- 日本最大的芯片制造商——東芝周一表示，盡管日圓走強，但該公司有望實現其在截至明年3月的會計年度，芯片業務營業利潤達到12億美元的預估，因新的電子設備熱銷，提高了芯片需求。
東芝芯片業務主管小林清志表示，因低質產品供應過多，最近NAND芯片現貨價格下降，但這對東芝的影響極小。
NAND閃存芯片需求一直強勁，因受到智能手機和蘋果的iPad等移動設備暢銷所助。
“整體需求強勁成長情況一直符合我們對2010會計年度的預期，而且我們預計中國國慶節，黑色星期五
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東芝 芯片 NAND
- 基于FLASH的嵌入式存儲系統設計,1 引言
FLASH（閃速存儲器）作為一種安全、快速的存儲體，具有體積小、容量大、成本低、掉電數據不丟失等一系列優點，已成為嵌入式系統中數據和程序最主要的載體。由于FLASH在結構和操作方式上與硬盤、E2ROM等其
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- 由于2010年第二季受到歐洲債信風暴影響、終端需求疲軟以及庫存水位偏高，下半年各項信息與消費型電子的出貨均大幅下修，然而第二季各手機廠商有效去化庫存以及智能手機成長力道強勁的情況下，下半年手機成長幅度將領先各項電子產品。也由于智能手機的熱賣，帶動了相關 NAND Flash 應用如 MCP 與內建式的 eMMC 、 POP 等產品的成長。
蘋果(Apple)推出 iPhone 4 帶動其它智能手機的熱賣，預估2010年手機出貨量將較2009年成長13%，達到13億支的規模，而智能手機市場扮演重要
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智能手機 NAND
- 集邦科技表示，由于2010年第二季受到歐洲債信風暴影響、終端需求疲軟以及庫存水位偏高，下半年各項信息與消費型電子的出貨均大幅下修，然而第二季各手機廠商有效去化庫存以及智能手機成長力道強勁的情況下，下半年手機成長幅度將領先各項電子產品。也由于智能手機的熱 賣，帶動了相關 NAND Flash 應用如 MCP 與內建式的 eMMC 、 POP 等產品的成長。
蘋果(Apple)推出 iPhone 4 帶動其它智能手機的熱 賣，集邦科技預估，2010年手機出貨量將較2009年成長13%，達到13億支的
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NAND 智能手機
- 臺灣媒體報道，來自存儲芯片制造商的消息稱，盡管蘋果的iPhone和iPad銷售火爆，但也難阻主流MLC NAND閃存芯片期貨價格在9月份上半月的下滑。
蘋果為其iPhone和iPad放出了大量閃存芯片訂單，但即便是這樣也很難推動NAND閃存價格的上漲，這倒是違背了此前出現的蘋果與NAND閃存之間的緊密聯系效應。之前蘋果產品的熱銷往往會導致NAND閃存市場的供不應求。
然而現實是，目前各個渠道的閃存芯片需求依舊微弱，學生返校季和即將到來的內地十一黃金周也很難讓閃存價格反彈。
更有悲觀的
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- 基于NAND閃存的文件系統YAFFS在嵌入式系統中的應用, 目前，針對NOR Flash設計的文件系統JFFS/JFFS2在嵌入式系統中已得到廣泛的應用;隨著NAND作為大容量存儲介質的普及，基于NAND閃存的文件系統YAFFS(Yet Another Flash File System)正逐漸被應用到嵌入式系統中。
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- Gartner現在預計今年全球半導體營收將達到3000億美元，比去年增長31.5%。它之前預計今年半導體營收的增幅只有27.1%。包括手機和筆記本電腦在內的消費者電子產品在半導體銷售中占大多數份額。手機出貨量持續增長將推動半導體營收的增長，而電腦出貨量增長速度的減慢將被平板電腦銷售的增長所抵消。
Gartner表示，盡管個人電腦銷售速度減慢，但今年NAND閃存和DRAM的營收仍將增長。DRAM營收今年將增長82.5%，幾乎達到420億美元，但它可能會從明年下半年開始減慢增長速度。Gartner預
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半導體 DRAM NAND
- 據集邦科技(TRENDFORCE)旗下研究部門 DRAMeXchange 日前發布研究報告指出，在臺系 DRAM 廠中，南科以及華亞科在明年將有產能提升及制程轉進兩大因素，使產出可能大幅成長年增率150%。
南科除今年將12寸月產能從3萬6千片提升至5萬片，明年上半年可達6萬片，華亞科也由今年平圴月產能不及10萬片提升至滿載產能13萬片，同時南科與華亞科皆在今年下半年加速50nm轉進及明年轉進42nm，預計明年南科及華亞科的DRAM產出成長率居全球之冠，以品牌銷售顆料計，南科明年將成為臺灣DRA
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南科 DRAM Flash
- NAND Flash價格經歷一段大修正后，原本對于價格談判完全不肯讓步的上游NAND Flash大廠，在面對庫存節節攀高的情況下，態度已開始松動，部分模塊廠開始回補一些庫存，不過，全球兩大NAND Flash陣營三星電子(Samsung Electronics)和東芝(Toshiba)則因為有蘋果(Apple)訂單的撐腰，對于價格仍是相當強硬，顯示蘋果仍是NAND Flash產業的唯一大補丸。
近期NAND Flash價格修正頗深，除了歐洲和美國市場需求不佳，尤其是返校需求完全是虛晃一招外，大陸
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- 爾必達內存公司(Elpida Memory Inc.)9月2日表示，該公司與Spansion公司(Spansion Inc.)已開發出一款新閃存芯片，擁有比現有芯片更為簡單的信元結構，該公司計劃于2011年開始在其日本西部的工廠批量生產該芯片。
這家日本芯片制造商表示，該公司采用了所謂的電荷擷取(charge trap)技術來開發這個4G的NAND閃存芯片，該芯片的信元結構不同于現有的以傳統浮動柵(floating gate)技術制造的NAND閃存芯片。該公司表示，這項新技術可幫助生產較目前市場
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- 據集邦科技(TRENDFORCE)旗下研究部門 DRAMeXchange 日前發布研究報告指出，在臺系 DRAM 廠中，南科以及華亞科在明年將有產能提升及制程轉進兩大因素，使產出可能大幅成長年增率150%。
南科除今年將12寸月產能從3萬6千片提升至5萬片，明年上半年可達6萬片，華亞科也由今年平圴月產能不及10萬片提升至滿載產能13萬片，同時南科與華亞科皆在今年下半年加速50nm轉進及明年轉進42nm，預計明年南科及華亞科的DRAM產出成長率居全球之冠，以品牌銷售顆料計，南科明年將成為臺灣DRA
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- 根據集邦科技 (TRENDFORCE)旗下研究部門DRAMeXchange最新研究報告指出，臺系DRAM廠中，南科以及華亞科在明年將有產能提升及制程轉進兩大因素，使產出可能大幅成長年增率150%。南科除今年將12吋月產能從3萬6千片提升至5萬片，明年上半年可達6萬片，華亞科也由今年平圴月產能不及10萬片提升至滿載產能13萬片，同時南科與華亞科皆在今年下半年加速50nm轉進及明年轉進42nm，預計明年南科及華亞科的DRAM產出成長率居全球之冠，以品牌銷售顆料計，南科明年將成為臺灣DRAM廠之冠。
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- 市場研究公司IC Insights日前預計，三星的芯片銷售額或將在2014年超越英特爾。
基于廣泛的芯片產品及擴張計劃，三星的芯片營收將很快超過英特爾，成為第一大芯片廠商。IC Insights認為，在5到10年前，三星芯片營收將趕超英特爾的想法簡直就是天方夜譚，但從1999年到2009年，三星IC營收以13.5%年復合 增長率(compound annual growth rate)的速度增長，而英特爾同期的年復合增長率僅為3.4%。基于此增長速率，IC Insights預計，三星的芯片銷售額
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- Intel與鎂光公司已經成功生產出基于25nm制程技術的3位元型NAND閃存芯片產品，目前他們已經將有關的產品樣品送往部分客戶手中進行評估，預計這款NAND閃存芯片將于今年年底前開始量產。這款25nm NAND閃存芯片的存儲密度為64Gb，為三位元型閃存。
這款閃存芯片是由Intel與鎂光合資的IM Flash公司研制，芯片采用了3位元(TLC)型設計，一個存儲單元可存儲3位數據，比一般的單位元(SLC)/雙位元(MLC)閃存的存儲量更大。
這款產品的面積要比現有Intel與鎂光公司推
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nand flash介紹
Nand-flash內存是flash內存的-種，其內部采用非線性宏單元模式，為固態大容量內存的實現提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大，改寫速度快，適用于大量數據的存儲，因而在業界得到了越來越廣泛的應用，如嵌入式產品中包括數碼相機、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。
NAND型閃存以塊為單位進行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區域進行，如果目標區域已經有數 [
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