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nand flash 文章 最新資訊

一季度半導體供應商將繼續維持低庫存

  •   據iSuppli公司,經過2009年對膨脹的庫存大幅削減 ,全球半導體供應商預計將在2010年第一季度維持低量庫存,以期在不明朗的經濟環境中能獲益。   半導體供應商的庫存天數(DOI)預計將在第一季度下降到68.3,比2009年第四季度的68.5低。由于第四季度的DOI已經比歷史平均水平低了2.9%,第一季度的庫存預計比這一標準還低6.9%。而第一季度的庫存會維持在可滿足要求的平衡水平上,庫存將達到非常低的水平--甚至有幾種具體設備會接近短缺的邊緣。     圖示為iSuppli
  • 關鍵字: 半導體  NAND  

車載MP3中Flash文件系統的設計與應用

  • 引言 目前車載播放器基本上采用的是CD播放器、MD播放器以及磁帶播放器等。由于這類播放器內部具有一些機械式傳動部件,再加上裝在汽車這個特定的環境中,經常會由于機械傳動或者光頭、磁頭受震動發生跳音或絞帶現
  • 關鍵字: Flash  MP3  車載  文件系統    

iSuppli:全球芯片庫存保持緊縮 NAND閃存或短缺

  •   據市場研究公司iSuppli的調查,全球半導體供應商預計將在第一季度保持輕庫存,以便在不確定的經濟形勢下保持盈利。   第一季度末庫存天數預計將減少至68.3天,上季度為68.5天。去年第四季度,庫存天數已經少于歷史平均水平2.9%,第一季度預計將較普通水平少6.9%。   iSuppli預測,由于庫存量仍將保持在較低水平,某些特殊器件將面臨短缺。   2010年,預計庫存天數將穩定在近70天左右。緊縮的庫存管理將幫助半導體產業獲得兩位數增長,增長幅度預計為15.4%,而2009年減少12.4%
  • 關鍵字: 芯片  NAND  

威剛陳立白:今年DRAM市場多處于缺貨狀態

  •   存儲器模塊大廠威剛2009年獲利交出賺進1個股本的豐碩成績單,董事長陳立白表示,2010年的DRAM產業多數時間將處于缺貨的狀態,只要價格維持平穩,預計對于模塊產業絕對是好事,往年會是傳統淡季的第2季,2010年將會見到淡季不淡,也不見五窮六絕;而NAND Flash產業價格則預計會起起伏伏,整體而言,DRAM表現會優于NAND Flash產業。   威剛2009年進行高層人士調整,延攬前三星電子(Samsung Electronics)存儲器部門資深營銷副總金一雄擔任威剛總經理一職,與原有的總經理
  • 關鍵字: 威剛  存儲器  NAND   

韓結束3年反壟斷調查 未發現芯片廠操縱價格

  •   韓國公平交易委員會(FTC)周三宣布,并未發現NAND快閃記憶芯片制造商在韓國或其它地區有操縱市場價格的行為,也宣告終止近3年來對該產業的反壟斷調查。   反壟斷監管單位聲明,針對計算機記憶芯片產業 (包括DRAM芯片、NAND芯片等) 相關的價格操縱調查已經全部結束。   2007年1月,FTC宣布將針對NAND快閃記憶芯片制造商進行反壟斷調查,偵查是否有操縱價格的事實,之后已針對全球4家企業進行調查,其中2家位于韓國,另外2家分別在美國和日本,但FTC并未公布詳細的企業名單。   韓國快閃記
  • 關鍵字: 海力士  NAND  DRAM  

韓國FTC:NAND Flash大廠無操控價格

  •   據華爾街日報(WSJ)報導,韓國公平貿易委員會(FTC)并未發現NAND Flash存儲器大廠有任何操控價格的證據,將結束為期將近3年的調查。此外,韓國FTC表示,至目前為止所有和存儲器市場相關的操控價格調查皆已完成,包括DRAM、SRAM及NAND Flash市場。   韓國FTC自2007年1月開始調查存儲器產業是否存在操控價格的不法行為,并調查4家全球存儲器大廠,包括兩家韓國廠商、1家日本及1家美國廠商,然FTC并未透露遭調查的廠商名稱。   存儲器產業近年來遭數個國家調查是否存在柯斷,近期
  • 關鍵字: Samsung  DRAM  存儲器芯片  NAND   

韓國結束對閃存商反壟斷調查 未發現違法行為

  •   韓國公平交易委員會在一份聲明中表示尚未發現韓國或其他地區閃存廠商有操縱價格或其他壟斷行為的證據。   該機構調查了四家NAND閃存制造商。在被調查的四家廠商中,兩家位于韓國,其他位于美國和日本。不過公平交易委員會沒有點出這些廠商的名字。NAND閃存適用于于各種手持設備,包括數字音樂播放器、數碼相機和手機。   根據三星電子和東芝的說法,今年8月,美國司法部也結束了這樣的調查。三星電子和東芝是全球前兩大NAND閃存芯片制造商。   市場調查公司iSuppli的數據顯示第三季度三星在全球NAND閃存
  • 關鍵字: 海力士  NAND  閃存芯片  

傳韓系三位元型MLC NAND芯片新品質量存穩定性問題

  •   據業者透露,韓國廠商生產的三位元型MLC NAND閃存芯片新品在穩定性和耐用性方面不如現有兩位元型產品,不過消息來源不愿意透露這家韓國廠商的具體名稱。據消息來源透露,這家韓國廠商首批推出 的三位元MLC NAND閃存芯片只面向大陸以及美國地區的市場發售,不過目前部分銷往美國市場的產品已經由于產品質量不穩定而遭到客戶的退貨。   據閃存控制芯片的廠商表示,三位元型MLC NAND閃存芯片技術目前還處在初級發展階段,由于可能存在一些兼容性等方面的問題,因此需要3個月的時間對這種新產品進行充分的測試。
  • 關鍵字: NAND  閃存芯片  

NAND閃存芯片價格本月逐步趨于平穩

  •   根據市場調研公司DRAMeXchange的最新統計,12月后半個月的MLC NAND閃存芯片價格和前半月相比持平,高密度芯片價格則將下降1-5%。   其中,16Gb芯片期貨價格下降2-7%,32Gb芯片價格持平或下降3%,兩種芯片后半個月的平均銷售價格預計為4.42美元和7.18美元,8Gb芯片的平均價格依舊保持在4.02美元。   盡管受到季節性銷售規律的影響,NAND閃存12月份的銷售價格依舊保持穩定。考慮到一些芯片制造商將重點轉移到了工藝升級上,產能上或受影響,很多下游廠商已經開始存貨為即
  • 關鍵字: 閃存  NAND  

聚焦2010電子產業10大機遇

  •   經歷了09年初的低糜,IC產業正逐步從危機中復蘇,觀望其2010年的發展趨勢,可以說是機遇與挑戰并存。本文將對于2010年電子產業市場的有利與不利因素分別敍述,供業界探討與分析。   10大機遇   1. IC行業的季節性需求好于預期。FBR分析師Craig Berger說:“亞洲芯片分銷商的最新訂單顯示,第4季度芯片銷售將環比下降4到8個百分點,比起上個月我們調查得出的環比下降10個百分點情況更好,這是由11月份的工業、消費和智能手機芯片的強勁需求推動的的出貨量下降4%-8%,跌幅較
  • 關鍵字: Altera  LED  IC  NAND  

FLASH K9F1G08U0M在MSP430F149嵌入式系統中的應用

  • FLASH K9F1G08U0M在MSP430F149嵌入式系統中的應用, NAND Flash是采用NAND結構技術的非易失存儲器,具有ROM存儲器的特點,存儲在該芯片中的數據可在斷電情況下維持10年不丟失,而芯片的引腳與訪問又具有類似于RAM的特點。NAND FLASH 存儲器將數據線與地址線復用為8條線
  • 關鍵字: 系統  應用  嵌入式  MSP430F149  K9F1G08U0M  FLASH  

張汝京下課 中芯大漲

  •   為中芯解開多年無法突破的經營困境,而與臺積電未來如能合作,將會是個雙贏的局面。張汝京的下臺,為臺積電、中芯國際都找到下一個春天。   11月11日,臺灣有四家報紙的頭版頭條報道了同一則新聞:中芯國際創辦人、執行長張汝京宣布辭職;董事會即刻宣布由王寧國接任執行董事兼集團總裁、首席執行官。全世界最大的晶圓代工廠臺積電入股中芯半導體10%的股份。   中芯將分5年賠償臺積電2億美元,并且無償授予臺積電8%的中芯股權,且臺積電另可在3年內以每股1.3港幣的價格認購2%的中芯股權。   這件事情所以在臺灣
  • 關鍵字: 中芯國際  晶圓  NOR  NAND  

Intel-鎂光發起反擊,2xnm制程NAND芯片將投入試制

  •   在本月22日召開的一次電話會議上,鎂光公司聲稱他們很快便會試制出2x nm制程NAND閃存芯片產品,并對其進行取樣測試。盡管鎂光沒有透露這種2xnm制程的具體規格數字,但外界認為他們很可能會于明年初公布有關的細節信 息。這樣,鎂光及其NAND技術的合作伙伴Intel公司很有希望在明年利用這種新制程技術,甩開對手三星和東芝,重新回到領先全球NAND制作技術的寶 座上。目前Intel和鎂光兩家公司合資創立有一家專門負責NAND業務的IM閃存技術公司。   除了制造閃存芯片之外,Intel和鎂光還有出售基
  • 關鍵字: 鎂光  NAND  閃存  

海力士:2010年DRAM供不應求

  •   據華爾街日報(WSJ)報導,韓國半導體大廠海力士(Hynix)看好2010年存儲器市場表現,將提升資本支出并擴張產能。   海力士執行長金鐘甲(Jong-Kap Kim)表示,2009年12月為第1次DRAM合約價在11月后并未下滑,此外,預期2010年全球個人計算機(PC)市場需求將增加10%、全球DRAM存儲器芯片將缺貨,半導體市場已走出過去3年的谷底,前景相當穩定。   隨著景氣逐漸回升,海力士計劃2010年提升資本支出,共投資2.3兆韓元(約20億美元)提升技術水平,及擴張目前的NAND
  • 關鍵字: Hynix  存儲器  NAND   
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nand flash介紹

 Nand-flash內存是flash內存的-種,其內部采用非線性宏單元模式,為固態大容量內存的實現提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大,改寫速度快,適用于大量數據的存儲,因而在業界得到了越來越廣泛的應用,如嵌入式產品中包括數碼相機、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。   NAND型閃存以塊為單位進行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區域進行,如果目標區域已經有數 [ 查看詳細 ]

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