基礎半導體元器件領域的高產能生產專家Nexperia（安世半導體）近日宣布MOSFET器件推出全新增強型電熱模型。半導體制造商通常會為MOSFET提供仿真模型，但一般僅限于在典型工作溫度下建模的少量器件參數。Nexperia的全新先進模型可捕獲-55℃至175℃的整個工作溫度范圍的一系列完整器件參數。這些先進模型中加入了反向二極管恢復時間和電磁兼容性(EMC)，大大提升了器件整體精度。參數可幫助工程師建立精確的電路和系統級仿真，并在原型設計前對電熱及EMC性能進行評估。模型還有助于節省時間和資源，工程師此
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Nexperia 電熱模型 MOSFET
Nexperia（安世半導體）今天隆重宣布 - 慶祝公司作為獨立實體進入半導體行業五周年。Nexperia仍是一個較為年輕的品牌，但憑借過去幾十年在半導體制造領域樹立的良好口碑和強勁表現，經過五個春秋的不懈努力，已經在市場站穩腳跟。 回望2017年成立之初，Nexperia秉持滿懷激情和專業精深的精神積極打造創新產品，既滿足了客戶需求，也實現了與客戶的共同成長。 五年來，Nexperia展現了種種前瞻性理念和業績增長，推出引領市場的產品，實現業界先進水平的產能開發，可在持續滿足嚴苛的車規級標準
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Nexperia
基礎半導體元器件領域的高產能生產專家Nexperia今日宣布推出全系列低電流穩壓器二極管。50μA齊納二極管系列提供3種不同的表貼(SMD)封裝選項，采用超小型分立式扁平無引腳(DFN)封裝以及符合AEC-Q101標準的器件，為客戶提供了更多選擇和靈活性。這些高效率二極管采用在低測試電流(50μA)下的性能工作，非常適合移動、可穿戴、汽車和工業應用中的低偏置電流和便攜式電池供電設備。 Nexperia產品經理Paula Stümer表示：“DFN1006BD-2封裝器件配有可濕錫焊接側側邊可濕錫
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Nexperia 齊納二極管
基礎半導體元器件領域的高產能生產專家Nexperia（安世半導體）今天宣布推出業內首批A-selection齊納二極管。BZT52H-A(SOD123F)和BZX384-A(SOD323)系列的容差僅有±1%，相比B(±2%)和C(±5%)版本，可提供更高精度的基準電壓。這兩個系列不僅可以滿足日漸增長的移動便攜式和可穿戴應用、汽車和工業應用的需求及監管要求，也可以支持Q產品組合器件。 “Nexperia的A-selection齊納二極管涵蓋從1.8V至75V的各種應用，提供高精度、低容差基準電壓
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Nexperia A-selection 齊納二極管
基礎半導體元器件領域的專家Nexperia，今天宣布推出650V、10A SiC肖特基二極管，正式進軍高功率碳化硅(SiC)二極管市場。這對于高效功率氮化鎵(GaN) FET的可靠供應商Nexperia而言是一項戰略性舉措，旨在擴展高壓寬禁帶半導體器件產品范圍。 Nexperia的首款SiC肖特基二極管為工業級器件，重復反向峰值電壓為650V(VRRM)，持續正向電流為10A(IF)，旨在為功率轉換應用實現超高性能、高效率、低損耗。以及兼容高壓的具有更高爬電距離的純雙引腳(R2P)封裝，使該系列
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Nexperia 碳化硅 SiC 二極管
基礎半導體器件領域的專家Nexperia宣布，公司研發的表面貼裝器件-銅夾片FlatPower封裝CFP15B首次通過領先的一級供應商針對汽車應用的板級可靠性 (BLR)測試。該封裝將首先應用于發動機控制單元。 BLR是一種評估半導體封裝堅固性和可靠性的方法。測試遵循極為嚴格的程序，在十分注重安全性和可靠性的汽車應用中具有重要的指導意義。隨著汽車行業向電動和車聯網轉型，車載電子系統越來越復雜，因此該認證至關重要。 Nexperia雙極性功率分立器件產品經理Guido S?h
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Nexperia 表面貼裝器件
基礎半導體器件領域的專家Nexperia，今日宣布將于9月21日至23日舉辦‘Power Live’，這是其第二次舉辦此年度虛擬會議。鑒于去年首屆活動取得圓滿成功，本屆為期三天的活動將擴大規模，涵蓋與功率電子元件相關的眾多主題，包括面向汽車和工業應用的GaN、MOSFET、功率二極管和雙極性晶體管。 會議重點將包括：l MOSFET全電熱模型Nexperia新款MOSFET電熱模型的詳細預覽，該模型可以在仿真中準確呈現器件的靜態和動態特性，并降低在設計過程后期發現EMC問題的風險。 l
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Nexperia Power Live
基礎半導體器件領域的專家Nexperia非常榮幸地宣布，公司榮獲博世全球供應商榮譽大獎“采購直接材料 - 移動解決方案”。連續兩次獲得這一殊榮足以證明Nexperia與全球領先的技術和服務供應商博世已建立長期協作關系，包括合作進行早期階段的產品開發，以應對汽車行業面臨的挑戰。 博世供應鏈管理主管Arne Flemming博士表示：“博世全球供應商大獎旨在表彰全球各地的最佳供應商。作為開發和創新領域的合作伙伴，他們在幫助博世保持競爭力方面發揮了重要作用。” 每隔兩年，博世會從全球各地的供應商中挑
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Nexperia 博世 供應商大獎
新推出的80 V和100 V器件最大限度降低額定值，并改善均流，從而提供最佳性能、高可靠性并降低系統成本。基礎半導體器件領域的專家Nexperia今日宣布推出新款80 V和100 V ASFET，新器件增強了SOA性能，適用于5G電信系統和48 V服務器環境中的熱插拔與軟啟動應用以及需要e-fuse和電池保護的工業設備。 ASFET是一種新型MOSFET，經過優化，可用于特定應用場景。通過專注于對某一應用至關重要的特定參數，有時需要犧牲相同設計中其他較不重要的參數，以實現全新性能水平。新款熱插拔ASFET
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Nexperia MOSFET
基礎半導體器件領域的專家Nexperia今日宣布推出9款新的功率雙極性晶體管，擴大了具有散熱和電氣優勢的DPAK封裝的產品組合，涵蓋2 A - 8 A 和45 V - 100 V應用。新的MJD系列器件與其他DPAK封裝的MJD器件引腳兼容，且在可靠性方面有著顯著優勢。新的MJD系列雙極性晶體管滿足AEC-Q101汽車級器件和工業級器件標準，額定值為2 A 50 V (MJD2873/-Q)、3 A 100 V (MJD31CH-Q)、4 A 45 V (MJD148/-Q)和6 A 100 V（MJD4
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MJD系列 Nexperia 功率產品
由飛利浦（現為Nexperia）于1991年創立的半導體設備制造商ITEC，今日宣布成為獨立實體。ITEC仍然是Nexperia集團的一部分。通過此舉，ITEC能夠及時解決第三方市場的問題，滿足對半導體的噴井式需求。ITEC致力為全球半導體制造商提供經久耐用的創新性制造解決方案。 ITEC一直處于半導體生產的前沿。總經理Marcel Vugts表示：“ITEC扎根于半導體制造領域，作為飛利浦、恩智浦和Nexperia的合作伙伴，我們將30多年來的自動化專業知識與最先進的設備結合起來。ITEC致力于將最新的
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ITEC Nexperia
基礎半導體器件領域的專家Nexperia宣布已完成收購Newport Wafer Fab (NWF)的交易，此舉可助力公司實現宏偉的增長目標和投資，進一步提高全球產能。通過此次收購，Nexperia獲得了該威爾士半導體硅芯片生產工廠的100%所有權。Nexperia Newport將繼續在威爾士半導體生態系統中占據重要地位，引領新港地區和該區域其他工廠的技術研發。 Nexperia是Newport Wafer Fab所提供晶圓代工服務的客戶，并于2019年通過投資Neptune 6 Limite
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Nexperia Fab
基礎半導體器件領域的專家Nexperia今日宣布推出用于標準邏輯器件的全球最小且最薄的14、16、20和24引腳封裝。例如，16引腳DHXQFN封裝比行業標準DQFN16無引腳器件小45%。新封裝不但比競爭產品管腳尺寸更小，而且還節省了25%的PCB面積。封裝尺寸僅為2 mm x 2 mm（14 引腳）、2 mm x 2.4 mm（16引腳）、2 mm x 3.2 mm（20引腳）和2 mm x 4 mm（24引腳），0.4 mm間距的DHXQFN封裝只有0.45 mm高。器件包括：十六路反向
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Nexperia DHXQFN封裝
基礎半導體器件領域的專家Nexperia今日宣布，位于英國曼徹斯特的新8英寸晶圓生產線啟動，首批產品使用最新的NextPower芯片技術的低RDS(on)和低Qrr ，80 V和100 V MOSFET。新生產線將立即擴大Nexperia的產能，新的PSMN3R9-100YSF (100 V)和PSMN3R5-80YSF (80 V)器件將具有行業內極低的Qrr品質因數(RDS(on) x Qrr)。Nexperia產品經理Mike Becker指出：“鑒于全球半導體短缺的情況下，Nexperia積極投資
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Nexperia MOSFET
基礎半導體器件領域的專家Nexperia宣布了全球增長戰略最新舉措，即在未來12個月至15個月期間投資7億美元用于擴建歐洲的晶圓廠、亞洲的封裝和測試工廠和全球的研發基地。 新投資將提高所有工廠的制造能力、支持氮化鎵(GaN)寬帶隙半導體和電源管理IC等領域的研發，并將支持舉辦招聘活動，吸引更多芯片設計師和工程師人才。 Nexperia首席運營官Achim Kempe表示：“全球半導體市場正逐漸走出去年上半年以來的頹勢，并重新崛起。2020年，Nexperia 年銷售額為14億美元，銷量從去年第三季度和第四
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