一、產品概述中國北京（2025年4月15日）—— 業界領先的半導體器件供應商兆易創新GigaDevice宣布推出GD5F1GM9系列高速QSPI NAND Flash，該系列以其突破性的讀取速度和創新的壞塊管理（BBM）功能，可有效解決傳統SPI NAND Flash響應速度慢、易受壞塊干擾的行業痛點。作為一種巧妙融合了NOR Flash高速讀取優勢與NAND Flash大容量、低成本優勢的新型解決方案，GD5F1GM9系列的面世將為SPI NAND Flash帶來新的發展機遇，成為安防、工業、IoT等快
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兆易創新 GD5F1GM9 QSPI NAND Flash CES 2026
在供應緊張引發全球記憶價格飆升的背景下，另一家主要組件制造商警告即將上調價格。Tom's Hardware和TechPowerUp援引Kingston數據中心SSD業務經理Cameron Crandall的言論指出，NAND價格自2025年1月以來已上漲246%，隨著短缺加劇，未來30天內可能進一步攀升。在報道引用的《The Full Nerd Network》采訪中，Crandall指出，近70%的NAND價格急劇飆升發生在過去60天內。由于NAND約占SSD成本結構的90%，他表示金斯頓幾乎沒
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NAND 存儲
據路透社消息，中國NAND閃存制造商長江存儲已就其被列入“實體清單”一事分別向美國國防部、美國商務部發起了訴訟。12月5日，長江存儲于美國華盛頓聯邦法院對美國防部提起訴訟，要求法官阻止國防部將公司列入所謂“涉軍名單”并撤銷這一認定。長江存儲成立于2016年7月，是國內專注于3D NAND閃存及存儲器解決方案的半導體集成電路廠商，旗下有零售存儲品牌致態。長江存儲以1600億元的估值成功入圍了胡潤研究院最新發布的《2025全球獨角獸榜》，位列中國十大獨角獸第9、全球第21，成為半導體行業估值最高的新晉獨角獸。
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長江存儲 3D NAND 閃存 存儲器
研究人員展示了基于FeFET的三維NAND電池，其通電電壓接近零，每個單元最多可達五位。三星研究人員發布了一份詳細的NAND實驗性架構報告，旨在將該技術最大的功耗之一減少多達96%。這項工作——用于低功耗NAND閃存的鐵電晶體管——由三星先進技術研究院的研究人員完成，發表在《自然》期刊上。 該書描述了一種面向未來3D NAND的鐵電場效應晶體管（FeFET）設計，結合了基于哈夫尼亞的鐵電體和氧化物半導體通道，并引入了近乎零的通電壓作，構成了96%功率降低的基礎。在現代NAND中，每當讀取或編程單元時，貫穿
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NAND 三星 存儲技術 FeFET
三星研究人員發布了一份詳細的NAND實驗性架構報告，旨在將該技術最大的功耗之一減少多達96%。這項工作——用于低功耗NAND閃存的鐵電晶體管——由三星先進技術研究院的研究人員完成，發表在《自然》期刊上。 該書描述了一種面向未來3D NAND的鐵電場效應晶體管（FeFET）設計，結合了基于哈夫尼亞的鐵電體和氧化物半導體通道，并引入了近乎零的通電壓作，構成了96%功率降低的基礎。在現代NAND中，每當讀取或編程單元時，貫穿每條垂直字符串的字線堆棧必須帶有通行電壓。隨著層數增加，開銷也隨之增加，由于層
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三星 鐵電晶體管 低功耗 NAND
如今，邊緣人工智能、汽車、清潔能源和通信等新興市場領域，廣泛采用基于 10 納米及以下制程的系統級芯片（SoC）。先進 SoC 的工作電壓低至 1.2V 甚至更低。若要支持許多 NOR 閃存采用的 1.8V 等高電壓 I/O 結構，會增加 SoC 的芯片面積并提高成本。而具備 1.2V 輸入 / 輸出（VIO）特性的 NOR 閃存器件，既能降低成本，又能減少功耗。傳統外部閃存器件的供電電壓通常為 3.3V 或 1.8V，支持高速讀取、快速編程和快速擦除等高性能操作。若將這些器件與 1.2V SoC 搭配使
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NOR 閃存 節能 VIO
我們先來聊聊磁芯最常見的存儲用途。事實證明，鐵芯和磁性材料用途廣泛，至今仍在電源和模擬電路中用作扼流圈。而這篇文章提出了一個特別的想法：用磁芯實現邏輯功能（圖 1）。盡管這項技術從未進入商業領域，但在技術層面是可行的。1. 磁芯可以實現如上述簡單示例所示的邏輯。接下來，我們看看當時磁芯的使用情況，然后進入現在存儲領域的情況，磁芯最初使用的領域。許多記憶技術已經興起又消失，新的技術不斷涌現。什么是磁芯磁芯是磁性材料，類似于鐵。磁場的方向可以用來存儲一個比特的信息。用于存儲的磁芯被安裝成網格狀，陣列中交錯排列
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磁芯 內存 閃存
在內存供應緊張和價格飆升給行業壓力的情況下，據ETNews和News 1報道，三星開發出了一種NAND閃存技術，能夠降低90%以上的功耗，預計將提升AI數據中心、移動設備及廣泛應用的能效。據報道，11月27日，SAIT（前三星先進技術研究院）宣布將在《自然》雜志上發表其關于新型NAND閃存結構的研究，以顯著提升能源效率。據ETNews報道，三星首次在全球范圍內發現了將氧化物半導體與鐵電結構結合的關鍵機制，從而將功耗降低了多達96%。正如報告所述，傳統NAND閃存存儲數據為注射電子進入每個細胞。因此，為了提
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NAND 閃存 SAIT
ArmorBoot?是?Macronix 的中端安全串行 NOR 閃存，支持安全啟動以及其他安全功能，如片上認證支持（見圖1）。它可以用于為使用不內置這些功能的微控制器或微處理器的設計提供安全服務。標準形態意味著存儲芯片可以整合到現有設計中，以增強安全功能。1.Macronix的ArmorBoot提供安全啟動和認證等安全基礎功能，而高端的ArmorFlash則增加了數據加密和解密等服務。安全啟動是指啟動碼在使用系統啟動前經過驗證。通常通過使用密鑰認證代碼，確保其來源為授權來源且未被修改
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NOR 閃存 存儲芯片
智能電表是現代能源基礎設施的核心，支撐動態定價、實時分析和碳核算功能。其有效性完全依賴持續的數據準確性。數據準確性出現任何問題，電力公司都將面臨監管處罰、計費糾紛和運營效率低下等問題。災難性硬件故障易于察覺和追蹤，但大多數智能電表故障是隱性的。根本原因通常不在于芯片本身，而在于嵌入式軟件如何管理閃存數據，以及如何處理斷電等意外情況。解決這些細微但具有破壞性的故障，需要重新思考嵌入式層面的軟件架構。閃存中的垃圾回收與寫放大閃存不允許直接覆蓋。數據必須先被清除，才能重寫。因此，基于閃存的系統經常產生“陳舊”數
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閃存 嵌入式文件 智能電表
在鞏固其在 HBM 領域的領導地位后，SK 海力士正在與 SanDisk 合作開發高帶寬 NAND 閃存 （HBF），該閃存通過 NAND 增強 HBM，用于 AI 推理工作負載。與此同時，據報道，該公司正在探索更廣泛的內存領域：高帶寬存儲 （HBS）。正如 ETnews 報道的那樣，哈佛商學院將移動 DRAM 和 NAND 相結合，以提高智能手機、平板電腦和其他移動設備的 AI 性能。報告援引消息人士解釋說，SK海力士正在將低功耗寬I/O DRAM與NAND堆疊在一起，以創建HBS，它可以堆疊多達16層
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AI服務器推動儲存需求爆發，傳統硬盤（HDD）持續大缺貨，據悉，交付期限已延長至2年以上，北美及中國云端服務（CSP）大廠「緊急加單」，采購大容量企業級固態硬盤（SSD）。 部分原廠2026年QLC NAND Flash產能也被提前搶購一空，業界預期，最快在2027年，全球QLC位可能超車TLCNAND。AI發展重點轉向推論，依賴高效能及大容量儲存裝置，北美多個數據中心陸續建設落成，CSP大廠迫切需要高容量儲存裝置供應配合，但傳統近線儲存（Nearline Storage）首選的HDD產能受限，無法快速承
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10月8日，復旦大學集成電路與微納電子創新學院周鵬、劉春森團隊在《自然》（Nature）期刊上發表題為《全功能二維-硅基混合架構閃存芯片》（A full-featured 2D flash chip enabled by system integration）論文，率先研發出全球首顆二維-硅基混合架構閃存芯片。復旦大學集成電路與微納電子創新學院、集成芯片與系統全國重點實驗室研究員劉春森和教授周鵬為論文通訊作者，劉春森研究員和博士生江勇波、沈伯僉、袁晟超、曹振遠為論文第一作者。今年4月，周鵬、劉春森團隊研發
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總部位于武漢的長江存儲科技控股有限責任公司（長存集團）召開股份公司成立大會并選舉首屆董事會，此舉或意味著其股份制改革已全面完成。在胡潤研究院最新發布的《2025全球獨角獸榜》中，長江存儲以1600億元估值首次入圍，位列中國十大獨角獸第9、全球第21，成為半導體行業估值最高的新晉獨角獸。根據公開信息，2025年4月，養元飲品子公司泉泓、農銀投資、建信投資、交銀投資、中銀資產、工融金投等15家機構同步參與；7月，長存集團新增股東員工持股平臺 —— 武漢市智芯計劃一號至六號企業管理合伙企業（有限合伙），上述兩筆
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長江存儲 半導體 3D NAND 晶棧 Xtacking
根據SEMI和SEAJ的數據，2025年第二季度全球半導體制造設備支出總計330.7億美元，2025年第二季度的支出較2024年第二季度增長23%。其中，中國大陸的支出最高，為113.6億美元，占總支出的34%。值得注意的是，中國大陸2025年第二季度的支出較2024年第二季度下降了7%。10月7日，美國眾議院“中美戰略競爭特別委員會”兩黨議員在經過數月的調查之后發現，包括荷蘭的阿斯麥（ASML）、日本的東京電子（TEL）以及美國的應用材料公司（Applied Materials）、科磊（KLA）和泛林集
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