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nor 閃存 文章 最新資訊

賽普拉斯FL-L NOR 閃存系列迎來新成員,為汽車、工業和物聯網應用實現更高安全性、可靠性和性能

  •   全球領先的嵌入式解決方案提供商賽普拉斯半導體公司今日宣布其配備四串行外設接口(Quad?SPI)的NOR閃存系列新增64Mb和128Mb產品。全新的兩款FL-L?NOR閃存可為那些在擴展溫度范圍內運行并需要存儲重要數據的嵌入式系統提供最高可靠性和安全性。該系列閃存產品具備低功耗和AEC-Q100汽車認證,并且能夠在擴展溫度范圍內提供更高的讀帶寬和更快的編程速度。借助小巧、統一的4KB物理存儲單元,該系列閃存產品能夠以最佳方式存儲程序代碼和參數數據,是高級輔助駕駛系統(ADAS)、汽
  • 關鍵字: 賽普拉斯  NOR  

海力士謀劃72層堆疊閃存:單顆輕松1TB

  •   如今各種設備對于NAND閃存的容量要求越來越高,迫使廠商們不得不持續改進技術,尤其是強化3D堆疊設計。SK海力士就計劃在今年量產72層堆疊閃存。   2015年,SK海力士量產了第二代36層堆疊3D MLC NAND(3D-V2),單晶粒容量128Gb(16GB)。   2016年,SK海力士推出了第三代48層堆疊的3D-V3,閃存類型改成TLC,重點單晶粒容量256Gb(32GB),而封裝芯片的容量最高可以達到4096Gb(512GB)。   2017年,我們將看到SK海力士的第四代3D-V4
  • 關鍵字: 海力士  閃存  

工序失衡!2017 DRAM內存缺貨/漲價繼續蔓延

  •   從2016年下半年開始,內存、閃存的缺貨漲價勢頭開始上揚,2017年這一局面將繼續擴散蔓延,而且一整年都未必會有改觀。     據臺灣經濟日報報道,內存大廠金士頓近日表態,今年因為主要的DRAM內存大廠都沒有增產計劃,全年DRAM內存都面臨缺貨窘境。此外,群聯公司董事長潘建成也強調,NAND閃存因為進入3D世代,制程良率無法提升,預計將缺貨一整年。   日前,金士頓董事長陳建華出席群聯竹南三廠上梁典禮時,針對DRAM內存市場進行了分析,他表示,目前主要DRAM內存大廠都沒有增產計劃
  • 關鍵字: DRAM  閃存  

長江存儲和美光科技展開合作談判 涉及到閃存以及內存技術授權

  •   中國半導體廠商近來加大了海外收購、合作的力度。早前行業內曾經傳言,中國紫光集團可能會收購美國閃存、內存制造巨頭美光科技公司,但是傳言并未有下文。日前,紫光旗下公司證實,正在和美光進行有關技術授權、成立合資公司的談判。   據報道,作出上述表態的是中國長江存儲公司的副董事長丁文武。長江存儲是紫光集團旗下設立在武漢的企業,董事長正是紫光集團掌門人趙偉國。   日前在合肥的一次會議上,丁文物對于記者表示,目前長江存儲公司正在和美光科技公司進行談判,涉及到閃存以及內存技術的授權,但是還沒有達成協議。這位高
  • 關鍵字: 長江存儲  閃存  

三星最賺錢業務將被中國企業吃掉?

  • 伴隨著中國增加閃存投資,其和三星的閃存市場份額差距正在縮小,而技術上中國在過去10年時間里培養了一批人才,積累了一定技術,在技術上迅速縮小與三星的差距。
  • 關鍵字: 三星  閃存  

SLC、MLC、TLC閃存芯片的區別

  • SLC、MLC和TLCX3(3-bit-per-cell)架構的TLC芯片技術是MLC和TLC技術的延伸,最早期NAND Flash技術架構是SLC(Single-Level Cell),原理是在1個存儲器儲存單元(cell)中存放1位元(bit)的資料,直到MLC(Multi-Level Ce
  • 關鍵字: SLC  MLC  TLC  閃存  

LSI閃存解決方案提升虛擬機密度和性能

  • LSI公司(NASDAQ: LSI)日前宣布推出集成VMware虛擬化軟件支持的LSI® Nytro™ XD應用加速存儲解決方案。該款帶VMware支持的Nytro XD解決方案可將PCIe®閃存
  • 關鍵字: LSI  閃存  虛擬機   

NAND flash和NOR flash的區別詳解

  • 我們使用的智能手機除了有一個可用的空間(如蘋果8G、16G等),還有一個RAM容量,很多人都不是很清楚,為什么需要二個這樣的芯片做存儲呢,這就是我
  • 關鍵字: NOR flash  Nand flash  FlaSh  

最快NOR閃存+突破性接口,Spansion帶用戶體驗“極

  • 新春過后不久,Spansion又帶來了它的得意新作——Spansion® HyperBus™ 接口和基于該新接口的產品家族HyperFlash™ NOR閃存設備。據悉,搭載了
  • 關鍵字: 最快  閃存  突破  接口  

Spansion完成對富士通微控制器和模擬業務部門收購

  • 2013年 08月02日,中國北京 — 行業領先的嵌入式市場閃存解決方案創新廠商Spansion 公司(紐約證交所代碼:CODE)今天宣布已經完成對富士通半導體有限
  • 關鍵字: 富士通  嵌入式  閃存   

四種閃存設計優劣點分析

  • 由于閃存比傳統媒介有著更為明顯的優勢,在過去一年里,閃存的普及率開始飆升。不過,我們總是很難判斷不同閃存產品之間的區別。在本文中,我
  • 關鍵字: NFS  PCIe  NAS  DRAM  閃存  

LSI SandForce揭幕SHIELD閃存糾錯技術

  • LSI SandForce詳細介紹了其下一代固態硬盤(SSD)控制器內置的全新糾錯方法,稱為SHIELD。SandForce在在加利福尼亞州圣克拉拉召開的Flash Memory Summit峰會上披
  • 關鍵字: LSI  閃存  SSD   

Spansion 起訴旺宏電子侵犯其專利權

  • 2013年 08 月 15 日,中國北京 — 行業領先的嵌入式市場閃存解決方案創新廠商Spansion 公司(紐約證交所代碼:CODE)今日宣布起訴臺灣旺宏電子股份有限
  • 關鍵字: Spansion  旺宏電子  閃存   

東芝要做64層3D閃存:三星48層情何以堪?

  •   三星3D V-NAND立體堆疊閃存行業聞名,而且已經堆到了驚人的48層,工藝精良,不過據《日經亞洲評論》報道,東芝正在謀劃多達64層的NAND閃存,比三星多三分之一!   7月15日,東芝舉辦了日本三重縣四日市(Yokkaichi)半導體二廠的啟用儀式,并透露將在此生產48層堆疊閃存,并計劃2016財年(截止到2017年3月底)內量產。   這種閃存的成本和價格會比較高,但是因為容量可以做的更大,平均價格反而會更便宜,可用于從智能手機、固態硬盤到數據中心等各種領域,初期主要供應持續增長的數據中心。
  • 關鍵字: 東芝  閃存  

東芝3D閃存芯片:存儲容量將提高三成

  •   目前,越來越多的智能手機廠商,開始大幅度提高手機閃存的容量,市場對于閃存的需求和技術要求越來越高。據悉,日本東芝和韓國三星電子在閃存技術上存在激烈競爭,而東芝領先了一局,該公司即將大規模生產3D閃存。        手機內存越配越高   據日本經濟新聞周六報道,本財年內(明年三月底之前),東芝公司將會投產最新一代的3D閃存,這將領先于閃存老對手三星電子。   眾所周知的是,東芝因為財務丑聞,公司運營陷入了艱難境地,東芝也希望自己占據技術優勢的閃存業務,能夠提振全公司的表現。
  • 關鍵字: 東芝  閃存  
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nor 閃存介紹

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