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東芝：泄密了的閃存技術(shù)走勢

　　全球市場研究機構(gòu)TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange的數(shù)據(jù)表明，東芝2014年會計年度第二季(7月~9月)的NAND Flash營運表現(xiàn)最亮眼，位出貨量季成長25%以上，營收較上季度成長23.7%。　　東芝電子(中國)有限公司董事長兼總經(jīng)理田中基仁在日前的2014年高交會電子展上也透露，2014年東芝在中國的閃存生意非常好。東芝在高交會電子展上展示的存儲技術(shù)和產(chǎn)品也是很有分量的，從MLC、MMC到SLC，都可以看到最新的產(chǎn)品，并且東芝的技術(shù)動向，也在引領(lǐng)未來閃存的發(fā)展趨勢。
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美光聯(lián)手華邦電：推NOR Flash搶攻物聯(lián)網(wǎng)應用商機

　　美國存儲器大廠美光(Micron)宣布，與存儲器廠商華邦電擬進一步合作開發(fā)新一代超高速序列式編碼型快閃存儲器(Serial NOR Flash)，搶攻汽車電子、穿戴裝置，以及智慧家庭等物聯(lián)網(wǎng)應用商機，預計2015年1月就會開始送樣認證1GB芯片。　　 ? 　　據(jù)了解，美光日前宣布與華邦電結(jié)盟，雙方將開發(fā)新一代Twin-Quad的超高速序列式NOR Flash產(chǎn)品線;雙方所合作的Twin-Quad序列式NOR Flash，比NAND Flash速度更快，且比現(xiàn)有序列式NOR Fla
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無NAND之地：閃存無法占領(lǐng)數(shù)據(jù)中心？

　　NAND會不會徹底占據(jù)數(shù)據(jù)中心？答案是不會。截至2018年的磁盤與SSD出貨容量預測顯示，磁盤的發(fā)展速度將一路高于閃存方案。SSD整體出貨容量與磁盤間的差距正逐步拉大。原因可能是先天的。NAND幾何尺寸的每一次縮減都會給制造流程帶來巨大的成本壓力、并要求供應商利用更多配套解決方案保持現(xiàn)有使用壽命——具體而言，在每天寫滿一次的條件下正常工作五年才是最基本的可接受水平。
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閃存存儲技術(shù)迅速走向成熟

　　閃存技術(shù)在中國這幾年已經(jīng)獲得突飛猛進的發(fā)展，正在迅速走向成熟，之前阻礙閃存普及的價格門檻，正在逐步降低，未來閃存的可靠性會和價格一齊下降，但我們能夠通過系統(tǒng)軟件來更好地實現(xiàn)閃存的利用價值。　　Gartner 大中華區(qū)數(shù)據(jù)中心架構(gòu)與管理首席分析師張瑾　　2013年的中國閃存市場　　Gartner 大中華區(qū)數(shù)據(jù)中心架構(gòu)與管理首席分析師張瑾首先用數(shù)字說明2013年對于閃存來說絕對是一個不平凡的一年，首先閃存顆粒，Gartner的研究表明，每GB的價格成本下降41%，這是一個非常大的下降的
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數(shù)據(jù)經(jīng)濟時代閃存能否成棟梁

　　隨著互聯(lián)網(wǎng)、云計算、移動終端和物聯(lián)網(wǎng)的迅猛發(fā)展，全球數(shù)據(jù)量每兩年翻倍的速度增長，人們選用的存儲介質(zhì)也發(fā)生了較大的變化，到2020年全球數(shù)據(jù)總量將達到44ZB。如此高速增長的數(shù)據(jù)，采取什么樣的存儲更為愉快?閃存能否成為未來存儲的棟梁? 俗話說：以史為鑒，可以知興替。回顧過往，存儲行業(yè)從很久以前的磁帶存儲方式過渡到磁盤存儲方式，磁帶存儲沒有消亡，但磁盤占了主流。當前從磁盤存儲方式逐漸過渡到閃存方式，未來磁盤存儲不會消亡，但閃存勢必會占據(jù)
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PMC FlashTec NVRAM：抓住閃存細分市場需求

當前，基于閃存的創(chuàng)新已經(jīng)成為數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域最大的熱點，市場上已經(jīng)涌現(xiàn)出五花八門的閃存產(chǎn)品。大家公認閃存對于數(shù)據(jù)中心應用的加速效果十分明顯，無論是服務器內(nèi)部的固態(tài)硬盤、PCI-E閃存卡還是混合陣列、全閃存陣列都已經(jīng)在數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域得到驗證，尤其是隨著閃存成本價格穩(wěn)步下降，閃存在數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域的應用趨勢必然加快。同時，隨著云計算、大數(shù)據(jù)、社交網(wǎng)絡、移動化四大趨勢的來臨，超大型數(shù)據(jù)中心用戶對于加速的需求更進一步，傳統(tǒng)的閃存產(chǎn)品已經(jīng)不能較好滿足超大型數(shù)據(jù)中心用戶某些關(guān)鍵性應用需求，超高性能的閃存產(chǎn)品成為這些超大型數(shù)據(jù)中
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干掉閃存下代MRAM首次展示：快7倍

　　近日，日本TDK首次展示了新型存儲技術(shù)MRAM的原型，有望取代如今遍地都是的Flash閃存。MRAM全稱磁阻隨機訪問內(nèi)存，已經(jīng)存在一段時間了，但是TDK將其帶到了一個新的高度。它以磁荷為數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)，而它的名字來自自旋傳輸矩，也即是寫入數(shù)據(jù)的時候利用電子角動量來改變磁場。　　MRAM技術(shù)的讀寫速度可以媲美SRAM、DRAM，當同時又是非易失性的，也就是可以斷電保存數(shù)據(jù)，等于綜合了RAM、Flash的優(yōu)點。　　TDK多年來一直在研究STT-MRAM，但此前從未公開展示。這次拿出的原型芯片和一個NOR&n
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閃存供應商SanDisk第三季度凈利潤同比降5%

　　10月17日，美國閃存供應商SanDisk今天發(fā)布了2014財年第三季度財報。財報顯示，由于重組和收購導致成本增長9%，SanDisk第三季度凈利潤同比下滑5%。由于業(yè)績未達分析師預期，SanDisk股價在盤后交易中下跌3%。　　在截至9月28日的今年第三季度，SanDisk凈利潤為2.627億美元，合每股收益1.09美元，上年同期凈利潤為2.769億美元，合每股收益 1.18美?元;不計入一次性支出，SanDisk第三季度每股收益1.45美元。同時，第三季度SanDisk營收為17.5億
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干掉閃存 - 下代MRAM首次展示：快7倍

　　近日，日本TDK首次展示了新型存儲技術(shù)MRAM的原型，有望取代如今遍地都是的Flash閃存。MRAM全稱磁阻隨機訪問內(nèi)存，已經(jīng)存在一段時間了，但是TDK將其帶到了一個新的高度。它以磁荷為數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)，而它的名字來自自旋傳輸矩，也即是寫入數(shù)據(jù)的時候利用電子角動量來改變磁場。　　MRAM技術(shù)的讀寫速度可以媲美SRAM、DRAM，當同時又是非易失性的，也就是可以斷電保存數(shù)據(jù)，等于綜合了RAM、Flash的優(yōu)點。　　TDK多年來一直在研究STT-MRAM，但此前從未公開展示。這次拿出的原型芯片
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干掉閃存 - 下代MRAM首次展示：快7倍

　　MRAM以磁荷為數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)，而它的名字來自自旋傳輸矩，也即是寫入數(shù)據(jù)的時候利用電子角動量來改變磁場。MRAM是以取代Flash為使命的。目前TDK已經(jīng)推出這種存儲技術(shù)的原型。
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市場報告：蘋果將在2015年購買全球25%閃存

　　根據(jù)臺灣市場研究公司Trendforce的最新報告，蘋果將在2015年購買全球25%的閃存。DRAM(DynamicRandomAccessMemory)，即動態(tài)隨機存取存儲器，最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。蘋果iPhone、iPad和Mac都使用了這種DRAM內(nèi)存。　　在iPhone和iPad中，蘋果通常會配備1GB運行內(nèi)存，而Mac配備的內(nèi)存可以高達16GB。在PC的世界中，使用更高的內(nèi)存可以讓系統(tǒng)運行速度更快，不過增加內(nèi)存的方式現(xiàn)在已經(jīng)逐漸被更換固態(tài)硬盤替代。在移
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中芯國際進軍閃存，自主研發(fā)38nm NAND來了

　　雖然規(guī)模和技術(shù)遠遠不如TSMC臺積電、UMC臺聯(lián)電等代工巨頭，不過中芯國際(SMIC)這兩年發(fā)展的還不錯，28nm工藝年初也正式量產(chǎn)了，還從 TSMC手中搶到了部分高通處理器訂單，現(xiàn)在他們準備進軍新的市場領(lǐng)域了——向客戶推出38nm工藝的NAND閃存，而且是中芯國際自主研發(fā)的技術(shù)。　　中芯國際進軍閃存，自主研發(fā)38nm NAND來了　　NAND閃存的重要性不必說，目前SSD固態(tài)硬盤以及消費電子上所用的存儲器多數(shù)都是基于NAND閃存，目前全球主要的NAND產(chǎn)能都掌握在三星
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SanDisk宣布11億美元收購Fusion-io

　　北京時間6月16日晚間消息，SanDisk(102, 3.53, 3.58%) Corp(SNDK)周一宣布，已同意以11億美元現(xiàn)金收購閃存設備制造商Fusion-io Inc(FIO)。　　根據(jù)交易條款，SanDisk將為每股Fusion-io股票支付11.25美元，較該股上周五收盤價溢價21%。　　SanDisk預計此項交易將于其第三財季完成，并將幫助提高其下半財年調(diào)整后每股盈利。　　Fusion-io位于美國鹽湖城，主要為數(shù)據(jù)中心生產(chǎn)閃存產(chǎn)品和軟件;Sandisk位于加州
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東芝開始提供業(yè)內(nèi)首批符合UFS 2.0的嵌入式NAND閃存模塊的樣品出貨

　　東京—東芝公司(TOKYO：6502)旗下的半導體&存儲產(chǎn)品公司今天宣布，即日起開始提供符合JEDEC UFS[1] 2.0版本標準的32GB和64GB嵌入式NAND閃存模塊的樣品出貨。東芝在業(yè)內(nèi)率先提供此產(chǎn)品[2]。這兩種模塊還集成了UFS 2.0版本的可選功能——5.8Gbps高速MIPI? M-PHY?[3]HS-G3 I/F，并實現(xiàn)了超高性能，包括650MB/s的讀取速度和180MB/s的寫入速度。　　傳輸速度的加快可縮短各
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TDK推出支持M.2 form factor的SSD SNG4A系列

　　據(jù)悉，TDK株式會社(社長：上釜健宏)將于2014年8月開始銷售工業(yè)用NAND閃存模塊SNG4A系列，該系列產(chǎn)品支持M.2插槽、是尺寸約22mm×42mm的小型SSD，通過采用SLC型NAND閃存使容量陣容可擴充至64GByte，并支持串行ATAⅡ。　　目前，在消費用途方面M.2作為今后主流的form factor而備受關(guān)注，而在工業(yè)用途方面，預計M.2的采用也會得到推進。工業(yè)用主板所呈現(xiàn)出的趨勢是在重視轉(zhuǎn)發(fā)速度的同時，更加重視可靠性，許多裝置的使用年限都超過了10年。　　因此，考
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