nand flash 文章最新資訊

Flash數據丟失，說好的數據去哪了？

芯片貼板后跑不起來？Flash里面的數據在使用過程中莫名改變或不翼而飛？程序丟失可能無法正常運行，從而造成整個系統崩潰，下面我們來看看是什么原因讓數據異常變化。
關鍵字：電源電壓 Flash MCU

Gartner：2016年全球半導體收入增長2.6%

　　全球領先的信息技術研究和顧問公司Gartner的研究顯示，2016年全球半導體收入總計3,435億美元，較2015年的3,349億美元提升2.6%。在企業并購潮的影響下，前二十五大半導體廠商總收入增加10.5%，表現遠優于整體產業增長率。　　Gartner研究總監James Hines表示：“2016年半導體產業出現回彈。雖然其年初因受到庫存調整的影響而表現疲軟，但下半年需求增強，定價環境得到改善。助力全球半導體收入增長的因素包括多項電子設備部門產量的增加、NAND閃存售價的上揚及相對溫和的
關鍵字：半導體 NAND

物聯網風起我國亟需建設自主存儲

　　“物聯網”是指連接到互聯網的傳感器，通過開放的專用連接、自由共享數據和允許非預期應用程序，以互聯網的方式行事，因此電腦可以了解周圍的世界，成為類似人類的神經系統 ”凱文·阿什頓說(這個術語的發明者)。　　在我們的上一篇文章中，我們考慮了IoT的潛力——也被稱為“一切互聯網” ——在接下來的十年中，將推動NAND銷售，從而使Micron的利潤得以增加。本文將對體系架構及其與內存
關鍵字：物聯網 NAND

東芝出售半導體導致NAND短缺惡化？韓媒：三星最受惠

　　東芝(Toshiba Corp.)決定出售半導體事業，但競標者眾、過程冗長，如此一來，韓國廠商反倒會成為最大受惠者? 　　韓聯社 24 日報導，Shinhan Investment 研究員 Choi Do-yeon 發表研究報告指出，東芝的 3D NAND 快閃存儲器投資計劃勢必將因此延后，這會讓供給短缺更形惡化，也為三星電子(Samsung Electronics Co.)、SK 海力士(SK hynix Inc.)制造更多擴產良機。　　美國硬盤機制造巨擘 Western Digital(WD
關鍵字：東芝 NAND

中國必須建設自主存儲，為什么？

在即將到來的物聯網的世界里，NAND的應用會非常廣泛，作用也會愈發重要，出現的各種裝置和新興應用都會用到NAND。
關鍵字： NAND 長江存儲

東芝是大股東的群聯董事長：東芝芯片會賣給日資

　　東芝半導體事業各路人馬搶親，包括鴻海集團等展現高度意愿，東芝是群聯大股東，對于東芝內存出售案，但長期和東芝半導體合作的群聯董事長潘健成分析，東芝不可能被單一企業或公司買下。他推斷最后結果，將會由日本境內私募基金或現有股東拿下，仍會維持原有東芝控制權，再讓部分策略合作伙伴持有少數股權入股。　　潘健成強調，東芝半導體和早期的爾必達破產不一樣，東芝半導體是東芝最賺錢的事業體，而且東芝的儲存型閃存(NAND Flash)也是日本最引以為傲的技術，引發東芝財務危機的是核電事業，因此切割半導體事業獨立新公司
關鍵字：東芝 NAND

傳三星今年資本支出較去年增長85.6%達219.5億美元

　　三星登上全球半導體龍頭，不惜砸重金投入研發，傳今年資本支出將大幅增加逾 10 兆韓圜。　　新韓投資(Shinhan Investment Corp)日前發布報告預測，三星今年半導體資本支出將擴增至 24.5 兆韓圜(約 219.5 億美元)，較 2016 年成長 85.6%，且將超越 2015 年的 14.7 兆韓圜成為三星史上新高。　　存儲器目前供不應求，也是三星今年布局的重點，預料將占據資本支出的一半左右。據新韓分析師預測，光是 NAND 快閃存儲器，三星就將砸下 12.05 兆韓圜(約
關鍵字：三星 NAND

3D NAND延續摩爾定律電容耦合效應及可靠度仍為技術關鍵

　　DIGITIMES Research觀察，2D NANDFlash制程在物理限制下難度加劇，透過3DNAND Flash制程，無論是效能及儲存容量提升上都有突破性的改善。 3D NAND Flash可謂為摩爾定律在半導體內存領域延伸的一項重要技術。　　3D NAND Flash依存儲元件儲存機制可分浮動閘極(Floating Gate;FG)及電荷缺陷儲存(Charge Trap;CT);依不同堆棧結構技術又可分為BiCS、P-BiCS、TCAT、VG-NAND Flash、DC-SF、S-SCG
關鍵字：摩爾定律 3D NAND

麥格理分析師：DRAM和Flash價格會持續漲到年底

　　據外媒報道，存儲芯片市場上周出現降溫雜音，麥格理分析師Daniel Kim提出反駁。　　他認為下半年DRAM和NAND價格仍會續漲，有利美光、西部數據、三星、南亞科、力成、東芝和SK海力士股價。　　據巴隆周刊(Barron's)報導，Daniel Kim發布報告說：「所有數據和消息都表明存儲芯片市場今年下半年會比預期更強。」他看好存儲芯片價格會持續漲到今年底。　　整體來說，Daniel Kim認為芯片價格上漲，即暴露看空論點的瑕疵。　　他指出，建構數據中心的廠商「重視的是系統的表現而
關鍵字： DRAM Flash

日美“卡脖子” 國產大存儲崛起能否取得成功？

　　小時候并不知道為什么唐僧要取經,取的什么經?后來知道了,唐僧要的是所謂“大乘佛法”,簡單說就是普度眾生,救民于水火。既有這樣的佛法,孫悟空何不多翻幾個筋斗,快快取來就是,為什么非要肉體凡胎的唐僧不辭勞苦、跋山涉水呢?難道上天就沒有好生之德嗎?還要設置各種妖怪來搗亂,豈不是折騰人嗎? 　　上天當然會有好生之德,這沒有什么好懷疑的。至于為什么折騰唐僧,并不是上天要以此為樂,所謂天機不可泄漏,九九八十一難其實就是真經的一部分,對嗎? 　　其實現實生活也是如此。　　前不久,美國
關鍵字：晶圓 NAND

2019量產64層NAND閃存紫光絕不讓員工竊取前公司機密

　　國產手機勢頭越來越強勁，把三星和蘋果虐的夠嗆(主要是指國內市場份額)，但繁榮背后是對核心產業鏈控制的缺失，就比如閃存芯片，這基本上被韓國廠商壟斷了。為了讓國產閃存有更好的發展，不少公司都在努力。挖來臺灣DRAM教父高啟全后，紫光旗下的長江存儲開始全速狂飆。　　近日，高啟全接受媒體采訪時表示，長江存儲將在2019年開始量產64層堆棧的3D NAND閃存，這個消息無疑讓人振奮，而在今年他們還將出樣32層NAND閃存。對于目前行業的現狀，高啟全強調國內公司應該臺灣公司在存儲芯片上應該合作，因為大家的最大
關鍵字：紫光 NAND

紫光2019年要量產64層NAND閃存打破韓企壟斷

　　國產手機勢頭越來越強勁，把三星和蘋果虐的夠嗆(主要是指國內市場份額)，但繁榮背后是對核心產業鏈控制的缺失，就比如閃存芯片，這基本上被韓國廠商壟斷了。為了讓國產閃存有更好的發展，不少公司都在努力。挖來臺灣DRAM教父高啟全后，紫光旗下的長江存儲開始全速狂飆。　　近日，高啟全接受媒體采訪時表示，長江存儲將在2019年開始量產64層堆棧的3D NAND閃存，這個消息無疑讓人振奮，而在今年他們還將出樣32層NAND閃存。　　對于目前行業的現狀，高啟全強調國內公司應該臺灣公司在存儲芯片上應該合作，因為大
關鍵字：紫光 NAND

韓國3D NAND閃存三季度有望占全球一半市場

　　市場調查機構DRAMeXchange近日發布的調查結果顯示，到今年三季度，三星電子、SK海力士等韓企的3D NAND閃存半導體在全球整體NAND閃存市場所占份額有望超過50%。　　閃存是指在斷電情況下仍能存儲數據的半導體，主要用于智能手機等移動終端的周邊裝置。3D NAND在2D NAND的基礎上，增加了回路垂直排列，大大提高了性能和容量。新一代韓產3D NAND將陸續上市，三星電子和美光科技(Micron)等企業于今年二季度起量產64層3D NAND，SK海力士將于三季度在全球最先推出72層的3
關鍵字： NAND SK海力士

新世代內存陸續小量產商品化指日可待

　　內存是半導體的主力產品之一，目前主要由動態隨機存取內存(DRAM)及具備非揮發特性的NAND閃存(Flash)為最重要的兩項產品。不過，由于DRAM必須持續上電才能保存數據，NAND Flash又有讀寫速度較DRAM慢，且讀寫次數相對有限的先天限制，因此內存業者一直試圖發展出新的內存架構，希望能兼具DRAM的速度、耐用度和NAND的非揮發特性　　根據研究機構Tech Insights估計，包含STT-MRAM、FRAM、CBRAM、3D Xpoint等新世代內存，都已陸續進入小量生產階段。不過
關鍵字：內存 NAND

全球3D NAND大軍技術對決下半年產出可望大增

　　2017年將是3D NAND Flash應用市場快速崛起的關鍵年，包括三星電子(Samsung Electronics)、美光(Micron)、東芝(Toshiba)等陸續推出具競爭力的64層3D NAND Flash加入競局，SK海力士(SK Hynix)更一舉跳到72層3D NAND Flash技術以求突圍，由于新舊技術轉換，良率仍不穩定，加上固態硬碟(SSD)需求起飛，造成NAND Flash市場大缺貨，業者預期2017年下半產出可望大增，全面開啟3D NAND Flash時代。　　三星在2
關鍵字：三星 NAND

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nand flash 介紹

　Nand-flash內存是flash內存的-種，其內部采用非線性宏單元模式，為固態大容量內存的實現提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大，改寫速度快，適用于大量數據的存儲，因而在業界得到了越來越廣泛的應用，如嵌入式產品中包括數碼相機、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。　　NAND型閃存以塊為單位進行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區域進行，如果目標區域已經有數 [ 查看詳細 ]