- 據國外媒體報道，美國國際貿易委員會(以下簡稱“ITC”)當地時間周四裁定，三星及其客戶沒有侵犯飛索半導體(以下簡稱“飛索”)的兩項芯片專利。
如果三星及其客戶侵犯了飛索的專利，蘋果、RIM等公司的多項產品將被禁止進入美國市場。飛索曾經是NOR閃存領域的領頭羊。
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三星 閃存
- 集邦科技(Trendforce)旗下研究部門DRAMeXchange表示，在Android可望逐漸成熟，市場接受度提高，預期2011年平板計算機出貨量由今年的1500萬臺大增至5000萬臺的規模，可說是平板計算機起飛年，將帶動內建式NAND Flash應用，預估2011年平板計算機占整體NAND Flash的消耗量比重將從今年的5%提升至10%以上。
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- 亞洲最大半導體交易市場Dramexchange分析師西恩·楊15號(周三)表示，東芝旗下一家芯片工廠突發短時電力故障，以致NAND芯片出現停產。該分析師還表示，到2011年1月中旬之前，包括iPad在內等多款產品均在使用的這款NAND閃存芯片價格或將上漲15%。
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- JEDEC 固態技術協會, 微電子產業全球領導標準制定機構日前宣布，將于近期發布下一代閃存存儲器標準 - 。在近期所舉辦的JEDEC委員會上，該標準制定取得的重大進展。該標準旨在成為智能手機與平板電腦等移動電子設備所使用的基于閃存的最先進的存儲規范。UFS標準的開發宗旨是為了滿足不斷提高的設備性能需求。其最初所支持的數據吞吐速率是每秒300兆字節，并支持指令排隊功能，以便提高隨機讀寫速度。該標準預計將在未來3個月內完成。
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- 根據Gartner發布的報告，該公司下調對于明(2011)年度半導體設備市場的預測;原先該公司預期將成長4.9%，現在預期將縮減1%。另外，Gartner原先預估今年成長113%，現在估計可達131%至384億美元。該公司分析家KlausRinnen指出，今年產業創造了有史以來最強勁的成長，不過2011年度的市場將比較疲軟，屆時設備采購主要的重點將在于產能的擴充而不是在技術設備上。他表示由于媒體平板電腦的拉抬，NAND將是記憶體領域中資本投資最多者。
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- 2010年全球半導體市場成長幅度超過30%，這是在歷經過去幾年全球不景氣之后，經濟復蘇所展現出的成果。而據Semico預測，2011年全球半導體銷售額年成長幅度大約小于10%。乍看之下，這比2010年成長率要低得多，它代表壞消息嗎?事實上，這個溫和的成長數據代表著半導體市場正在回歸正常軌道。
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- 基于SPIFI外設的Cortex-M MCU嵌入式閃存選型解決方案,新型恩智浦ARM Cortex-M3微控制器首次采用的SPI閃存接口技術(SPIFI，已申請專利)可以幫助32位嵌入式系統設計人員以小尺寸、低成本的串行閃存替代大尺寸、高成本的并行閃存。利用SPIFI (讀音與spiffy諧音，意為ldquo
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- 美系存儲器大廠美光(Micron)2010年全球NAND Flash市占率大躍進，已擠下海力士(Hynix)坐穩全球三哥寶座，在擴產速度上，美光在2011年也不會缺席，與英特爾(Intel)合資的新加坡廠也將在2011年第2季開始投產，對于三星電子(Samsung Electronics)和東芝(Toshiba)2011年也有擴產計畫，美光表示不擔心供過于求，在產能增加的同時，平板計算機等應用也大幅崛起，預計2011年NAND Flash市場供需可維持健康的狀態。
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- 臺灣長久缺席的快閃存儲器產業終于出現曙光，由于既有NAND Flash技術在20納米制程以下面臨天險，全球大廠紛競逐下世代技術，近期國家納米元件實驗室(NDL)成功在R-RAM(Resistive Random-Access Memory)技術架構下，研發出全球最小的9納米電阻式存儲器，計劃在2011年下半正式成立“16-8納米元件聯盟”，將廣邀存儲器廠及晶圓代工廠加入，首波會先洽談臺系存儲器廠，目標5~10年內將此技術導入量產，讓臺灣正式加入NAND Flash產業戰局。
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- 亞洲最大的半導體交易市場Dramexchange分析師周三表示，由于東芝一家芯片工廠因短時電力故障而停產的影響，到2011年1月中旬之前，NAND閃存芯片的價格可能會上漲15%。
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東芝 NAND
- 華爾街日報(WSJ)報導，東芝(Toshiba)位于四日市(Yokkaichi)的NAND跳電事件恐怕會影響接下來的產能，普遍使用于智能型手機(Smartphone)、平板計算機(TabletPC)及數碼音樂播放器的NAND價格將因此跟漲。
東芝表示，這次的跳電事件可能影響未來2個月的產能，減少20%的產出。東芝與新帝(SanDisk)合資生產，總產出約占市場產能的3分之1，出貨量僅次于排名全球第1的三星電子(SamsungElectronics)。
接下來幾個月，全球的快閃存儲器市場的供
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- 2010年在半導體存儲器業界，各廠商紛紛恢復了在2008年秋季的雷曼事件后處于凍結狀態的大型設備投資。由此，市場上的份額競爭再次變得激烈起來。 2008～2009年導致各廠商收益惡化的價格下跌在2010年上半年僅出現了小幅下跌。然而，進入2010年下半年后，以DRAM為中心、價格呈現出大幅下降的趨勢。2011年很有可能再次進入殘酷的實力消耗戰。技術方面，微細化競爭愈演愈烈，以突破現有存儲器極限為目標的新存儲器的開發也越來越活躍。
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- 正當涉足NAND閃存業務整整一年之際，美光于12月2日新推出一種功能強大且封裝緊密的25nm MLC處理器，這可使美光在當前的閃存市場處于更加有利的地位。
這款命名為ClearNAND的芯片分為標準型和增強型兩個版本，標準版的存儲容量為8GB和32GB， ClearNAND增強版的存儲容量為16GB和64GB。
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- 針對2011年半導體資本支出的趨勢，設備大廠應用材料(Applied Materials)指出，2011年NAND Flash廠資本支出將大幅成長，幅度將勝過DRAM產業，晶圓代工也仍然相當強勁，預估整體半導體設備市場將有持平至5%的成長幅度。
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- 集邦科技發布近日報告稱，明年全球閃存芯片銷售額將達到215億美元，同比上漲16%，但是其平均價格將同比下降35%。
集邦科技稱，新款智能機、平板機的發布以及春節期間的采購將緩解明年一季度閃存市場受到的季節性銷售因素影響。到二季度時，閃存市場的供需就會更加平衡，價格下降幅度不會太大。
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