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nand 閃存 文章 最新資訊

全球IC市場喜憂參半

  • 　　根據(jù)VLSIResearch發(fā)布的報告，該公司預(yù)測2010年度全球IC市場將成長32%，2011年度將成長8%;2010年度設(shè)備市場將成長103%，2011年度將成長10.6%。該公司認為目前的全球IC市場呈現(xiàn)出一些正面與負面的跡象;　
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海力士M8產(chǎn)線將以代工為重心

  • 　　海力士半導(dǎo)體(Hynix)M8產(chǎn)線未來將以代工事業(yè)為重心。據(jù)南韓電子新聞報導(dǎo)，近期海力士以部分IC設(shè)計公司為對象，提出運用清州M8廠的合作方案。采用90奈米以上制程的電源管理半導(dǎo)體、發(fā)光二極管(LED)驅(qū)動芯片、顯示器用驅(qū)動芯片(DDI)、傳感器專門IC設(shè)計等企業(yè)皆為協(xié)商對象。 　　
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應(yīng)用于閃存微控制器的“新閃存”架構(gòu)技術(shù)

  • 應(yīng)用于閃存微控制器的“新閃存”架構(gòu)技術(shù),　　簡介　　嵌入式微控制器越來越多樣化，可以滿足嵌入式系統(tǒng)市場的應(yīng)用需求，而主流已經(jīng)從傳統(tǒng)的掩模ROM微控制器轉(zhuǎn)向了內(nèi)置閃存(可擦寫的非易失性只讀存儲器)的閃存微控制器?！　￠W存微控制器目前有兩種主要應(yīng)用：
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用于SD卡的NAND flash控制芯片的設(shè)計

  • 　　O 引言　　Flash是一種非易失存儲器，它在掉電條件下仍然能夠長期保持?jǐn)?shù)據(jù)。由于它具有容量大、速度快、功耗低、抗震性能好等優(yōu)點，近幾年在U盤、SD卡、SSD硬盤等各種移動存儲設(shè)備中得到了廣泛的應(yīng)用。本文給出了
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未來幾年NAND閃存將面臨過剩隱憂

  • 　　據(jù)iSuppli公司，由于智能手機以及平板電腦的使用量增加，2010年全球NAND閃存營業(yè)收入將達到最高紀(jì)錄。 　　預(yù)計2010年NAND閃存營業(yè)收入將達到187億美元，比去年的135億美元勁增38%，部分利益于智能手機和蘋果iPad等消費電子產(chǎn)品的使用量增加。由于今年下半年和明年供需雙雙增長，2011年NAND閃存市場將繼續(xù)增長，盡管不及今年強勁。iSuppli公司的數(shù)據(jù)顯示，預(yù)計明年NAND閃存市場上升25%至225億美元。 　　
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2011年全球DRAM經(jīng)營慘淡

  • 　　2010年對于全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)而言，可說是值得紀(jì)念的一年，拓墣產(chǎn)業(yè)研究所研究員陳蘭蘭表示，2010年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)年成長率將高達30%，創(chuàng)下10年以來新高紀(jì)錄。然而，受到PC產(chǎn)業(yè)成長趨緩影響，2011年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)僅將成長5%，移動通訊產(chǎn)品反成為支撐整體產(chǎn)業(yè)成長的重要動能。預(yù)估2011年移動通訊用產(chǎn)品占總體半導(dǎo)體比重將從2010年的26%提升至30%，Mobile DRAM和NAND Flash的重要性，也將隨著智能手機等移動通訊產(chǎn)品興起而與日俱增。 　　
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NAND Flash的壞塊管理設(shè)計

  • NAND Flash的壞塊管理設(shè)計,摘要：主要介紹了基于嵌入式Linux的NAND Flash壞塊管理設(shè)計和實現(xiàn)方案，詳細闡述了壞塊映射表的建立、維護及其相關(guān)算法，同時分析了此壞塊算法在Linux內(nèi)核及Bootloader中的具體應(yīng)用。測試結(jié)果表明該算法能夠處理NAND
  • 關(guān)鍵字： 設(shè)計  管理  Flash  NAND  

NAND Flash管理算法的設(shè)計及實現(xiàn)

  • 給出了一款基于8051的高性能、低成本的NAND flash控制芯片的設(shè)計方法，文中集中研究了其中的軟件部分，探討了管理flash物理塊的算法，提出了塊級和頁級兩級地址映射機制以及映射信息在flash的存儲定義，同時還提出了對flash的分區(qū)方法。
  • 關(guān)鍵字： 設(shè)計  實現(xiàn)  算法  管理  Flash  NAND  

DRAM市場價格持續(xù)下跌

  • 　　隨著DRAM和NANDFlash市場價格持續(xù)崩跌，不僅上游DRAM廠營收紛呈現(xiàn)大幅衰退情況，下游存儲器模塊廠亦受到牽累，10月營收亦持續(xù)下滑，其中，威剛10月營收較9月減少達17.1%。威剛表示，預(yù)期11月營收將因為產(chǎn)業(yè)景氣進入淡季，而持續(xù)呈現(xiàn)衰退景況，公司因應(yīng)策略是致力降低庫存水位，將庫存維持在約3~4周水平。 　　
  • 關(guān)鍵字： DRAM  NAND  

DRAM市場價格持續(xù)下跌

  • 　　隨著DRAM和NANDFlash市場價格持續(xù)崩跌，不僅上游DRAM廠營收紛呈現(xiàn)大幅衰退情況，下游存儲器模塊廠亦受到牽累，10月營收亦持續(xù)下滑，其中，威剛10月營收較9月減少達17.1%。威剛表示，預(yù)期11月營收將因為產(chǎn)業(yè)景氣進入淡季，而持續(xù)呈現(xiàn)衰退景況，公司因應(yīng)策略是致力降低庫存水位，將庫存維持在約3~4周水平。 　　
  • 關(guān)鍵字： 三星  DRAM  NAND  

3C大廠合力推動UFS實現(xiàn)NAND應(yīng)用接口標(biāo)準(zhǔn)統(tǒng)一

  • 　　集邦科技旗下研究機構(gòu) DRAMeXchange 指出，JEDEC Task group 中的一些主要成員如：三星 (Samsung)、諾基亞(Nokia)、美光(Micron)、高通(Qualcomm)、英特爾(Intel)、東芝(Toshiba)、晟碟(SanDisk)、德州儀器(TI)、意法半導(dǎo)體(ST)等國際大廠，近期正在積極推動新的 NAND Flash 應(yīng)用接口標(biāo)準(zhǔn) UFS (universal Flash storage)的規(guī)格制定事宜。 　
  • 關(guān)鍵字： 三星  NAND  UFS  

三星半導(dǎo)體16產(chǎn)線將轉(zhuǎn)產(chǎn)閃存

  • 　　三星電子(Samsung Electronics)投入總金額12兆韓元(約108.36億美元)于京畿道華城市增設(shè)的半導(dǎo)體廠，決定將先提供閃存(NANDFlash)量產(chǎn)使用。據(jù)南韓電子新聞報導(dǎo)，三星預(yù)計于2011年初完工的半導(dǎo)體華城廠16產(chǎn)線，將于2011年下半開始優(yōu)先量產(chǎn)閃存。 　　2010年5月在三星會長李健熙的參與下，華城廠16產(chǎn)線正式動工。包含建筑物費用等將階段性投入12兆韓元進行建設(shè)。三星半導(dǎo)體16產(chǎn)線以12吋晶圓為基準(zhǔn)，每月最大產(chǎn)能可達20萬片以上。 　　三星將優(yōu)先在16產(chǎn)線進行閃存生產(chǎn)
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三星半導(dǎo)體16產(chǎn)線將轉(zhuǎn)產(chǎn)閃存

  • 　　三星電子(SamsungElectronics)投入總金額12兆韓元(約108.36億美元)于京畿道華城市增設(shè)的半導(dǎo)體廠，決定將先提供閃存(NANDFlash)量產(chǎn)使用。據(jù)南韓電子新聞報導(dǎo)，三星預(yù)計于2011年初完工的半導(dǎo)體華城廠16產(chǎn)線，將于2011年下半開始優(yōu)先量產(chǎn)閃存。 　　
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固態(tài)硬盤備受關(guān)注

  • 　　DRAMeXchange 最新發(fā)表的研究報告指出，固態(tài)硬盤(SSD)一直以來為各家 NAND Flash 廠商所寄予厚望的產(chǎn)品，主要是固態(tài)硬盤對于 NAND Flash 的使用量來說是一般內(nèi)建式應(yīng)用產(chǎn)品、U盤與記憶卡的數(shù)倍之多，因此對于固態(tài)硬盤對于NAND Flash消耗量來說有很大的幫助。 　　
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nand 閃存介紹

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