- 2010年對于全球半導體產業而言，可說是值得紀念的一年，拓墣產業研究所研究員陳蘭蘭表示，2010年全球半導體產業年成長率將高達30%，創下10年以來新高紀錄。然而，受到PC產業成長趨緩影響，2011年全球半導體產業僅將成長5%，移動通訊產品反成為支撐整體產業成長的重要動能。預估2011年移動通訊用產品占總體半導體比重將從2010年的26%提升至30%，Mobile DRAM和NAND Flash的重要性，也將隨著智能手機等移動通訊產品興起而與日俱增。
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SAMSUNG DRAM NAND
- NAND Flash的壞塊管理設計,摘要：主要介紹了基于嵌入式Linux的NAND Flash壞塊管理設計和實現方案，詳細闡述了壞塊映射表的建立、維護及其相關算法，同時分析了此壞塊算法在Linux內核及Bootloader中的具體應用。測試結果表明該算法能夠處理NAND
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設計 管理 Flash NAND
- 給出了一款基于8051的高性能、低成本的NAND flash控制芯片的設計方法，文中集中研究了其中的軟件部分，探討了管理flash物理塊的算法，提出了塊級和頁級兩級地址映射機制以及映射信息在flash的存儲定義，同時還提出了對flash的分區方法。
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設計 實現 算法 管理 Flash NAND
- 隨著DRAM和NANDFlash市場價格持續崩跌，不僅上游DRAM廠營收紛呈現大幅衰退情況，下游存儲器模塊廠亦受到牽累，10月營收亦持續下滑，其中，威剛10月營收較9月減少達17.1%。威剛表示，預期11月營收將因為產業景氣進入淡季，而持續呈現衰退景況，公司因應策略是致力降低庫存水位，將庫存維持在約3~4周水平。
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DRAM NAND
- 隨著DRAM和NANDFlash市場價格持續崩跌，不僅上游DRAM廠營收紛呈現大幅衰退情況，下游存儲器模塊廠亦受到牽累，10月營收亦持續下滑，其中，威剛10月營收較9月減少達17.1%。威剛表示，預期11月營收將因為產業景氣進入淡季，而持續呈現衰退景況，公司因應策略是致力降低庫存水位，將庫存維持在約3~4周水平。
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三星 DRAM NAND
- 集邦科技旗下研究機構 DRAMeXchange 指出，JEDEC Task group 中的一些主要成員如：三星 (Samsung)、諾基亞(Nokia)、美光(Micron)、高通(Qualcomm)、英特爾(Intel)、東芝(Toshiba)、晟碟(SanDisk)、德州儀器(TI)、意法半導體(ST)等國際大廠，近期正在積極推動新的 NAND Flash 應用接口標準 UFS (universal Flash storage)的規格制定事宜。
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三星 NAND UFS
- 三星電子(SamsungElectronics)投入總金額12兆韓元(約108.36億美元)于京畿道華城市增設的半導體廠，決定將先提供閃存(NANDFlash)量產使用。據南韓電子新聞報導，三星預計于2011年初完工的半導體華城廠16產線，將于2011年下半開始優先量產閃存。
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三星半導體 NAND
- 因應MCU成長快速及程序數據儲存需要，MCU內嵌Flash內存設計成為主流趨勢，MCU大廠也紛紛以購并或結盟掌握內嵌Flash的相關IP與制程技術。本文將探討內嵌FlashIP制程技術，為下一代FlashMCU帶來的技術變革。
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MCU Flash
- DRAMeXchange 最新發表的研究報告指出，固態硬盤(SSD)一直以來為各家 NAND Flash 廠商所寄予厚望的產品，主要是固態硬盤對于 NAND Flash 的使用量來說是一般內建式應用產品、U盤與記憶卡的數倍之多，因此對于固態硬盤對于NAND Flash消耗量來說有很大的幫助。
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固態硬盤 NAND
- 固態硬盤一直以來為各家NAND Flash廠商所寄予厚望的產品，主要是固態硬盤對于NAND Flash的使用量來說是一般內建式應用產品、隨身碟與記憶卡的數倍之多，因此對于固態硬盤對于NAND Flash消耗量來說有很大的幫助。而從消費者的論點來看，固態硬盤的傳輸速度為傳統硬盤的兩倍以上，同時也兼具了省電與抗震動的特點，因此，DRAMeXchange認為，在未來高畫質影音與大容量檔案傳輸的需求將大幅提升之下，對于固態硬盤的需求若能在價格有效下降至可接受的范圍將會開始提升。
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固態硬盤 NAND
- 美光科技 (Micron Technology Inc.) 宣布，美光獲獎的25nm NAND 已獲日立LG數據儲存公司 (Hitachi-LG Data Storage Inc. 簡稱 HLDS) 采用作為其新型混合光驅 (ODD) 的閃存解決方案。此款采用美光 25nm NAND 技術的新型 HLDS Hybrid Drive 提供高容量儲存和可修改功能，是針對個人計算機、DVD 播放器和藍光產品的綜合解決方案。
美光的 25nm NAND 處理技術提供單一設備中8GB 儲存容量，滿足新應用
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美光 NAND
- 高調宣布走出破產保護陰影的Spansion公司日前公布了其2010財年第二季度財報，公司非GAAP調整后凈收入已經從2009年同期的2240萬美元上升至2740萬美元;GAAP凈收入為3.418億美元，與2010 Q1財季相比，仍繼續保持著穩定的財務態勢。Spansion是否能夠卷土重來?業界一直存在頗多爭議之聲。日前，該公司企業營銷總監John Nation就公司發展策略、核心業務、技術趨勢等話題接受了專訪。
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Spansion NAND
- NAND Flash大廠三星電子(Samsung Electronics)和東芝(Toshiba)制程競賽拼得火熱，在產出持續大幅增加下，10月上旬NAND Flash合約價再度下探，尤其是高容量64Gb芯片下修幅度高達5~7%，低容量芯片價格則是幾乎持平，市場預期日前平板計算機和智能型手機 (Smart Phone)都內建高容量的NAND Flash存儲器，在年底圣誕節最后一波促銷熱潮之下，有機會提升NAND Flash市場的需求，彌補2010年快閃記憶卡和隨身碟都賣相不佳的缺憾。
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三星 NAND
- 就在啟動32GB 20nm閃存生產線四個月后，三星確認目前已經啟動64GB,3位元20納米NAND閃存的批量生產。
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三星 NAND 20納米
- 全球NAND Flash產業在高容量32Gb和64Gb芯片產能持續開出下，9月下旬合約價續跌，其中，32Gb芯片合約價下跌5~6%，64Gb芯片大跌 9~10%，模塊廠表示，NAND Flash芯片價格已跌到相當接近各大廠成本線，若價格再跌，恐會讓NAND Flash廠產生虧損，接下來要看大陸十一長假后是否出現補貨需求，帶動NAND Flash價格止跌。
模塊廠表示，近期NAND Flash產品需求比DRAM模塊好一些，DRAM買氣受限于現貨價跌幅較深，通路商補貨意愿不高，但在NAND Flas
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NAND DRAM
nand flash介紹
Nand-flash內存是flash內存的-種，其內部采用非線性宏單元模式，為固態大容量內存的實現提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大，改寫速度快，適用于大量數據的存儲，因而在業界得到了越來越廣泛的應用，如嵌入式產品中包括數碼相機、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。
NAND型閃存以塊為單位進行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區域進行，如果目標區域已經有數 [
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