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FSI國(guó)際宣布將ViPR?全濕法去除技術(shù)擴(kuò)展到NAND存儲(chǔ)器制造
- 美國(guó)明尼阿波利斯(2009年3月24日)——全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造晶圓加工、清洗和表面處理設(shè)備供應(yīng)商FSI國(guó)際有限公司(納斯達(dá)克:FSII)今日宣布:一家主要的存儲(chǔ)器制造商將FSI 帶有獨(dú)特ViPR?全濕法無(wú)灰化清洗技術(shù)的ZETA?清洗系統(tǒng)擴(kuò)展到NAND閃存生產(chǎn)中。許多器件制造商對(duì)采用FSI的ZETA ViPR技術(shù)在自對(duì)準(zhǔn)多晶硅化物形成過(guò)程所帶來(lái)的益處非常了解。該IC制造商就這一機(jī)臺(tái)在先進(jìn)的NAND制造中可免除灰化引發(fā)損害的全濕法光刻膠去除能力進(jìn)行了評(píng)估。客戶
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FSI國(guó)際宣布將ViPR全濕法去除技術(shù)擴(kuò)展到NAND存儲(chǔ)器制造
- 全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造晶圓加工、清洗和表面處理設(shè)備供應(yīng)商FSI國(guó)際有限公司(納斯達(dá)克:FSII)日前宣布:一家主要的存儲(chǔ)器制造商將FSI 帶有獨(dú)特ViPR全濕法無(wú)灰化清洗技術(shù)的ZETA清洗系統(tǒng)擴(kuò)展到NAND閃存生產(chǎn)中。許多器件制造商對(duì)采用FSI的ZETA ViPR技術(shù)在自對(duì)準(zhǔn)多晶硅化物形成過(guò)程所帶來(lái)的益處非常了解。該IC制造商就這一機(jī)臺(tái)在先進(jìn)的NAND制造中可免除灰化引發(fā)損害的全濕法光刻膠去除能力進(jìn)行了評(píng)估。客戶對(duì)制造過(guò)程中無(wú)灰化光刻膠剝離法、實(shí)現(xiàn)用一步工藝替代灰化-清洗兩步工藝的機(jī)臺(tái)能力給予肯定。除了
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恒憶首次登陸北京IIC盛會(huì)
- 2009年3月5日,北京訊,第十四界國(guó)際集成電路研討會(huì)暨展覽會(huì)(IIC-China)作為中國(guó)最具影響力的電子行業(yè)盛會(huì)于3月5日在北京隆重開(kāi)幕。恒憶(Numonyx)的首席技術(shù)官兼副總裁Edward Doller在大會(huì)上發(fā)表了重要主題演講,解讀存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)的不斷演進(jìn)和目前所面臨的挑戰(zhàn),并分享了恒憶在閃存領(lǐng)域的最新技術(shù)突破,以及當(dāng)前在全球經(jīng)濟(jì)危機(jī)下,公司如何保持持續(xù)領(lǐng)先的應(yīng)對(duì)策略。 由于全球性金融危機(jī),2008年對(duì)于很多公司都是不平凡的一年。大浪淘沙,在這種困難時(shí)期,恒憶公司憑借其先進(jìn)的解決方案,
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全球最大閃存芯片商破產(chǎn)中國(guó)區(qū)勉力自保
- ??????? 金融危機(jī)下的消費(fèi)疲軟引致芯片需求減弱、價(jià)格下跌。2009年的春天,對(duì)內(nèi)存廠商來(lái)說(shuō)無(wú)疑是個(gè)嚴(yán)冬。此前,芯片巨頭德國(guó)英飛凌旗下奇夢(mèng)達(dá)公司申請(qǐng)破產(chǎn)保護(hù),引發(fā)內(nèi)存界動(dòng)蕩;緊接著又傳出全球排名前十的芯片廠,中國(guó)臺(tái)灣茂德科技也將倒閉,有消息稱臺(tái)灣當(dāng)局已放棄為茂德科技注資挽救。 ??????? 內(nèi)存業(yè)的悲劇還在繼續(xù)上演。前日,全球最大NOR閃存芯片商美國(guó)飛索公司(
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傳全球頂級(jí)內(nèi)存芯片廠茂德將倒閉
- 2009年1月底,全球第二大DRAM公司,300mm晶圓工業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)者和個(gè)人電腦、服務(wù)器、DRAM市場(chǎng)最大的供應(yīng)商之一奇夢(mèng)達(dá)已經(jīng)宣布倒閉。該公司由總部位于德國(guó)的英飛凌科技在2006年5月分拆而成。 奇夢(mèng)達(dá)的業(yè)務(wù)領(lǐng)域主要集中在DRAM內(nèi)存領(lǐng)域。包括電腦主機(jī)中的DRAM內(nèi)存條,電腦顯示卡的顯存顆粒,消費(fèi)級(jí)DRAM內(nèi)存,移動(dòng)存儲(chǔ)裝置中的高速D
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NOR閃存巨頭Spansion日本子公司申請(qǐng)破產(chǎn)保護(hù)
- 北京時(shí)間2月10日消息,全球最大NOR閃存廠商Spansion的日本子公司周二表示已經(jīng)申請(qǐng)破產(chǎn)保護(hù)。Spansion日本子公司的負(fù)債總額達(dá)到8.1億美元,該公司的破產(chǎn)是今年以來(lái)日本制造業(yè)最大的破產(chǎn)案例。 Spansion是全球最大的NOR閃存廠商,不過(guò)市場(chǎng)普及率更高的是NAND閃存。三星和東芝是NAND的領(lǐng)導(dǎo)廠商。 NOR閃存被用于手機(jī)等領(lǐng)域,這種閃存的數(shù)據(jù)讀取速度要比NAND閃存快一些,不過(guò)它的數(shù)據(jù)寫(xiě)入速度要比NAND慢。 根據(jù)信貸研究機(jī)構(gòu)帝國(guó)征信公司(Teikoku Data B
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三星NAND產(chǎn)業(yè)市場(chǎng)占有率40%
- 市調(diào)機(jī)構(gòu)DRAMeXchange指出,2008年NAND Flash品牌廠商公布去年第四季暨全年?duì)I收排名出爐,SAMSUNG以46億1千4百萬(wàn)美元,市占率為40.4%,蟬聯(lián)第一寶座 觀察2007年與2008年NAND Flash品牌市場(chǎng)變化,2007年品牌廠商全年?duì)I收約為133億6千8百萬(wàn)美元,2008年則為114億1千8百萬(wàn)美元,年?duì)I收下跌14.6%,2008年平均銷(xiāo)售價(jià)格較2007年下跌63%。 Toshiba以全年?duì)I收為32億5百萬(wàn)美元,市占率28.1%排名居次,比2007年的
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SanDisk與索尼聯(lián)合開(kāi)發(fā)TB級(jí)閃存技術(shù)
- 據(jù)存儲(chǔ)在線報(bào)道,在近期的CES展會(huì)上,SanDisk與索尼共同宣布了一項(xiàng)計(jì)劃,雙方打算聯(lián)合開(kāi)發(fā)兩款新型大容量閃存,將閃存容量提升到TB級(jí)以上。 這兩款新產(chǎn)品目前被暫時(shí)定名為"Memory Stick format for Extended High Capacity"和"Memory Stick HG Micro"。其中"Extended High Capacity"格式將擴(kuò)展目前索尼所用的"Memory Stick PRO&
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解密16G MLC NAND閃存表象下的技術(shù)細(xì)節(jié)
- 2006年初,美光科技公司與英特爾公司的合作企業(yè)IMFlashTechnologies公司(IMFT)在市場(chǎng)上閃亮登場(chǎng)。通過(guò)整合I...
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立足嵌入式應(yīng)用 恒憶尋求高利潤(rùn)增長(zhǎng)點(diǎn)
- 走在下行周期上的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)碰上了30年代“大蕭條”后全球最慘烈的經(jīng)濟(jì)危機(jī),猶如雪上加霜。而作為整個(gè)行業(yè)晴雨表的存儲(chǔ)器更是早在去年就表現(xiàn)出了極大的疲軟態(tài)勢(shì)。英特爾和意法半導(dǎo)體剝離閃存事業(yè)部后,聯(lián)合成立的閃存公司恒憶(Numonyx)卻在今年4月掛牌營(yíng)運(yùn),在這樣一個(gè)人人自危的時(shí)候,作為全球最大的閃存公司,恒憶是如何看待閃存市場(chǎng)前景的? 恒憶(亞洲)副總裁兼總經(jīng)理 Rolf-Peter Seibl “存儲(chǔ)器市場(chǎng)的確在一些細(xì)分市場(chǎng)除了先樂(lè)周期性衰退,但是我們相信
- 關(guān)鍵字: 恒憶 閃存 200812
受益東芝海力士減產(chǎn) NAND閃存價(jià)格回穩(wěn)
- 12月25日消息,據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道,NAND Flash12月下旬合約價(jià)出爐,終止先前下跌趨勢(shì),至少都以平盤(pán)以上開(kāi)出,主流規(guī)格晶片漲幅更在16%以上,隨價(jià)格回穩(wěn)走揚(yáng),將有助創(chuàng)見(jiàn)、威剛、群聯(lián)等模組業(yè)者降低庫(kù)存跌價(jià)損失壓力。 業(yè)者指出,這次NAND Flash價(jià)格止跌回穩(wěn),主要是反應(yīng)日本東芝與韓國(guó)海力士減產(chǎn)效益,隨晶片廠對(duì)力保價(jià)格不跌有了堅(jiān)定共識(shí),也意味NAND Flash回穩(wěn)態(tài)勢(shì)已逐步確立。 根據(jù)集邦科技昨日最新報(bào)價(jià),NAND Flash12月下旬合約價(jià)都以平盤(pán)以上開(kāi)出,其中以16Gb主流規(guī)格
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nand 閃存介紹
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