nand flash 文章最新資訊

武漢新芯“3D NAND”項(xiàng)目獲業(yè)內(nèi)權(quán)威專(zhuān)家一致認(rèn)可

武漢東湖新技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)管委會(huì)在武漢組織召開(kāi)了武漢新芯“三維數(shù)據(jù)型閃存(3D NAND Flash)技術(shù)開(kāi)發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”項(xiàng)目可行性專(zhuān)家評(píng)審會(huì)，業(yè)內(nèi)專(zhuān)家對(duì)
關(guān)鍵字： 3D NAND

SK海力士業(yè)務(wù)重整 DRAM、NAND等目標(biāo)并進(jìn)

南韓半導(dǎo)體大廠SK海力士(SK Hynix)將重整業(yè)務(wù)組織，將DRAM、NAND Flash、CMOS影像感測(cè)器(CIS)等三大事業(yè)群分開(kāi)各自營(yíng)運(yùn)，事業(yè)群自行加強(qiáng)競(jìng)爭(zhēng)力，而SK海力士
關(guān)鍵字： SK海力士 DRAM NAND

三星、東芝競(jìng)擴(kuò)產(chǎn)，NAND Flash恐跌三成

全球NAND Flash(儲(chǔ)存型快閃記憶體)供給成長(zhǎng)持續(xù)大于需求，預(yù)估NAND Flash今年底報(bào)價(jià)將較去年跌掉三成，且跌勢(shì)恐將一直延續(xù)至2018年。市調(diào)機(jī)構(gòu)IHS iSuppli最
關(guān)鍵字：三星東芝 NAND Flash

8月NAND合約價(jià) 較上月跌近2成

根據(jù)研調(diào)機(jī)構(gòu)集邦科技旗下存儲(chǔ)器儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange調(diào)查顯示，NAND Flash合約價(jià)在8月上旬下跌6~8%后，8月下旬續(xù)跌5~10%，亦即8月合約價(jià)較7月重跌11~18%
關(guān)鍵字：存儲(chǔ)器 NAND Flash芯片

三星3D垂直NAND閃存量產(chǎn) SSD容量可輕松提升

韓國(guó)三星公司剛剛宣布旗下的最新一代采用3D垂直閃存(V-NAND)的固態(tài)硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器已經(jīng)開(kāi)始進(jìn)行量產(chǎn)。最新的3D垂直閃存與傳統(tǒng)的NAND存儲(chǔ)芯片相比，具有包
關(guān)鍵字： 3D垂直閃存 V-NAND 固態(tài)硬盤(pán)

三星3D V-NAND固態(tài)盤(pán)加速企業(yè)閃存進(jìn)化

三星最新的產(chǎn)品是一種面向企業(yè)級(jí)應(yīng)用、高可靠的固態(tài)盤(pán)存儲(chǔ)--V-NAND固態(tài)盤(pán)。最新用于固態(tài)盤(pán)V-NAND技術(shù)帶來(lái)性能上的提升，節(jié)省電力消耗，并提高了急需
關(guān)鍵字：三星 V-NAND 3D 固態(tài)盤(pán)

SSD容量突破關(guān)鍵：3D存儲(chǔ)芯片大揭秘

現(xiàn)在每一個(gè)閃存廠家都在向3D NAND技術(shù)發(fā)展，我們之前也報(bào)道過(guò)Intel 3D NAND的一些信息。5月14日，Intel Richmax舉辦了一場(chǎng)技術(shù)講解會(huì)3D Nand Technical Workshop，I
關(guān)鍵字： 3D NAND SSD 存儲(chǔ)技術(shù)

IC Insights：NAND與DRAM朝3D發(fā)展

隨著DRAM和NAND技術(shù)持續(xù)邁向更先進(jìn)幾何制程與多層次存儲(chǔ)器的道路，IC Insights密切觀察有關(guān)DRAM和NAND供應(yīng)商的最新動(dòng)態(tài)，期望能提供更清楚的DRAM/NAND發(fā)展
關(guān)鍵字： NAND DRAM

NAND flash和NOR flash的區(qū)別詳解

我們使用的智能手機(jī)除了有一個(gè)可用的空間(如蘋(píng)果8G、16G等)，還有一個(gè)RAM容量，很多人都不是很清楚，為什么需要二個(gè)這樣的芯片做存儲(chǔ)呢，這就是我
關(guān)鍵字： NOR flash Nand flash FlaSh

DSP硬件設(shè)計(jì)需要知道的注意事項(xiàng)

數(shù)字信號(hào)處理芯片(DSP) 具有高性能的CPU(時(shí)鐘性能超過(guò)100MHZ)和高速先進(jìn)外圍設(shè)備，通過(guò)CMOS處理技術(shù)，DSP芯片的功耗越來(lái)越低。這些巨大的進(jìn)步增加了DSP
關(guān)鍵字：硬件設(shè)計(jì) FlaSh DSP

從Flash和SRAM中觸發(fā)中斷的過(guò)程示例

使用LPC2106的Timer 1 進(jìn)行的簡(jiǎn)單的中斷處理。示例代碼中Timer1分為FIQ和IRQ，用戶可以從Flash或者SRAM中運(yùn)行這些代碼。示例展示了ARM構(gòu)架中中斷是如何操作
關(guān)鍵字： Flash SRAM 觸發(fā)中斷

NAND Flash合約價(jià) 恐一路跌到年底

市調(diào)機(jī)構(gòu)集邦科技旗下存儲(chǔ)器儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange調(diào)查顯示，第4季各項(xiàng)NAND Flash終端需求確立旺季不旺，加上廠商庫(kù)存水位依舊偏高，采購(gòu)意愿薄弱，
關(guān)鍵字： NAND Flash

美光：始終專(zhuān)注企業(yè)級(jí)閃存觀望3D NAND

在全球第二大DRAM芯片制造商的密切關(guān)注之下，2D或者說(shuō)平面NAND仍將在3D技術(shù)普及之前繼續(xù)統(tǒng)治存儲(chǔ)領(lǐng)域。作為佐證，美光(Micron)公司有意將這套已出現(xiàn)兩
關(guān)鍵字：美光企業(yè)級(jí)閃存 NAND

如何用SmartPRO 6000糾正NAND Flash燒錄過(guò)程位反轉(zhuǎn)

如何用SmartPRO 6000糾正NAND Flash燒錄過(guò)程位反轉(zhuǎn),關(guān)于使用燒錄器燒錄Nand Flash，一直都是很多用戶頭疼的難點(diǎn)，他們強(qiáng)調(diào)已經(jīng)使用了正確的壞塊管理方案，也制定了規(guī)范的操作流程，但是燒錄的良品率還是無(wú)法提高，只能每天眼睜睜看著一盤(pán)盤(pán)“廢品”被燒錄器篩選出來(lái)!
關(guān)鍵字：燒錄 SmartPRO 6000 Nand Flash

3D NAND競(jìng)爭(zhēng)火熱三星成市場(chǎng)最大贏家

最近隨著SSD采用3D NAND Flash出貨比重越來(lái)越高，許多半導(dǎo)體廠商也開(kāi)始吹起了3D NAND Flash投資熱潮。其中，又以三星電子率先在這場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)中獲益最多，取得領(lǐng)先地位。
關(guān)鍵字： 3D NAND 三星

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nand flash 介紹

　Nand-flash內(nèi)存是flash內(nèi)存的-種，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量?jī)?nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。Nand-flash存儲(chǔ)器具有容量較大，改寫(xiě)速度快，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)，因而在業(yè)界得到了越來(lái)越廣泛的應(yīng)用，如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機(jī)、MP3隨身聽(tīng)記憶卡、體積小巧的U盤(pán)等。　　NAND型閃存以塊為單位進(jìn)行擦除操作。閃存的寫(xiě)入操作必須在空白區(qū)域進(jìn)行，如果目標(biāo)區(qū)域已經(jīng)有數(shù) [ 查看詳細(xì) ]