- 華爾街日報(WSJ)報導，東芝(Toshiba)位于四日市(Yokkaichi)的NAND跳電事件恐怕會影響接下來的產能，普遍使用于智能型手機(Smartphone)、平板計算機(TabletPC)及數碼音樂播放器的NAND價格將因此跟漲。
東芝表示，這次的跳電事件可能影響未來2個月的產能，減少20%的產出。東芝與新帝(SanDisk)合資生產，總產出約占市場產能的3分之1，出貨量僅次于排名全球第1的三星電子(SamsungElectronics)。
接下來幾個月，全球的快閃存儲器市場的供
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東芝 NAND
- 串行Flash存儲器的編程解決方案,串行Flash存儲器具有體積小、功耗低、管腳少、掉電不丟失數據等諸多優點，在IC卡和便攜式智能檢測儀表中廣泛的應用。本文將介 紹一種通過51系列單片機的串行口與AT45d041芯片通訊的方法，此方法不僅編程簡單，且運行
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解決方案 編程 存儲器 Flash 串行
- 基于 DSP的嵌入式系統通過地址映射方式實現片外FLASH擦寫,1 引言
在DSP系統的設計中，經常要使用片外存儲器擴充系統存儲空間。特別是當DSP的片內數據存儲器和程序存儲器容量比較小時, 必須把一部分數據，如常量、原始數據庫等存儲到片外的存儲器中，從而節省DSP芯片內部
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- 基于Flash構架的模數混合的FPGA在心電監控儀上的應用設計,Fution系列的FPGA是世界上首個基于Flash構架的模數混合的FPGA，即在數字FPGA的基礎上加入了模擬電路部分，解決了傳統模擬電路和FPGA分離給設計帶來的諸多問題，降低了PCB板的制作難度，縮小了產品的體積。FPGA的可編
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- 2010年在半導體存儲器業界，各廠商紛紛恢復了在2008年秋季的雷曼事件后處于凍結狀態的大型設備投資。由此，市場上的份額競爭再次變得激烈起來。 2008～2009年導致各廠商收益惡化的價格下跌在2010年上半年僅出現了小幅下跌。然而，進入2010年下半年后，以DRAM為中心、價格呈現出大幅下降的趨勢。2011年很有可能再次進入殘酷的實力消耗戰。技術方面，微細化競爭愈演愈烈，以突破現有存儲器極限為目標的新存儲器的開發也越來越活躍。
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- Flash的可自編程性（Self-Programmability）是指，用Flash存儲器中的駐留軟件或程序對Flash存儲器進行擦除/編程，但是，要求運行程序代碼的存儲區與待編程的存儲區不在同一模塊中。因此，只有一個片上Flash存儲器模塊
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技術 編程 單片機 Flash
- C6201／C6701 DSP處理器與FLASH存儲器MBM29LV800BA接口技術, DSP是針對實時數字信號處理而設計的數字信號處理器，由于它具有計算速度快、體積小、功耗低的突出優點，非常適合應用于嵌入式實時系統。FLASH存儲器是新型的可電擦除的非易失性只讀存儲器，屬于EEPROM器件，與其它的
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MBM29LV800BA 接口 技術 存儲器 FLASH C6701 DSP 處理器
- 針對2011年半導體資本支出的趨勢，設備大廠應用材料(Applied Materials)指出，2011年NAND Flash廠資本支出將大幅成長，幅度將勝過DRAM產業，晶圓代工也仍然相當強勁，預估整體半導體設備市場將有持平至5%的成長幅度。
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應用材料 NAND
- 集邦科技發布近日報告稱，明年全球閃存芯片銷售額將達到215億美元，同比上漲16%，但是其平均價格將同比下降35%。
集邦科技稱，新款智能機、平板機的發布以及春節期間的采購將緩解明年一季度閃存市場受到的季節性銷售因素影響。到二季度時，閃存市場的供需就會更加平衡，價格下降幅度不會太大。
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NAND 20nm
- 根據Ovum的分析，對於Apple是否要扭轉他對Adobe Flash的禁令，Apple將面臨越來越大的壓力，因為越來越多智慧型手機平臺支援這項技術。
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Apple Flash
- 根據VLSIResearch發布的報告，該公司預測2010年度全球IC市場將成長32%，2011年度將成長8%;2010年度設備市場將成長103%，2011年度將成長10.6%。該公司認為目前的全球IC市場呈現出一些正面與負面的跡象;
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- O 引言 Flash是一種非易失存儲器，它在掉電條件下仍然能夠長期保持數據。由于它具有容量大、速度快、功耗低、抗震性能好等優點，近幾年在U盤、SD卡、SSD硬盤等各種移動存儲設備中得到了廣泛的應用。本文給出了
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芯片 設計 控制 flash SD NAND 用于
- 據iSuppli公司，由于智能手機以及平板電腦的使用量增加，2010年全球NAND閃存營業收入將達到最高紀錄。
預計2010年NAND閃存營業收入將達到187億美元，比去年的135億美元勁增38%，部分利益于智能手機和蘋果iPad等消費電子產品的使用量增加。由于今年下半年和明年供需雙雙增長，2011年NAND閃存市場將繼續增長，盡管不及今年強勁。iSuppli公司的數據顯示，預計明年NAND閃存市場上升25%至225億美元。
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nand flash介紹
Nand-flash內存是flash內存的-種，其內部采用非線性宏單元模式，為固態大容量內存的實現提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大，改寫速度快，適用于大量數據的存儲，因而在業界得到了越來越廣泛的應用，如嵌入式產品中包括數碼相機、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。
NAND型閃存以塊為單位進行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區域進行，如果目標區域已經有數 [
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