偉達 NVMe 存儲合作伙伴的支持。此消息一出，引爆的是本就漲到高不可攀的存儲廠商股價，多家存儲廠商和閃存控制器廠商股價直接漲停，閃存極有可能步DRAM
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