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NOR FLASH火了
- 閃存包括 NOR Flash（或非閃存）和 NAND Flash（與非閃存），其中 NAND Flash 占據閃存市場 95% 以上份額。NOR Flash（或非閃存）憑借獨特的技術特性，在工業、汽車等專業領域占據一席之地。作為非易失閃存的兩大核心技術路徑之一，NOR Flash 歷經數十年發展，在物聯網、汽車電子、AI 服務器等新興場景的驅動下，正從「小眾利基市場」邁向「高成長賽道」。而在這一浪潮中，本土 MCU 企業的布局尤為關鍵。以中微半導為代表的本土企業，正憑借 MC
- 關鍵字： NOR Flash
兆易創新GD5F1GM9系列高速QSPI NAND Flash
- 一、產品概述中國北京（2025年4月15日）—— 業界領先的半導體器件供應商兆易創新GigaDevice宣布推出GD5F1GM9系列高速QSPI NAND Flash，該系列以其突破性的讀取速度和創新的壞塊管理（BBM）功能，可有效解決傳統SPI NAND Flash響應速度慢、易受壞塊干擾的行業痛點。作為一種巧妙融合了NOR Flash高速讀取優勢與NAND Flash大容量、低成本優勢的新型解決方案，GD5F1GM9系列的面世將為SPI NAND Flash帶來新的發展機遇，成為安防、工業、IoT等快
- 關鍵字： 兆易創新 GD5F1GM9 QSPI NAND Flash CES 2026
BiCS FLASH進階時，加速存儲新進化
- AI算力需求爆炸，海量數據頻繁調動，致使存儲行業變得愈發重要。無論是當下的生成式AI，還是即將到來的AI智能體、端側AI，高性能、高密度、高能效存儲解決方案都將作為可靠的硬件基礎，進而解決數據中心、AI訓練推理以及移動設備在數據存儲與訪問的瓶頸問題。在眾多存儲技術發展路徑中，鎧俠BiCS FLASH 3D閃存技術為行業提供了大量支持，也是高性能存儲中，不可缺少的關鍵角色。鎧俠作為閃存技術的發明者，秉承著Bit Cost Scalable Flash的理念，BiCS FLASH在2D NAND遇到容量提升瓶
- 關鍵字： BiCS FLASH 3D閃存 鎧俠
用鎧俠BiCS Flash，為AI算力創造新可能
- AI的計算、數據傳輸與存儲已經成為當下數據中心和服務器端最為關注的問題之一。在有限的空間和成本內如何實現更高的收益，如何讓存儲方案給計算單元提供充足的數據支持，加速數據交換，節省電力和散熱成本都值得探討，其中就包括閃存技術如何扮演起關鍵角色。閃存技術最初被廣泛應用在消費級產品中，旨在縮小存儲方案占用空間、提升性能。隨著閃存技術的不斷升級，這項技術已經從成為消費級產品存儲主力，并緊接著在網絡、云計算的企業級存儲中提供高速的數據存取支持。如今數據存儲正在邁向AI時代，通過大量創新型的存儲方案創造更多可能性。例
- 關鍵字： 鎧俠 BiCS Flash
第二季度NAND收入環比增長22%
- TrendForce集邦咨詢表示，第二季度NAND收入前五大供應商的總收入環比增長22%，達到146.7億美元。三星第二季度收入環比增長 23.8% 至 52 億美元，將三星的市場份額小幅提升至 32.9%。海力士第二季度收入環比增長 52.5%，達到 33.4 億美元，市場份額為 21.1%。鎧俠第二季度營收環比增長11.4%至21.4億美元，環比增長11.4%，排名第三。美光收入環比增長 3.7%，達到 21 億美元，市場份額為 13.3%。SanDisk 的收入環比增長 12.2% 至 19 億美元
- 關鍵字： NAND Flash TrendForce
NAND Flash合約價 Q3看漲10%
- 根據TrendForce預估，第三季NAND Flash價格走勢，預估平均合約價將季增5%至10%，但eMMC、UFS產品，因智慧手機下半年展望不明，漲幅較低。client SSD市場因OEM/ODM上半年去化庫存情況優于預期，增強第三季回補動能。 而Windows 10停止支持、新一代CPU推出引發換機潮，以及DeepSeek一體機熱潮，皆帶動client SSD需求。此外，部分原廠積極推動大容量QLC產品，帶動出貨規模。 綜合以上因素，預估第三季client SSD將季增3%至8%。隨NVIDIA B
- 關鍵字： NAND Flash
如何讓QLC技術成為主流？
- 縱觀整個電子行業，往更高密度的集成電路發展無疑是主流趨勢。相對于邏輯電路追求晶體管密度提升，類似于FLASH NAND這樣的非易失性存儲還需要考慮到電子的穩定保存，單純的提升制造工藝并不能很好的解決所有存儲問題，在穩定保存的前提下追求更高的存儲密度才能確保新技術、新產品可持續發展，存儲單元向上要空間成為順理成章的事情，因此在SLC（Single-Level Cell）之后才有MLC（Multi-Level Cell），TLC（Triple-Level Cell），以及日漸成為主流的QLC（Quad-Lev
- 關鍵字： AI推理 QLC NAND Flash
AI推理應用爆發推升QLC NAND Flash市場需求
- AI推論快速成長，QLC NAND Flash成為企業級儲存解決方案的新寵。 相較于傳統的TLC NAND，QLC具備更高存儲密度與更低成本，適合以讀取為主的AI推論工作負載。 法人分析，臺廠如群聯、威剛、宇瞻等存儲器模組廠，有望從中受惠。根據調研機構預測，2025年QLC NAND產能將達250.48億Gb，占NAND總產能的22.2%，滲透率逐步提升。AI推論服務器主要負責分析以及處理大量數據，而這類應用訪問模式以讀取為主，寫入頻率相對較低，正好契合QLC SSD的特性。QLC NAND有更高存儲密度
- 關鍵字： AI推理 QLC NAND Flash
兆易創新推出GD25NE系列SPI NOR Flash
- 業界領先的半導體器件供應商兆易創新GigaDevice近日宣布推出專為1.2V SoC應用打造的雙電壓供電SPI NOR Flash產品——GD25NE系列。該系列產品無需借助外部升壓電路即可與下一代1.2V SoC實現無縫兼容，此產品的面世將進一步強化兆易創新在雙電壓供電閃存解決方案領域的戰略布局。憑借更高的性能和更低的功耗，GD25NE系列可充分滿足市場對于先進嵌入式存儲解決方案日益增長的需求，成為智能可穿戴設備、醫療健康、物聯網、數據中心及邊緣人工智能應用的理想選擇。GD25NE系列SPI NOR
- 關鍵字： 兆易創新 SPI NOR Flash
NAND Flash市況 有望6月復蘇
- NAND Flash控制芯片廠慧榮科技總經理茍嘉章預期，NAND Flash市況將于6月好轉，下半年表現將優于上半年，甚至不排除供應吃緊的可能性。茍嘉章指出，2025年第一季NAND Flash雖小幅下跌，但供應商已開始堅守價格，避免市場陷入低迷行情。他強調，供應商根據市場狀況自然調節供給，是NAND Flash供需好轉的主因之一，2025年NAND Flash位元供給，估計將增加上看20%。美國商務部對出口至中國大陸的存儲器制造設備實施管制，也將延緩中國大陸廠商在DRAM領域的擴張步伐。盡管中國大陸部分
- 關鍵字： TrendForce 集邦咨詢 NAND Flash
flash介紹
閃存（Flash ROM）：
是一種電擦除非易失型存儲器，由浮柵型場效應管構成，寫入時，利用熱電子注入，使浮柵帶電；擦除時，則利用高壓下的隧道效應，使浮柵失去電子。
FLASH閃存是半導體技術，內部是相對靜態的，體積小，抗震性很高（便于攜帶）。加上半導體技術發展很快，價格下降也很快，這是目前的MP3大多數是用FLASH閃存的原因。
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