到底為什么東芝半導體可以引起如此大的波瀾?產品和技術有什么過人之處?鴻海為首的“不差錢”軍團又希望從東芝半導體得到什么?小編給你一一說明。
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東芝 NAND
9月6日，由深圳市閃存市場資訊有限公司主辦以“中國存儲?全球格局”為主題的中國閃存市場峰會(China Flash Market Summit 2017)在深圳華僑城洲際酒店圓滿落幕。本次峰會除了齊聚國內外產業鏈重要企業嘉賓演講，其中包括三星、英特爾、美光、Marvell、谷歌、英偉達、江波龍、慧榮、硅格、大基金、漢德資本等業界知名企業領導?！ ‘斕煳蚪?00家企業參會，其中包括西部數據、SK海力士、長江存儲、金士頓、華為、聯想、中興、百度、阿里巴巴等企業參會，涵蓋領域包括存儲企業、手機、電腦、
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NAND 閃存
與美國在半導體先進工藝制程等方面的差距，不僅表現在人材，技術等方面，可能更大的差距在于綜合的國力，以及產業大環境的改善，所以此次奮力突圍一定要取得更大的進步。
01引言
近期華爾街日報撰文“中國的下一個目標奪下美國的芯片霸主地位”。明眼人看得很清楚，它是站在美方的立場，歪曲事實。
此次中國半導體業的“奮力突圍”，有兩層意義：
一個是差距大，希望迅速的成長，至多是擴大芯片的自給率。
另一個是西方千方百計的阻礙中國半導體業的進步
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NAND DRAM
2017年三星電子(SamsungElectronics)同步啟動DRAM、3DNAND及晶圓代工擴產計劃，預計資本支出上看150億~220億美元，遠超過臺積電100億美元和英特爾(Intel)120億美元規模，三星為確保新產能如期開出，近期傳出已與多家硅晶圓供應商洽談簽長約，狂掃全球硅晶圓產能，并傳出環球晶已通知客戶自2018年起硅晶圓供應量將減少30%，主要便是為支持三星產能需求做準備。
三星為因應DRAM和3DNAND市場強勁需求，加上在邏輯事業全力投入7納米制程，企圖與臺積電一較長短，搶
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三星 NAND
8月28日，三星電子宣布，未來將投資70億美元用于擴大西安三星電子NAND芯片的生產。不過，三星稱，“此筆投資意在滿足NAND芯片市場的需求。”可是，三星的投資真的只為滿足NAND芯片市場需求嗎?
波瀾的背后
據2017年第二季度財報顯示，三星電子營收額高達554.1億美元，同比增長19%，并且，三星電子以銷售額14億美元的成績拿下45.9%的NAND Flash市占有率。
有業者分析稱，三星第二季度如此強勁的主要原因是蘋果等其他電子類產品生產需求旺盛，同時其
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三星 NAND
集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)指出，今年第二季整體NAND Flash市況持續受到供貨吃緊的影響，即便處于傳統NAND Flash的淡季，各產品線合約價平均仍有3-10%的季增水平。由于第三季智能手機與平板計算機內的eMMC/UFS以及SSD合約價仍持續小漲，2017年將是NAND Flash廠商營收表現成果豐碩的一年。
DRAMeXchange資深研究經理陳玠瑋指出，由于NAND在平面制程(2D/Planar NAND)面臨微縮限制，NAND Flash原廠紛紛轉進垂直堆棧
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NAND 東芝
開年以來大陸半導體產業發展似乎進入沉潛期。首先是年初長江存儲CEO楊士寧鄭重發布新聞稿澄清，表示從未發表過32層3DNANDFlash今年量產的消息。接下來是中芯國際董事長周子學表達的大陸半導體產業發展“三步走”(注1)，指出要花至少15年的時間，大陸才能發展出比較有市場競爭力的企業主體。再來是最近紫光集團表示，由于長江存儲的存儲器芯片工廠專案投資規模過大，目前尚處于建設初期，短期無法產生銷售收入，時機不成熟，停止收購長江存儲的股份。雖然似乎大陸整個半導體產業持續其發展動能，但
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摩爾定律 NAND
DRAM、NAND Flash及NOR Flash三大內存會一直缺貨到明年，許多客戶搶貨，已包下南亞科、旺宏和華邦電全部產能。 業界指出，未簽訂長約的客戶，內存供貨將短缺，沖擊產品上市或出貨時程。
集邦、IC Insight等研究機構最近紛紛出具報告，強調DRAM、NAND Flash到年底都處于缺貨狀態;NOR Flash更因美系二大供貨商淡出效應在下半年顯現，缺貨問題更嚴重。
業界表示，三大內存應用范圍廣，尤其NOR Flash幾乎是各電子產品儲存程序代碼關鍵組件，雖然單價遠比DRAM
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NAND DRAM
在2017年快閃存儲器高峰會(Flash Memory Summit)上，可見各主要NAND Flash供應商持續推出更新式存儲器芯片以期能主導競爭優勢，幾乎各主要供應商也都在談論簡化Flash儲存系統內建軟件的必要性，以減少應用在資料中心時出現的延遲問題，以及試圖定義固態硬盤(SSD)全新尺寸標準，另值得注意的是，本屆大會上甚至連主要硬盤(HD)制造商，都已幾乎不在主題演說中提及硬盤相關技術資訊或發展趨勢。
根據科技網站EE Times報導，在本屆大會上，三星電子(Samsung Electr
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存儲器 NAND
3D NAND比平面NAND更昂貴，但大家都期待它將有助于快速地降低NAND的成本，以及取代平面NAND，這是為什么呢?
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3D NAND 存儲器
對大多數人來說，微芯片是一些長著小小的金屬針，標著看似隨機的字母或數字的字符串的黑盒子。但是對那些懂的人來說，有些芯片就像名人一樣站在紅毯上。有許多這樣的集成電路直接或間接地為改變世界的產品賦能，從而得到榮耀，也有一些芯片對整個計算環境造成了長期的影響。也有一些，它們的雄心壯志失敗后成為警世的故事。 為了紀念這些偉大的芯片，并講述它們背后的人和故事，IEEE Spectrum 制作了這個“芯片名人堂”(Chip Hall of Fame)。登堂的是7
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FPGA NAND
三星計劃在明年推出容量達1-Tbit的V-NAND芯片，以及采用其現有芯片的高密度固態硬盤。
三星(Samsung)計劃明年推出容量達1-Tbit的3D-NAND芯片——V-NAND，以及采用其現有芯片的高密度固態硬盤(SSD)。 該公司并表示，去年發表的Z-NAND產品也開始出樣，據稱這款產品能夠達到媲美或超越英特爾(Intel) 3DXP內存的低延遲能力。
三星的Tbit NAND可支持高達每秒1.2Gbits的數據速率，并在一個堆棧32顆裸晶的封裝中支持高達4
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V-NAND NVMe
相較于2.5寸SATA，M.2的SSD有著非常明顯的體積優勢，如果總線走PCIe，速度上更是完爆。
在舊金山的閃存峰會上，三星宣布推出新一代V-NAND單晶粒，容量高達1Tb，用于消費級產品。
三星表示，今后的2TB 3D閃存SSD產品將使用上這一新品，即一整顆芯片封裝16Tb Die，繼續減小體積。
如此精巧之后，連傳統M.2 2242(NGFF)的電路板型都用不到了，三星據此提出了Next Generation Small Form Factor (NGSFF) 標準。
其
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三星 V-NAND
日刊工業新聞7日報導 ，為了提高3D架構的NAND型閃存(Flash Memory)產能、以因應三星電子等競爭對手加快擴產腳步，東芝(Toshiba)將進一步祭出增產投資，計劃在日本巖手縣北上市興建新工廠，該座新廠預計于2018年度動工、 2021年度啟用，總投資額將達1兆日圓的規模。 東芝目前已在四日市工廠廠區內興建3D NAND專用廠房「第6廠房」。
該座3D NAND新工廠興建計劃由東芝半導體事業子公司「東芝內存(Toshiba Memory Corporation、以下簡稱TMC)」負責
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東芝 NAND
RAM：由字面意思就可以理解，SDRAM?SRAM?DRAM(下面藍色字體的這幾種)都可以統稱RAM，random?access?memory(隨機存取存儲器)的縮寫，下面是51hei.com為大家整理的目前所有的存儲器的區別?！ RAM：靜態隨機存儲器，就是它不需要刷新電路，不像動態隨機存儲器那樣，每隔一段時間就要刷新一次數據。但是他集成度比較低，不適合做容量大的內存，一般是用在處理器的緩存里面。像S3C2440的ARM9處理器里面就有4K的SRAM用來做C
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DRAM NAND
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