日刊工業新聞7日報導 ，為了提高3D架構的NAND型閃存(Flash Memory)產能、以因應三星電子等競爭對手加快擴產腳步，東芝(Toshiba)將進一步祭出增產投資，計劃在日本巖手縣北上市興建新工廠，該座新廠預計于2018年度動工、 2021年度啟用，總投資額將達1兆日圓的規模。 東芝目前已在四日市工廠廠區內興建3D NAND專用廠房「第6廠房」。

　　該座3D NAND新工廠興建計劃由東芝半導體事業子公司「東芝內存(Toshiba Memory Corporation、以下簡稱TMC)」負責策畫，而東芝是在說明上述新廠興建計劃后才進行TMC的招標作業，因此即便之后TMC易主、預估新廠興建計劃仍將持續。

　　報導指出，東芝因TMC出售案一事和合作伙伴Western Digital(WD)鬧翻、對立情勢加劇，因此上述新廠能否如之前一樣和WD分擔投資額仍舊不明，不過因TMC恐難于單獨進行巨額投資，故若無法和WD達成和解的話，恐必須重新思考合作策略、尋找新投資伙伴。

　　東芝3日宣布，關于目前已在四日市工廠廠區內興建的3D NAND專用廠房「第6廠房」投資案，因和WD子公司SanDisk未能獲得共識、協商破裂，故所需的設備投資金額將由TMC單獨負擔，且為了因應內存需求擴大，故投資金額將從原先規劃的1,800億日圓加碼至約1,950億日圓。 東芝指出，計劃在2018年度將3D架構產品的產量比重提高至約90%。

　　路透社、美聯社等多家外電報導，三星7月4日宣布，至2021年為止，要對位于平澤市的NAND型閃存廠房投入14.4兆韓圜，并對華城市新建的半導體生產線投入6兆韓圜。 位于中國西安的NAND生產基地也會多蓋一條生產線，但投資金額和時間表還未定。

　　內存業者大手筆投資，讓IC Insights憂心忡忡。 該機構7月18日稱，內存以往市況顯示，過度投資常會造成產能過剩、削弱價格。 未來幾年三星電子、SK海力士、美光、英特爾、東芝/SanDisk、武漢新芯(XMC)/長江存儲(Yangtze River Storage)都大舉提高3D NAND flash產能，未來可能還有中國新業者加入戰場，3D NAND flash產能過多的可能性「非常高」(very high)。