AI算力需求爆炸，海量數(shù)據(jù)頻繁調(diào)動，致使存儲行業(yè)變得愈發(fā)重要。無論是當(dāng)下的生成式AI，還是即將到來的AI智能體、端側(cè)AI，高性能、高密度、高能效存儲解決方案都將作為可靠的硬件基礎(chǔ)，進(jìn)而解決數(shù)據(jù)中心、AI訓(xùn)練推理以及移動設(shè)備在數(shù)據(jù)存儲與訪問的瓶頸問題。在眾多存儲技術(shù)發(fā)展路徑中，鎧俠BiCS FLASH 3D閃存技術(shù)為行業(yè)提供了大量支持，也是高性能存儲中，不可缺少的關(guān)鍵角色。

鎧俠作為閃存技術(shù)的發(fā)明者，秉承著Bit Cost Scalable Flash的理念，BiCS FLASH在2D NAND遇到容量提升瓶頸的之后，轉(zhuǎn)而向垂直方向堆疊存儲單元，通過巧妙的交替堆疊板狀電極和絕緣體，一次性垂直打孔穿透存儲層，并在孔內(nèi)填充電荷儲存膜和柱狀電極，從而構(gòu)建了當(dāng)前主流的3D NAND。更重要的是，BiCS FLASH的升級從未停止。

性能與密度兼得

當(dāng)下依然成為主流的第八代BiCS FLASH已經(jīng)應(yīng)用在諸多存儲產(chǎn)品中，從移動端和車載的UFS系列，到消費(fèi)級SSD，再到企業(yè)級和數(shù)據(jù)中心級存儲方案，都能發(fā)現(xiàn)第八代BiCS FLASH的身影。

第八代BiCS FLASH無論在存儲密度、性能都有了顯著提升，特別是2Tb QLC NAND是當(dāng)下業(yè)界內(nèi)最大容量的存儲器。 為了讓第八代BiCS FLASH突破存儲限制，鎧俠通過專有工藝和創(chuàng)新架構(gòu)，實(shí)現(xiàn)了存儲芯片的縱向和橫向縮放平衡，所開發(fā)的CBA（CMOS directly Bonded to Array，外圍電路直接鍵合到存儲陣列）架構(gòu)和3.6Gbps接口速度，給AI應(yīng)用、數(shù)據(jù)中心、移動設(shè)備都提供了更多潛在可能。

CBA架構(gòu)與以往單個晶圓制造CMOS邏輯電路與存儲單元完全不同，而是分成了兩片分別制造，然后再進(jìn)行翻轉(zhuǎn)后貼在一起，從而實(shí)現(xiàn)不同工藝都可以發(fā)揮更大優(yōu)勢，也可以進(jìn)一步壓縮生產(chǎn)時間。由于存儲單元和CMOS邏輯電路都有了可以發(fā)揮的廣闊空間，第八代BiCS FLASH實(shí)現(xiàn)了存儲密度與性能雙向提升，包括寫入性能提高20%，讀取速度提高10%，耗電量減少了30%（寫入時），接口速度達(dá)到了3.6 Gbps，接口速度表現(xiàn)上也優(yōu)于同級別產(chǎn)品。

其中第八代BiCS FLASH QLC打造出了業(yè)界最大容量的2Tb規(guī)格，當(dāng)一個封裝內(nèi)堆疊32個Die的時候，就能做到單個存儲芯片實(shí)現(xiàn)業(yè)界領(lǐng)先的8TB容量，多個存儲芯片結(jié)合，構(gòu)建出256TB的企業(yè)級SSD，如果拋開OP空間，存儲容量仍然可達(dá)245.76TB，鎧俠LC9 245.76TB企業(yè)級SSD就是很好的例子。目前LC9已經(jīng)與部分?jǐn)?shù)據(jù)中心展開合作，進(jìn)一步加速AI數(shù)據(jù)中心高效能部署，同時獲得更低的總體擁有成本（TCO）。

雙軌并行，為AI加碼

在第八代BiCS FLASH成為行業(yè)中流砥柱的同時，第九代BiCS FLASH和第十代BiCS FLASH也將蓄勢待發(fā)。全新的兩代產(chǎn)品實(shí)際上扮演著雙軌并行的策略。

第九代BiCS FLASH專注利用CBA技術(shù)，在現(xiàn)有存儲單元技術(shù)的基礎(chǔ)上，推出成本更具備優(yōu)勢的產(chǎn)品。通過集成最新的CBA技術(shù)和Toggle DDR 6.0接口，第九代BiCS FLASH也實(shí)現(xiàn)了顯著的性能與能效提升，能夠幫助主流企業(yè)級SSD、邊緣計算、AI應(yīng)用提供一套均衡的解決方案。

第十代BiCS FLASH則進(jìn)一步升級存儲陣列堆疊層數(shù)，大幅度提升至332層，同樣采用Toggle DDR6.0接口實(shí)際SCA獨(dú)立命令地址協(xié)議，將NAND接口速度提升至4.8Gbps，以滿足未來AI訓(xùn)練、科學(xué)計算等超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心對存儲帶寬和容量的極致需求，也有助于降低超大容量SSD的制造復(fù)雜度和成本。

此外，鎧俠也在探索如XL-FLASH存儲級內(nèi)存和OCTRAM等新型存儲技術(shù)，為未來的計算架構(gòu)做準(zhǔn)備。

在未來規(guī)劃中，鎧俠繼續(xù)追求更高的存儲密度，與各行業(yè)客戶共同合作，進(jìn)一步降低TCO，提升效能，為接下來邁向更高存儲密度的目標(biāo)奠定堅實(shí)的基礎(chǔ)，為云端與端側(cè)應(yīng)用提供更優(yōu)質(zhì)的存儲解決方案。