- 韓國半導體產業發展風生水起。世界上最大的內存芯片供應商三星電子公司宣布，其在韓國平澤的新建半導體生產線已經開始量產。NAND閃存技術開發商SK海力士公司已經加入了一個同盟，將投標收購日本東芝的內存部門。今天，我們邀請到了韓國真好經濟研究院的李仁喆(音譯：???)先生，與他共同聊一聊韓國半導體產業的未來。首先，我們了解一下7月4日三星電子公司在平澤投產的半導體工廠的意義。
根據IT市場研究公司的數據，第一季度三星電子公司在NAND閃存市場上的份額為35.4%。 這個數字具有絕對優勢，但平澤半導體廠
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半導體 NAND
- 這個時間點我們討論NorFlash行業趨勢與全年景氣度，一方面是Nor廠商二季度業績即將公布，而相關公司一季度業績沒有充分反映行業變化;另一方面是相關標的與行業基本面也出現了變化(如Switch超預期大賣以及兆易創新收到證監會反饋意見等)，同時我們調高AMOLED與TDDINor的需求拉動預期，詳細測算供需缺口，以求對未來趨勢定性、定量研究;
汽車電子與工控拉動行業趨勢反轉TDDI+AMOLED新需求錦上添花
1、汽車與工控拉動2016趨勢反轉
從各方面驗證，2016年是NOR的拐點
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DRAM NAND
- 存儲器解決方案全球領導者東芝存儲器株式會社今日宣布開發出世界首款[1]采用堆疊式結構的BiCS FLASH?三維(3D)閃存[2]。最新的BiCS FLASH?設備是首款采用4位元(四階存儲單元，QLC)技術的閃存設備，該技術使閃存設備的存儲容量較3位元(TLC)設備進一步提高并推動了閃存技術創新?！ 《辔辉獌却嫱ㄟ^管理每個獨立存儲單元中的電子數目來存儲數據。實現QLC技術帶來一系列技術挑戰，在相同電子數目下位元數目每增加一個，需要兩倍于TLC技術的精度。東芝存儲器株式會社利用其先
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東芝 閃存
- 據韓聯社報道，三星電子平澤工廠全球最大規模半導體生產線近日正式投產。三星電子將在該工廠生產第四代64位V-NAND，月產能可達20萬片，并計劃持續擴充生產設備，解決近年來全球半導體市場上供不應求的局面。
據了解，位于韓國京畿道平澤市的三星電子平澤工廠于2015年5月動工建設，日均投入1.2萬名施工人員，耗時兩年多建成全球最大的單一產品生產線。
三星宣布，至2021年為止，要對位于平澤市的NAND型快閃存儲器廠房投入14.4萬億韓圜(約合125.4億美元)，并對華城市新建的半導體生產線投入6
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三星 V-NAND
- 本周，東芝的股東和業界都在等待一個巨大消息：周二或者周三，東芝將和一個美日韓聯合體簽約，正式變賣閃存芯片業務，獲得急需的180億美元。
然而在周三的股東大會上，東芝高管宣布了令人失望的消息。據法新社報道，東芝的“跳票”讓股東感到十分氣憤。
東芝總裁綱川智周三表示，依然無法公布上一財年的財報，另外轉讓閃存業務的談判依然沒有結束。
在轉讓閃存業務方面，東芝已經花費了太多的時間，效率之低下令股東十分不滿。日本權威媒體日經新聞本周曾報道，東芝已經敲定了閃存業務的接手方
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東芝 閃存
- 全球第 2 大 NAND 型快閃存儲器廠東芝(Toshiba)28 日宣布，攜手 SanDisk 研發出全球首款采用堆疊 96 層制程技術的 3D NAND Flash 產品，且已完成試樣。該款產品為 256Gb(32GB)、采用 3bit/cell(TLC：Triple Level Cel)技術的產品，預計于 2017 年下半送樣、2018 年開始進行量產，主要用來搶攻數據中心用 SSD、PC 用 SSD 以及智能手機、平板電腦和存儲卡等市場。
東芝今后也計劃推出采用堆疊 96 層制程技術的
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東芝 NAND
- 2017年JS靠著挖礦顯卡價格大漲賺錢了，只不過這一波顯卡漲價雖然很瘋狂，但是漲幅并不是最高的，內存價格上漲的才是驚人，8GB DDR4內存條現在普遍在400元以上，去年這時候價格才199元呢，當時還覺得貴呢，現在價格翻倍都不止了。目前內存漲價的趨勢還沒有得到抑制，Q1季度PC內存已經大漲36%了，可Q2季度還會繼續上漲10-20%，因為三星、SK Hynix及美光等廠商現在的產能并沒有增加，市場供需還是不平衡。
這一年多了沒升級什么PC硬件了，雖然寫新聞的過程中也知道內存、
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內存 閃存
- 64層堆棧的3D NAND正跨越較平面NAND更具成本效益的門坎，預計將在未來18個月內成為市場主流...
Western Digital(WD)內存技術執行副總裁Siva Sivaram日前指出，64層堆棧的3D NAND正跨越較平面NAND更具成本效益的門坎。
在最近接受《EE Times》的訪問中，Siva Sivaram將64層3D NAND定義為一種「開創性技術」(seminal technology)，可望應用于WD逾50種產品線。 他預計今年WD約有一半的產品線都將采用3D
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NAND 堆棧
- 6月20日消息，據國外媒體報道，東芝預計將在月底決定閃存芯片業務的最終買家，而此前出價最高的由富士康和蘋果等企業組成的競購團，有可能在競購中白忙活一場，因為外媒的消息顯示，東芝更傾向于將閃存芯片業務賣給貝恩資本牽頭的由美國、日本和韓國企業組成的聯合體。
由于美國核電業務減記帶來了巨大的虧損，東芝目前面臨資不抵債的困境，急需資金，東芝因此決定剝離閃存芯片業務并將其出售以換取資金。
目前共有富士康、美國芯片制造商博通、貝恩資本牽頭的三大財團參與東芝閃存芯片業務的競購
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東芝 閃存
- 三星電子 15 日宣布，最新 64 層 256GB V-NAND 閃存已進入量產，與此同時，三星還將擴展包含服務器、PC 與行動裝置的儲存解決方案。
64 層 V-NAND 閃存用稱為第四代 V-NAND 芯片，南韓 ITtimes.com 報導指出，三星為穩固領先優勢，打算于年底把第四代芯片占每月生產比重拉高至五成以上。
其實，三星今年 1 月已先為某關鍵客戶，打造第一顆內含 64 層 V-NAND 芯片的固態硬盤(SSD)，自此之后，三星持續朝行動與消費型儲存市場開發新應用，務求與 I
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三星 NAND
- 鴻海董事長郭臺銘昨(12)日證實，將籌組美、日、臺夢幻團隊，共同競標東芝半導體。 對日本出現擔心鴻?！钢袊蛩亍沟脑u論，郭董炮火全開，左打美系私募基金，右批日本經濟產業省高層，并強調，鴻海如果順利得標，海外市場將優先考慮在美設內存芯片廠。
東芝半導體競標案進入倒數計時，預計本周公布結果。 競標者之一鴻海動作不斷，郭臺銘接連接受日經新聞、路透社專訪。 郭董強調，如果鴻海順利標下東芝半導體事業，希望未來能在海外建立內存工廠，地點將優先考慮美國。
郭臺銘補充，因為美國國內市場需求在當地還沒達到，
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東芝 NAND
- NAND閃存的內部架構:NAND閃存可以分為三種不同架構，即：單層單元SLC 多層單元MLC多位單元MBC。其中，MBC以NROM技術為基礎的NAND閃存架構，由英飛凌與Saifun合作開發，但該項架構技術并不成熟。采SLC架構是在每個Cell中存儲1個bit的信息，以達到其穩定、讀寫速度快等特點，Cell可擦寫次數為10萬次左右。作為SLC架構，其也有很大的缺點，就是面積容量相對比較小，并且由于技術限制，基本上很難再向前發展了。
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MLC 閃存 NAND 英特爾
- 閃存存儲器是嵌入系統中經常使用的非易失性存儲器。在基于FPGA的嵌入系統中，由于FPGA沒有包括閃存，所以閃存始終是外置設備。由于閃存存儲器能夠在斷電后保持數據內容，它經常用于存儲微處理器啟動代碼及其它需要在無電情況下繼續保持的數據。閃存存儲器既適用于并行接口又適用于串行接口。并行閃存設備與串行閃存設備的基本存儲技術是相同的。
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存儲器 閃存 串行接口
- 公司內部派系斗爭問題，又因外部的2008年金融海嘯與2011年福島核災影響日本經濟及東芝業績，造成派系斗爭惡化，及為自保而偽造業績歪風興起，等到2015年事件爆發，發現該廠從2008會計年度(2008/4~2009/3)便有業績灌水的問題，事件逐一發不可收拾。
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東芝 NAND
- NAND Flash控制芯片與模塊廠群聯董事長潘健成日前估計，接下來將面臨史上最缺貨的第3季，而該公司也積極備戰，近日捧著5000多萬美元現金，大舉吃下某大廠釋出的貨源，為下半年建立更多庫存。
群聯在去年初NAND Flash市況尚未大熱時，建立的庫存水位一度超過三億美元，后來市場景氣于去年第3季開始往上，價格走升，也讓該公司因此大賺。
潘健成提到，今年大概只有5月有機會多收貨，所以該公司在前兩個禮拜以現金買了大約5000多萬美元的額外貨源，預計可供第3季使用。
群聯在今年4月時，手
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nand 閃存介紹
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