隨著DRAM和NAND技術持續邁向更先進幾何制程與多層次存儲器的道路，IC Insights密切觀察有關DRAM和NAND供應商的最新動態，期望能提供更清楚的DRAM/NAND發展藍圖。

在 2014年中期，制造 NAND存儲器元件的最先進制程技術采用的是20nm以及更小的特征尺寸，而DRAM采用的制造技術還不到30nm。根據圖1所示的制程技術藍圖顯示，在2017年以前，最小特征尺寸為2D(平面)的NAND Flash將會過渡到10-12nm，而DRAM則將遷移至20nm或更小的 DRAM 。

不過，IC Insights坦承，這樣的發展態勢還無加以定論，因為制造制程節點的定義并不明確，尤其是在企業試圖在競爭中取得某種優勢時，就很容易受到營銷「游戲數字」的影響。

量產NAND Flash和DRAM發展藍圖

為了制造NAND Flash ，2014年時已經加速量產15nm和16nm NAND芯片了。三星(Samsung)是第一家最先量產3D NAND芯片的公司。該公司在2014年5月宣布開始量產采用32層存儲器單元的V-NAND Flash芯片。此外，在2013年，該公司已針對資料中心客戶出貨基于其第一代24層 V-NAND 技術的固態硬盤(SSD)。

從2D到3D NAND存儲器全面轉型的時機，將視3D成為更具成本效益選項之際而定，但這樣的情況將會持續一段時間。甚至當達到成本的交叉點時，2D和3D NAND還可能共存好些年。

目前業界主要的DRAM制造商正以20nm級特征尺寸(20-29nm之間)進行量產制造。

如同NAND Flash 一樣，DRAM技術也正朝向以垂直方向整合電路的趨勢發展。3D DRAM解決方案的例子之一是由HMC聯盟開發的混合存儲器立方(HMC)。HMC聯盟是由美光(Micron)和三星，以及包括Altera、ARM、IBM、Open-Silicon、海力士 (SK Hynix)和賽靈思(Xilinx)等開發商共同組成。