基礎半導體器件領域的專家Nexperia今日宣布推出新型0.55 m? RDS(on) 40 V功率MOSFET，該器件采用高可靠性的LFPAK88封裝，適用于汽車(BUK7S0R5-40H)和工業(PSMNR55-40SSH)應用。這些器件是Nexperia所生產的RDS(on) 值最低的40 V器件，更重要的是，它們提供的功率密度相比傳統D2PAK器件提高了50倍以上。此外，這些新型器件還可在雪崩和線性模式下提供更高的性能，從而提高了耐用性和可靠性。Nexperia產品市場經理Neil M
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Nexperia 低RDS(on) MOSFET
奈梅亨，2021年5月10日：基礎半導體器件領域的專家Nexperia宣布擴充了旗下的Trench肖特基整流器產品組合，最新推出額定電壓和電流分別高達100 V和20 A的全新器件，具有出色的開關性能和領先的熱性能。新器件采用Nexperia的夾片式FlatPower (CFP)封裝，管腳尺寸遠小于SMA/SMB/SMC器件。 Trench工藝可在降低漏電流的同時，大幅減少存儲在器件中的Qrr電荷。因而，Trench肖特基整流器能夠實現超快的開關速度，既能減少整流器的開關損耗，又減少了同一換向單元中MOS
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Nexperia Trench 肖特基整流器
基礎半導體器件領域的專家Nexperia今天宣布其第二代650 V功率GaN FET器件系列開始批量供貨。與之前的技術和競爭對手器件相比，新款器件具有顯著的性能優勢。全新的功率GaN FET具有低至35mΩ（典型值）的RDS(on)性能，適用于2 kW至10 kW的單相AC/DC和DC/DC工業開關模式電源(SMPS)，特別是必須滿足80 PLUS?鈦金級效率認證的服務器電源和高效率要求的電信電源。該器件也非常適合相同功率范圍內的太陽能逆變器和伺服驅動器。 全新650V H2功率GaN FET采用TO-2
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Nexperia MOSFET GaN
基礎半導體器件領域的專家Nexperia宣布推出一系列ESD保護器件，專門用于保護汽車應用中越來越多的高速接口，特別是與信息娛樂和車輛通訊相關的車載網絡(IVN)。 隨著數據傳輸速率的提高和車載電子含量的增加，EMC保護的需求變得越來越重要，提供正確的保護類型已成為設計工程師的巨大挑戰。Nexperia的TrEOS技術優化了ESD保護的三大關鍵參數（信號完整性、系統保護和魯棒性），以提供具有低電容、低鉗位電壓和高ESD魯棒性的理想組合的器件。 全新的PESD4USBx系列總共包括十二款采用Tr
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Nexperia 高速接口 ESD
基礎半導體器件領域的專家Nexperia宣布與國內汽車行業主要供應商聯合汽車電子有限公司（簡稱UAES）在功率半導體氮化鎵（GaN）領域展開深度合作，旨在滿足未來對新能源汽車電源系統不斷提升的技術需求，共同致力于推動GaN工藝技術在中國汽車市場的研發和應用。 隨著汽車電氣化、5G通信、工業4.0市場的不斷增長，基于GaN的主流設計正漸入佳境，勢必推動2021年及未來功率半導體的需求增長。Nexperia GaN FET產品已與UAES在電動汽車的車載充電器、高壓DC-DC直流轉換器等項目中開展研發合作。N
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Nexperia 聯合汽車電子 氮化鎵
關鍵半導體器件領域的專家Nexperia今天宣布推出一系列采用節省空間的LFPAK56D封裝技術的半橋（高端和低端）汽車MOSFET。采用兩個MOSFET的半橋配置是許多汽車應用（包括電機驅動器和DC/DC轉換器）的標準構建模塊。這種新封裝提供了一種單器件半橋解決方案。與用于三相電機控制拓撲的雙通道MOSFET相比，由于去掉了PCB線路，其占用的PCB面積減少了30%，同時支持在生產過程中進行簡單的自動光學檢測(AOI)。LFPAK56D半橋產品采用現有的大批量LFPAK56D封裝工藝，并具有成熟的汽車級
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Nexperia MOSFET AEC-Q101
奈梅亨，2021年2月9日：基礎半導體器件領域的專家Nexperia宣布將在2021年度大幅增加制造能力和研發方面的全球投資。 新投資與公司的發展戰略相吻合。去年，Nexperia的母公司聞泰科技承諾投資120億元人民幣（18.5億美元）在上海臨港新建一座300mm（12英寸）功率半導體晶圓廠。該晶圓廠將于2022年投入運營，預計年產40萬片晶圓。 Nexperia今年的計劃包括提高生產效率，并在其位于德國漢堡和英國曼徹斯特的歐洲晶圓廠試試全新的200mm技術。漢堡晶圓廠還會增加對寬帶隙半導體制造新技術的
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Nexperia 聞泰科技
半導體基礎元器件領域的高產能生產專家Nexperia今天首次宣布推出80 V RET（配電阻晶體管）系列。這些新的RET或“數字晶體管”提供了足夠的余量，可用于48 V汽車板網（如輕度混合動力和EV汽車）和其他更高電壓的電路，這些電路經常受到較大的尖峰和脈沖影響，以前的50 V器件無法處理。 通過在與晶體管相同的SOT23 (250 mW Ptot)或SOT323 (235 mW Ptot)封裝中組合偏置電阻和偏置發射極電阻，RET可以節省空間并降低制造成本。SOT363封裝還提供雙RET（兩個晶體管和兩
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Nexperia RET
半導體基礎元器件領域的高產能生產專家Nexperia今天發布獲得AEC-Q101認證的新重復雪崩專用FET (ASFET)產品組合，重點關注動力系統應用。該技術已通過十億個雪崩周期測試，可用于汽車感性負載控制，例如電磁閥和執行器。除了提供更快的關斷時間（高達4倍）外，該技術還能通過減少BOM數量簡化設計。 在汽車動力總成中的電磁閥和執行器控制領域，基于MOSFET的電源方案通常圍繞著升壓、續流二極管或主動鉗位拓撲結構進行構建。第四個選擇是重復雪崩設計，利用MOSFET的重復雪崩能力來泄放在其關
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Nexperia AEC-Q101 MOSFET
半導體基礎元器件領域的高產能生產專家Nexperia宣布推出適用于CAN-FD應用的新款無引腳ESD保護器件。器件采用無引腳封裝，帶有可濕錫焊接側焊盤，支持使用AOI工具。PESD2CANFDx系列部件完全符合AEC-Q101標準，同時提供行業領先的ESD和RF性能，節省了PCB空間。 Nexperia通過有引腳和無引腳封裝為CAN-FD總線提供硅基ESD保護。帶有可濕錫焊接側焊盤的全新DFN1412D-3和DFN1110D-3無引腳DFN封裝占用的PCB空間比傳統SOT23和SOT323封裝少
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Nexperia CAN-FD 保護二極管
奈梅亨，2020年10月29日：半導體基礎元器件生產領域的高產能生產專家Nexperia將首次亮相于2020年11月5日至10日在上海舉辦的第三屆中國國際進口博覽會并將全方位介紹Nexperia如何運用邏輯IC、分立器件、MOSFET和GAN FET等創新器件推動全球各類電子設計的發展。 Nexperia憑借多元化、高產能的產品組合和行業領先的小封裝技術引領全球市場。Nexperia生產約15,000種產品，每年新增800余種新產品。作為未來創新技術的推動者，Nexperia展臺位于本屆中國國際進口博覽會
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Nexperia
半導體基礎元器件領域的高產能生產專家Nexperia響應行業需求，通過定義一組全新的MOSFET產品，最大限度提高性能。特定型應用FET（簡稱ASFET）所采用的MOSFET能為特定應用提供優化的參數。通過專注于特定的應用，可實現顯著的改進。 Nexperia為電池隔離、電機控制、熱插拔和以太網供電(PoE)應用提供ASFET系列。 定制ASFET可實現的改進因應用而異，例如對于熱插拔應用，安全工作區域(SOA)能提高3至5倍；對于電機應用，最大額定電流可超過300 A。 Nexpe
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Nexperia
2020年10月12日消息，半導體基礎元器件生產領域的高產能生產專家Nexperia宣布新推出一系列LED驅動器，采用DFN2020D-6 (SOT1118D)封裝，能有效節省空間。LED驅動器帶可焊性側面(SWF)，可促進實現AOI（自動光學檢測）并提高可靠性。這是LED驅動器首次采用這種有益封裝。新量產的無引腳的產品加入已經量產的帶引腳的產品提供更廣的產品組合，新產品與SOT223相比，在具備同等性能的情況下，將PCB空間減少了90%。新推出的DFN2020D-6 LED驅動器采用NPN和PNP技術，
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Nexperia LED驅動器
半導體基礎元器件領域的高產能生產專家Nexperia宣布推出全新產品PCMFxHDMI2BA-C，這款集成了ESD保護功能的共模濾波器具有超過10 GHz差分帶寬。它適用于高達12Gbps 的最新HDMI 2.1標準，能夠輕松通過眼圖測試。 Nexperia高速保護和濾波產品經理Stefan Seider說：“HDMI 2.1使顯示器具有更高的分辨率和更出色的色彩。但是，這需要更優秀的抗干擾保護，尤其是在緊湊的無線應用中，這些2合1的ESD和濾波組合器件的性能和小尺寸非常適合對性能和空間有要求
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Nexperia ESD
半導體基礎元器件領域的高產能生產專家Nexperia推出四款全新的TrEOS ESD保護器件，這些器件通過了AEC-Q101認證，適用于車規級應用，并且可承受高達175°C的高溫。同時，與所有TrEOS器件一樣，這些新的車用器件具有很低的電容，可確保高信號完整性，并具有很低的鉗位電壓和高穩健性，適用于新的車載接口。具體的車載應用包括采用USB 3.2、HDMI、LVDS、SerDes和SD卡接口的信息娛樂、多媒體與ADAS系統。 Nexperia的TrEOS ESD保護技術利用有源可控硅整流來克服傳統保護
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Nexperia 車用TrEOS ESD
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