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nexperia 文章 最新資訊

Nexperia（安世半導體）宣布推出新一代 650V 氮化鎵 (GaN) 技術

  • 半導體基礎元器件生產領域的高產能生產專家Nexperia宣布推出一系列采用新一代H2技術的全新高壓氮化鎵場效應管。新器件包含兩種封裝，TO-247 和Nexperia專有的CCPAK。兩者均實現(xiàn)了更出色的開關和導通性能，并具有更好的穩(wěn)定性。由于采用了級聯(lián)結構并優(yōu)化了器件相關參數(shù)，Nexperia的氮化鎵場效應管無需復雜的驅動和控制，應用設計大為簡化；使用標準的硅MOSFET 驅動器也可以很容易地驅動它們。 新的氮化鎵技術采用了貫穿外延層的過孔，減少了缺陷并且芯片尺寸可縮小約24%。TO-247
  • 關鍵字： Nexperia  650V   氮化鎵  GaN  

Nexperia鍺化硅整流器兼具一流高效率、熱穩(wěn)定性，節(jié)省空間

  • ?奈梅亨，2020年5月27日：半導體基礎元器件生產領域的高產能生產專家Nexperia推出了一系列反向電壓為120 V、150 V和200 V的新鍺化硅(SiGe)整流器，兼具肖特基整流器的高效率與快速恢復二極管的熱穩(wěn)定性。?新款1-3 A SiGe整流器以汽車、通信基礎設施和服務器市場為目標市場，尤其適合高溫應用，例如，LED照明、發(fā)動機控制單元或燃油噴射。這些新推出的極低泄漏器件提供擴展的安全工作區(qū)域，在不超過175 °C的條件下不會發(fā)生熱失控。同時，工程師也可以使用適用于高溫設
  • 關鍵字： 肖特基.快速恢復二極管  Nexperia  鍺化硅整流器  

NexperiaP溝道MOSFET，采用省空間堅固LFPAK56封裝

  • 半導體基礎元器件生產領域的高產能生產專家Nexperia宣布首次采用高魯棒性、高空間利用率的LFPAK56 (Power-SO8)封裝的P溝道MOSFET系列產品。新器件符合AEC-Q101標準，適合汽車應用，可作為DPAK MOSFET的理想替代產品，在保證性能的基礎上，將封裝占位面積減少了50%以上。  新系列產品在30 V至60 V工作電壓范圍內可供選擇，導通電阻RDS(on)低至10 mΩ (30 V)。 LFPAK封裝采用銅夾片結構，由Nexperia率先應用，已在汽車等要求
  • 關鍵字： Nexperia  P溝道  MOSFET  LFPAK56封裝   

Nexperia推出超微型MOSFET具備低導通電阻RDS(on)

  • Nexperia推出的超微型MOSFET占位面積減小36%，且具備低導通電阻RDS(on)半導體基礎元器件生產領域的高產能生產專家Nexperia發(fā)布了一系列MOSFET產品，采用超小型DFN0606封裝，適用于移動和便攜式產品應用，包括可穿戴設備。這些器件還提供低導通電阻RDS(on)，采用常用的0.35 mm間距，從而簡化了PCB組裝過程。?PMH系列MOSFET采用了DFN0606封裝，占位面積僅為0.62 x 0.62 mm，與前一代DFN1006器件相比，節(jié)省了超過36%的空間。由于采
  • 關鍵字： ?Nexperia  MOSFET  

Nexperia推出首款支持USB4標準的ESD保護器件

  • 奈梅亨，三月 10, 2020：Nexperia，分立器件、MOSFET器件及模擬和邏輯器件領域的生產專家，今日宣布推出PESD2V8R1BSF，這是業(yè)內首款專門針對USB4TM標準開發(fā)的ESD保護器件，具有行業(yè)領先的RF性能。新款器件采用Nexperia的TrEOS ESD技術與有源可控硅（SCR）技術，USB4TM和Thunderbolt接口設計工程師將會特別感興趣。該器件可實現(xiàn)極低電容（低至0.1 pF）；極低鉗位電壓 動態(tài)電阻低至0.1 ?）以及非常穩(wěn)健的防浪涌與ESD性能（，最高可達20A 8/
  • 關鍵字： Nexperia  USB4  ESD  保護器件  

Nexperia與Ricardo合作開發(fā)基于GaN的EV逆變器設計

  •  奈梅亨，2020年2月25日：分立器件、MOSFET器件、GaN FET器件及模擬和邏輯器件領域的生產專家Nexperia宣布與知名汽車工程咨詢公司Ricardo合作，以研制基于氮化鎵(GaN)技術的EV逆變器技術演示器。 GaN是這些應用的首選功率器件，因為GaN FETs使系統(tǒng)以更低的成本達到更高的效率、更好的熱性能和更簡單的開關拓撲。在汽車領域，這意味著車輛行駛里程更長，而這正是所有電動汽車消費者最關心的問題。現(xiàn)在，GaN即將取代基于硅的IGBT和SiC，成為插電式混合動力汽車
  • 關鍵字： Nexperia  GaN  EV逆變器  

Nexperia面向汽車以太網(wǎng)新硅基 ESD 防護器件

  •  奈梅亨，2020年 2 月 11 日：分立元件、MOSFET 元件及模擬和邏輯 IC 的專業(yè)制造商 Nexperia，今天宣布針對 100BASE-T1 和 1000BASE-T1 汽車以太網(wǎng)系統(tǒng)推出業(yè)界領先且符合 OPEN Alliance 標準的硅基 ESD 防護器件 。 OPEN (One-Pair Ether-Net) Alliance Special Interest Group (SIG) 是由汽車工業(yè)和技術供應商組成的非營利聯(lián)盟，他們相互協(xié)作，鼓勵廣泛采用基于以太網(wǎng)的網(wǎng)
  • 關鍵字： Nexperia  汽車以太網(wǎng)  OPEN Alliance  ESD  

MJD 雙極晶體管（高達 8 A）豐富了 Nexperia 功率產品系列

  • 近日，總部位于荷蘭的分立和 MOSFET 器件及模擬與邏輯 IC領域的專家Nexperia公司今日推出一款全新高質量、高可靠性 的MJD 3 A 和 8 A 功率汽車雙極晶體管（符合 AEC-Q101 標準以及消費者/工業(yè)標準）。該款產品組合包括8款同時支持 80 V 和 100 V 及NPN 和 PNP 型的元件。這些符合行業(yè)標準尺寸的通用元件如今補充了 Nexperia 現(xiàn)有的高性能雙極功率晶體管產品系列，從而進一步豐富了本公司的功率雙極半導體系列。應用場景有：LED 汽車照明；LCD 顯示器背光源調
  • 關鍵字： Nexperia  

Nexperia 推出行業(yè)領先性能的高效率氮化鎵功率器件 (GaN FET)

  • 近日，分立、邏輯和 MOSFET 器件的專業(yè)制造商Nexperia，今天推出650V的功率器件GAN063-650WSA，宣布其進入氮化鎵場效應管(GaN)市場。這款器件非常耐用，柵極電壓 (VGS) 為 +/- 20 V，工作溫度范圍為 -55 至 +175 °C。GAN063-650WSA的特點是低導通電阻（最大RDS(on) 僅為 60 m?）以及快速的開關切換；效率非常高。Nexperia氮化鎵器件的目標是高性能要求的應用市場，包括電動汽車、數(shù)據(jù)中心、電信設備、工業(yè)自動化和高端電源。Nexperi
  • 關鍵字： Nexperia  GaN FET  氮化鎵功率器件  MOSFET 器件  

要提高功率密度，除改進晶圓技術之外，還要提升封裝性能

  • 汽車和工業(yè)應用都需要不斷提高功率密度。例如，為了提高安全性，新的汽車動力轉向設計現(xiàn)在要求雙冗余電路，這意味著要在相同空間內容納雙倍的元器件。再舉一個例子，在服務器群中，每平方米都要耗費一定成本，用戶通常每18個月要求相同電源封裝中的輸出功率翻倍。如果分立式半導體供應商要應對這一挑戰(zhàn)，不能僅專注于改進晶圓技術，還必須努力提升封裝性能。總部位于荷蘭的安世半導體是分立器件、MOSFET器件、模擬和邏輯集成電路領域的領導者，該公司率先在-功率封裝（LFPAK無損封裝）內部采用了全銅夾片芯片貼裝技術，目的是實現(xiàn)多種
  • 關鍵字： Nexperia  LFPAK封裝  

Nexperia 榮膺博世全球供應商獎

  • 奈梅亨，2019 年 7 月 18 日：分立器件、 MOSFET 器件及模擬與邏輯 IC 專家 Nexperia 今日宣布其榮膺“直接材料采購——移動解決方案”類博世全球供應商獎。Nexperia 憑借 2017-2018 年度的卓越表現(xiàn)和團隊合作，從博世的 43,000 家實力供應商中脫穎而出，躋身 47 家獲此殊榮的公司之列。自 1987 年起，博世每兩年頒發(fā)此獎，以此鼓勵在產品生產與供應或服務中表現(xiàn)杰出的公司，該獎項尤其關注質量、成本、創(chuàng)新和物流。今年的頒獎典禮在德國不萊夏舉行，其主題是：“共同變革
  • 關鍵字： Nexperia  博世全球供應商獎  

安世半導體：深化中國戰(zhàn)略 鞏固規(guī)模優(yōu)勢

  • 2017年從NXP標準化產品部獨立而成的安世半導體專注于高度可靠的創(chuàng)新分立式器件、MOSFET和邏輯產品組合。在分立器件領域，規(guī)模化是企業(yè)競爭中非常重要的優(yōu)勢，產能則是規(guī)模化優(yōu)勢最明顯的體現(xiàn)。作為一家中國資本投資，歐洲團隊管理運作的企業(yè)，通過深化中國戰(zhàn)略，鞏固產能為主的規(guī)模化優(yōu)勢，安世半導體兩年間實現(xiàn)了飛速的增長。?規(guī)模優(yōu)勢帶來的是企業(yè)的快速發(fā)展，安世獨立之后就開始深化在中國市場的投資，不斷擴充生產規(guī)模，每年將10%的銷售收入用于資本投入，其中73%用于擴充產能，這使得安世半導體在兩年里實現(xiàn)了超
  • 關鍵字： 安世  nexperia  標準器件  LED  

Nexperia 與 Avnet 共同慶祝合作 50 周年

  • 　　全球領先的分立元件、邏輯元件與 MOSFET 元件制造商 Nexperia 及全球技術解決方案供應商 Avnet 今日宣布慶祝半個世紀以來取得的輝煌成就。Avnet 為客戶提供從理念到設計，從原型到生產的全套服務。　　雙方首次合作始于 1968 年，當時 Avnet 將 Signetics 作為其首個聯(lián)營公司。2006 年 Signetics 被飛利浦收購，更名 NXP。后來，NXP 的標準產品分部獨立為一家公司 Nexperia，成為分立元件、邏輯元件與 MOSFET 元件的強勢力量。Nex
  • 關鍵字： Nexperia  Avnet   

安世東莞廠全面擴產 中資半導體引領未來

  • Nexperia(安世半導體)3月初宣布安世半導體(中國)有限公司著力擴建的廣東新分立器件封裝和測試工廠正式投產，全廠總面積達到72,000 平方米，新增16,000 平方米生產面積，年產量達到900 億件;根據(jù)產品組合，實現(xiàn)增長約50%，有力地支持了今后數(shù)年Nexperia 雄心勃勃的業(yè)務發(fā)展計劃。廣東新工廠的投產，使Nexperia 全年總產量超過1 千億件。本次新工廠投產的最大推動力源于2016年中國的建廣資產以27.5億美元收購恩智浦（NXP）標準件業(yè)務，并以此為基礎組建了全新的Nexperia(
  • 關鍵字： Nexperia  分立器件  MOSFETs  邏輯器件  

安世半導體Nexperia標準器件行業(yè)峰會圓滿落幕

  • 　　2018年3月6日下午，由Nexperia安世半導體(中國)有限公司主辦的Nexperia標準器件行業(yè)峰會與安世半導體新工廠投產典禮同期舉行。Nexperia標準器件行業(yè)峰會是行業(yè)主管部門、行業(yè)協(xié)會、產業(yè)專家和商業(yè)合作伙伴探討最新中國半導體集成電路工業(yè)發(fā)展趨勢的交流互動平臺。 　　峰會以“中國半導體集成電路及標準器件的產業(yè)格局和行業(yè)趨勢”為主題，熱烈討論了在中國半導體產業(yè)加速發(fā)展的大背景下， Nexperia安世半導體與各行各業(yè)標準器件應用領軍企業(yè)及上下游晶圓制造、代理分銷龍
  • 關鍵字： Nexperia  標準器件  
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