三星電子宣布已開始出貨32GBmoviNAND，這種高密度嵌入式閃存卡采用了先進的30nm工藝，適用于高端手機和其他移動消費電子設備。32GB moviNAND首次融合了32Gb NAND閃存芯片和30nm制造工藝，其存儲密度是當前40nm16Gb的兩倍。
每一個32GB moviNAND都有三部分組成，其一是八顆30nm32GbNAND閃存芯片;其二是一個MMC控制器，符合最新eMMCv4.3規范，支持縮短啟動時間的加電啟動功能和降低功耗的休眠命令;其三是一個固件，能夠改善處理、存儲大容量數據
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三星 嵌入式 閃存
全球最大的存儲芯片制造商--韓國三星電子公司11日預計，由于全球經濟形勢惡化，2009年對于芯片商而言是艱難的一年。
據道瓊斯新聞網報道，三星電子公司半導體業務總裁權五鉉當天對投資者說，很難預測全球芯片市場何時回暖。他說，隨著企業壓縮信息技術產品開支以及消費者收緊“腰包”，今年以來全球個人電腦和手機市場需求正在持續萎縮。
不過，他指出，今年三星公司的存儲芯片出貨量仍將繼續增加，預計今年該公司DRAM芯片的出貨量最高將增加15%，NAND閃存芯片出貨量最高將增加30%
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三星 NAND 存儲芯片
恒憶半導體(Numonyx)、群聯電子(Phison Electronics Corp.)和海力士(Hynix)今天宣布三家公司簽署一份合作開發協議，三方將按照JEDEC新發布的JEDEC eMMC™ 4.4產業標準，為下一代managed-NAND解決方案開發閃存控制器。 預計此項合作將加快當前業內最先進的eMMC標準的推廣，有助于管理和簡化大容量存儲需求，提高無線設備和嵌入式應用的整個系統級性能。
根據這項協議，恒憶、群聯電子和海力士將利用各自的技術，開發能夠支持各種NAND閃存
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Numonyx NAND 閃存控制器
《華爾街日報》撰文稱，從上周末三星和海力士發布的財報可以看出，內存芯片行業似乎已經觸底，這對整個半導體行業來說是一個積極的信號。
雖然內存芯片行業收入只占全球半導體行業2600億美元總收入的14%，但作為使用廣泛的芯片，其地位類似芯片行業中的日用商品，很難與其他芯片部門區分開來，因此是芯片行業整體表現的主要指標。內存行業下滑開始于2007年初，隨后芯片行業在2008年就開始了全面衰退。
上周五，兩家全球最大的內存芯片商三星電子和海力士都在發布第一季度報告時稱，與芯片有關的虧損低于上年同期。
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海力士 NAND 內存
東芝昨天宣布，于業界首家開始出貨32nm工藝NAND閃存顆粒。其中，全球首顆32nm工藝32Gb(4GB)NAND單芯片樣品即日起出貨，主流容量16Gb(2GB)顆粒樣品將于今年7月推出。東芝表示，首批32nm NAND閃存將主要用于存儲卡和USB存儲設備，未來會擴展到嵌入式產品領域。
目前，東芝是全球領先的32GB閃存供應商，使用8顆43nm工藝32Gb顆粒堆疊而成。而32nm工藝的應用將進一步提高生產效率，減小芯片體積，適應更高容量，更小巧的掌上產品需求。
東芝的32nm工藝32Gb
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東芝 納米 閃存
在面臨破產威脅之際，許多內存供應商為了維護自己的形象，紛紛強調潛在的市場復蘇，試圖向外界描繪出一幅比較樂觀的圖景。但是，雖然預計總體內存芯片價格將在2009年剩余時間內趨于穩定，但iSuppli公司認為，這些廠商不會在近期真正恢復需求與獲利能力。 繼
在面臨破產威脅之際，許多內存供應商為了維護自己的形象，紛紛強調潛在的市場復蘇，試圖向外界描繪出一幅比較樂觀的圖景。但是，雖然預計總體內存芯片價格將在2009年剩余時間內趨于穩定，但iSuppli公司認為，這些廠商不會在近期真正恢復需求與獲利能力。
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NAND 存儲芯片
TDK公司日前宣布開發出兼容串行ATA (SATA) II的NAND閃存控制器芯片GBDriver RS2 系列，并計劃于五月份開始銷售。
TDK新型GBDriver RS2是一款高速SATA控制器芯片，支持有效速率達95MB/S的高速訪問。該產品支持2KB/頁和4KB/頁結構的SLC(單層單元)內存以及MLC(多層單元)NAND閃存，可用于制造容量為128MB至64GB的高速SATA存儲。因而，GBDriver RS2可廣泛用于各種應用領域，從SATADOM1及其他的嵌入式存儲器，到視聽設
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TDK NAND
在面臨破產威脅之際，許多內存供應商為了維護自己的形象，紛紛強調潛在的市場復蘇，試圖向外界描繪出一幅比較樂觀的圖景。但是，雖然預計總體內存芯片價格將在2009年剩余時間內趨于穩定，但iSuppli公司認為，這些廠商不會在近期真正恢復需求與獲利能力。
繼第一季度全球DRAM與NAND閃存營業收入比去年第四季度下降14.3%之后，這些產品市場將在今年剩余時間內增長。第二季度DRAM與NAND閃存營業收入合計將增長3.6%，第三和第四季度分別增長21.9%和17.5%。
圖4所示為iSuppli公
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iSuppli NAND DRAM
針對NAND閃存產業，研究機構集邦科技最新研究報告指出，三星可望穩居今年全球市占率龍頭寶座，而海力士則因大幅減產，市場占有率恐將下滑剩下10%，落居第5名。
集邦科技根據各NAND Flash供貨商目前的制程技術、產能、營運狀況分析指出，三星因擁有較大產能，同時制程持續轉往42納米及3x納米，預期今年市占率 40%以上居冠，日本東芝與美商SanDisk聯盟的產能利用率略降，但制程技術也將轉往 43納米及32納米，預期東芝今年的市場占有率約在30%以上居次。
集邦科技表示，市場占有率第三和第
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海力士 NAND 晶圓
恒憶近日宣布公司正在擴展其主流NOR閃存產品線，其中包括恒憶™ Axcell™ M29F閃存產品。此器件工作電壓為5伏，非常適合汽車和嵌入式應用。該款NOR閃存的密度為16Mb、8 Mb、4 Mb及2 Mb，具有快速存儲執行、靈活及穩定等特性，適合于汽車、軍工、工廠自動化及航天應用。
汽車及嵌入式應用需要高質量、高可靠性及高穩定性的器件供給——有些要求達5年，或甚至更長。然而，大多數存儲器供應商趨于最新更新的技術，這些關鍵產品生產通常會斷斷續續，這
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Numonyx 嵌入式 閃存
4月15日消息 據韓國媒體報道 蘋果最近向韓國三星電子與海力士兩家公司下單，要求供應7000萬顆NAND型閃存芯片，用于生產iPhone和iPod。此次訂單較去年大漲了八成，引發蘋果可能推出新一代iPhone的聯想
韓國時報指出，有可靠的消息來源透露“三星電子被要求供應5000萬顆8Gb的NAND型閃存芯片給蘋果，而海力士也將供應2000萬顆。”
部分分析師認為，蘋果這次大規模訂單，將刺激韓國芯片廠商業績，同時，也有助于全球芯片產業早日復蘇。
分析師還指出，N
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三星 NAND 芯片
由于全球性金融危機，很多公司正經歷前所未有的艱難時期。恒億(Numonyx)2008年5月成立，前身是Intel和ST的內存部門。公司自成立之初，就成為全球三大閃存供應商之一，最大的無線通信MCP(多芯片封裝，可融合多種內存技術)供應商。迄今為止，恒億財務狀況良好，2008年4季度速動比率*達到2以上，在同行中居領先地位。
Edward Doller 恒億CTO兼副總裁
恒億的策略是給客戶提供一套完整的解決方案，包括NOR、NAND、RAM和新一代存儲技術——PCM
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Numonyx MCP 閃存
IBM的技術專家Geoff Burr曾說過，如果數據中心的占地空間象足球場那么大，而且還要配備自己的發電廠的話，那將是每一位首席信息官最害怕的噩夢。然而，如果首席信息官們現在不定好計劃將他們的數據中心遷移到固態技術平臺的話，那么10年以后他們就會陷入那樣的噩夢之中。
這并非危言聳聽，過去的解決方案現在已經顯露出存儲性能和容量不足的現象，這就是最好的證明。以前，如果需要更多的性能或容量，企業只需在數據中心添加更多的傳統硬盤就可以了，而且那樣做也很方便。現在，Geoff Burr在2008年發表的一
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IBM NAND 固態存儲
閃速存儲器(Flash Memory)以其集成度高、制造成本低、使用方便等諸多優點廣泛地應用于辦公設備、通信設備、醫療設備、家用電器等領域。利用其信息非易失性和可以在線更新數據參數特性，可將其作為具有一定靈活性的只
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nand 閃存介紹
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