“三維閃存需要挑戰200層左右的存儲單元積層”。東芝代表執行董事副社長兼存儲與電子元器件解決方案公司社長成毛康雄在2016年12月14日開幕的半導體相關展會“SEMICON Japan 2016”(東京有明國際會展中心)的“半導體高端論壇”上登臺發言，并如此介紹了該公司的三維閃存(3D NAND)高密度化戰略。
成毛以對比15nm工藝2D NAND(二維閃存)的形式，介紹了東芝供應的3D NAND“BiCS FL
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東芝 NAND
今年DRAM內存、NAND閃存漲價救了美光公司，他們本周一正式收購了華亞科公司，內存業務如虎添翼，而閃存方面，美光也公布了兩個好消息——該公司的3D NAND閃存產能日前正式超過2D NAND閃存，第一代3D NAND閃存的成本也符合預期，堆棧層數達到64層的第二代3D NAND閃存也在路上了，今年底就要大規模量產了。
對于3D NAND閃存，我們并不陌生，現在市場上很多SSD都轉向了3D NAND閃存，不論是性能還是容量或者是寫入壽命，3D NAND閃存都要比傳統2
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美光 NAND
DRAMeXchange最新研究顯示，受惠于強勁的智慧型手機出貨、eMMC/eMCP平均搭載容量提升及SSD的穩健成長，第四季NAND Flash缺貨情況達今年最高峰，各產品別價格續創年度新高，預估缺貨態勢將持續至2017年第1季，屆時企業級與用戶級SSD合約價漲幅將超過10%，行動式相關產品的eMMC/UFS價格漲幅將更高。
今年第四季NAND Flash通路端顆粒與wafer價格創下年度新高、eMMC/UFS合約價季漲幅9～13%，企業級與用戶級SSD合約價也上漲5～10%。
DRAM
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?NAND SSD
三星在手機市場遭遇一定挫折，不過由于全球手機的出貨量成長以及對更大容量的內存和存儲的需求卻讓它在NAND Flash市場成為大贏家，據TrendForce的數據顯示營收同比增長20.6%，市占率提升到36.6%創下新高。
目前3D NAND技術正日益受到各方的歡迎，由于它相較2D NAND技術可以提供提高存儲器的容量及寬度，在采用更低工藝的情況下卻可以提供遠比工藝更高2D NAND技術數倍容量，例如采用16nm工藝的2D NAND存儲器容量為64GB，而采用21nm工藝的三星 48層3D NAN
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Intel NAND
三星憑藉著技術優勢，NAND快閃存儲器市占率逐季甩開東芝等競爭者的糾纏，龍頭位置越座越穩。
市調機構DRAMeXchange最新數據顯示，三星第三季NAND存儲器營收來到37.44億美元，市占率較前季進步0.3個百分點至36.6%。(韓國經濟日報)
同期間，東芝NAND存儲器營收為20.26億美元，市占率較前季下滑0.3個百分點成為19.6%，落后三星幅度從前季的16.2%擴大至16.8%，此為歷史新高水平。
剛完成并購SanDisk的Western Digital市占率達17.1%
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三星 NAND
芯片貼板后跑不起來?Flash里面的數據在使用過程中莫名改變或不翼而飛?程序丟失可能無法正常運行，從而造成整個系統崩潰，下面我們來看看是什么原因讓數據異常變化。
1、用戶代碼對Flash的誤操作不當引起程序丟失或被錯誤改寫 例如，在有對Flash寫入或擦除操作的代碼中，如果用戶誤調用了寫入或擦除函數或者由于程序跑飛而恰好執行了Flash擦除或寫入函數，這自然會導致數據丟失或改變。針對以上情況，可以在程序中設置多個允許操作的變量，當執行寫入或擦除操作時，對
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Flash 芯片
驅動程序識別設備時，有以下兩種方法： (1)驅動程序本身帶有設備信息，比如開始地址、中斷號等;加載驅動程序時，就可以根據這些信息來識別設備。 (2)驅動程序本身沒有設備信息，但是內核中已經(或以后)根據其他方式確定了很多設備的信息;加載驅動程序時，將驅動程序與這些設備逐個比較，確定兩者是否匹配(math)。如果驅動程序與某個設備匹配，就可以通過該驅動程序來操作這個設備了。 內核常使用第二種方法來識別設備，這可以將各種設備集中在一個文件中管理，當開發板的配置改變時，便于修改代碼。在內核文件incl
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NAND 驅動
TrendForce集邦科技旗下存儲研究品牌DRAMeXchange(全球半導體觀察)最新調查顯示，受惠于智能手機需求強勁，及供給端2D-NAND 轉進3D-NAND 所導致的整體產出減少，第三季NAND Flash開始漲價，使得NAND Flash原廠營收季成長19.6%，營業利益率也較上季大幅進步。
DRAMeXchange研究協理楊文得表示，第四季各項終端設備出貨進入今年最高峰，預估整體NAND Flash供不應求的市況將更為顯著，各項NAND Flash產品的合約價漲幅將更高，廠商的營收
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NAND Flash 英特爾
NAND Flash缺貨，加上SSD可能是新款電子產品的重要選擇，缺貨現象可能延續到2017Q1。(法新社)
根據DIGITIMES的報導，NAND Flash缺貨，加上SSD可能是新款電子產品的重要選擇，缺貨現象可能延續到2017Q1以后。估計2017年DRAM供應量成長率是15%，比2016年的32%低很多，而Flash更是從67%暴跌至35%。更值得注意的是，2016年投資金額為10兆韓元的記憶體產業，2017年將增加至13兆韓元，其中4兆韓元用于DRAM，Flash則約9兆韓元，遠不如原
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Flash 存儲器
TrendForce集邦科技旗下存儲研究品牌DRAMeXchange(全球半導體觀察)最新調查顯示，2016年第四季主流容量PC-Client OEM SSD(固態硬盤)合約均價近一年來首度大漲，在MLC-SSD部分，季漲幅達6～10%，TLC-SSD部分則上漲6～9%。展望2017年第一季，雖然終端產品實際銷售狀況仍保守，但由于非三星陣營的原廠仍處于3D-NAND Flash轉換陣痛期，及龍頭廠商持續以提升獲利為主要策略下，預估2017年第一季PC-Client OEM SSD 主流容量合約價仍將持
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SSD NAND
早前報導，中國存儲三大勢力成形，目前長江存儲、晉華集成已積極展開建廠、布建產能，就差合肥團隊還未有相關消息，現在相關招募信息與環評結果曝光，也透露更多發展信息。
中國發展存儲成三路進擊，除了由武漢新芯與紫光合體組成的長江存儲、聯電相助的福建晉華集成，第三勢力在兆易創新與前中芯CEO王寧國主導的合肥長鑫合作下也蠢蠢欲動，現在從兆易創新的招募消息與合肥長鑫的環評公告，也可一窺其在合肥的布局。
合肥將發展存儲的消息已不是新聞，但原先傳出與合肥市政府合作的爾必達前社長坂本幸雄，目前得到消息已淡出合
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長江存儲 Flash
日本存儲器大廠東芝(Toshiba)主要的獲利支柱的智能手機存儲器因市場需求大，帶動價格上揚，2016上半會計年度(4~9月)的財報也因而受惠，表現亮眼。
東芝財務長平田政善在11日東芝財報記者會上說明，由于大陸智能手機對于大容量存儲器需求殷切，東芝NAND Flash事業獲利超出預期。
平田表示，在當今智能手機大打硬件規格戰，競爭激烈的情況下，大陸本土手機業者推出的手機較當初預期更早進入64GB、128GB階段，是東芝始料未及的趨勢。根據日經調查，目前市況單一標準規格存儲器約3美元，價格
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東芝 NAND
據韓國經濟報導，傳聞SK海力士(SK Hynix)先前測試生產的48層3D NAND Flash產品已通過客戶端認證，最快將從11月底正式啟動量產;以12吋晶圓計算的月產能可望提高到2萬~3萬片，3D NAND Flash的生產比重也將提高至整體NAND Flash的15%。
業界除了三星電子(Samsung Electronics)已從2015年第4季起開始量產48層產品之外，其他如東芝(Toshiba)、美光(Micron)等，目前都尚未突破技術瓶頸，SK海力士將是第二家進入量產的業者。
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SK海力士 NAND
根據彭博社的報導，受惠于于儲存晶片以及硬碟業務的營收成長，加上撙節計畫的奏效，日本最大半導體生產公司東芝 (Toshiba) 于 31 日將公司 2016 上半年度(4 月到 9 月)的預期營業利益上調 36%，來到 950 億日圓 (約新臺幣 285.83 億元 )，似乎已經完全走出過去因作假帳所造成的經營低潮期。
根據報導，東芝在聲明中表示，除了上調 2016 年上半年的預期營業利益之外，還同時微幅上調了上半年的預期營收，從 2.55 兆日圓上調至 2.58 兆日圓。根據彭博社的統計資料顯示
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