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工序失衡!2017 DRAM內存缺貨/漲價繼續蔓延

作者: 時間:2017-01-17 來源:驅動之家 收藏

  從2016年下半年開始,內存、的缺貨漲價勢頭開始上揚,2017年這一局面將繼續擴散蔓延,而且一整年都未必會有改觀。

本文引用地址:http://cqxgywz.com/article/201701/342972.htm
工序失衡!2017 DRAM內存缺貨/漲價繼續蔓延

 

  據臺灣經濟日報報道,內存大廠金士頓近日表態,今年因為主要的內存大廠都沒有增產計劃,全年內存都面臨缺貨窘境。此外,群聯公司董事長潘建成也強調,NAND因為進入3D世代,制程良率無法提升,預計將缺貨一整年。

  日前,金士頓董事長陳建華出席群聯竹南三廠上梁典禮時,針對內存市場進行了分析,他表示,目前主要DRAM內存大廠都沒有增產計劃,而且將主要產能轉移生產3D NAND,造成DRAM內存供需短缺。

  值得一提的是,三星是這波DRAM內存價格上漲的主要推手。目前,三星超過7成產能已經被蘋果以及自家手機、大陸的OPPO/vivo瓜分,能供應給其它品牌的十分有限,其產能轉型為成長速度最快的3D NAND閃存。

  其它廠家也有跟進,但良品率都不及三星,讓三星有資格和能力主導價格調整,以彌補其Note 7手機停產造成的損失。

  除了DRAM內存工序失衡外,相關PCB板材料短缺,也是價格上漲的因素之一。



關鍵詞: DRAM 閃存

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