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東芝轉(zhuǎn)讓閃存業(yè)務(wù)進(jìn)展不順 日政府看不下去全面介入
- 由于財(cái)務(wù)狀況惡化，日本東芝公司已經(jīng)被東京股票交易所從主板摘牌，距離退市已經(jīng)越來越近，但是時(shí)至今日，轉(zhuǎn)讓閃存芯片業(yè)務(wù)的進(jìn)展卻并不順利。據(jù)外媒最新消息，面對東芝高管所表現(xiàn)出的領(lǐng)導(dǎo)無方，日本政府已經(jīng)全面介入到這一轉(zhuǎn)讓交易中。 按照原定計(jì)劃，東芝準(zhǔn)備把閃存芯片業(yè)務(wù)以大約180億美元的價(jià)格，轉(zhuǎn)讓給一個(gè)美日韓聯(lián)合體，其中包括日本開發(fā)銀行、日本產(chǎn)業(yè)革新機(jī)構(gòu)、美國貝恩資本、韓國海力士半導(dǎo)體，不過東芝的芯片業(yè)務(wù)合資伙伴西部數(shù)據(jù)，卻以海力士的涉足為由，提出了反對意見，并已經(jīng)述諸法律手段。 有消息稱，由于和西部
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硅晶圓漲價(jià) NOR FLASH大廠淡出行業(yè)重新洗牌
- 供給端：原材料價(jià)格調(diào)漲，大廠退出 原材料漲價(jià) 今年以來半導(dǎo)體硅晶圓市場出現(xiàn)八年以來首度漲價(jià)情況，其主要原因在于供需失衡。晶圓代工大廠臺積電、三星電子、英特爾等提高制程，20nm以下先進(jìn)工藝占比不斷提高，加大對高質(zhì)量大硅片的需求。三星、SK海力士、英特爾、美光、東芝等全力轉(zhuǎn)產(chǎn)3D NAND，投資熱潮刺激300mm大硅片的需求。同時(shí)工業(yè)與汽車半導(dǎo)體、CIS、物聯(lián)網(wǎng)等IC芯片開始快速增長，大陸半導(dǎo)體廠商大舉建廠擴(kuò)產(chǎn)，帶來新的硅片需求增量。供給方面，硅片廠集中在日韓臺，前六大廠商市占98%，在硅片
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機(jī)械硬盤持續(xù)大幅滑坡 閃存將取代HDD存儲市場？
- 如今，機(jī)械硬盤持續(xù)大幅滑坡，這讓西數(shù)、希捷兩大廠商不得不做戰(zhàn)略轉(zhuǎn)型向SSD市場。 眾所周知，機(jī)械硬盤(HDD)曾是電腦不可或缺的部件，行業(yè)競爭也非常激烈。最后，全球的機(jī)械硬盤被西部數(shù)據(jù)、希捷與東芝三家巨頭所壟斷，其他品牌都被并購或直接淘汰。 在這其中，東芝是最先轉(zhuǎn)型到固態(tài)硬盤領(lǐng)域的，今年年初，據(jù)外媒報(bào)道，東芝方面吐露將不再考慮生產(chǎn)15KHDD新品。 再來看看希捷的情況，今年年初關(guān)閉蘇州工廠后，又低調(diào)的關(guān)閉了位于韓國的HDD研發(fā)中心。而該研究中心從成立至今還不到4年，主攻2.5英寸機(jī)械硬盤。閃存市
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東芝存儲器株式會社開發(fā)出世界首款QLC 3D閃存
- 存儲器解決方案全球領(lǐng)導(dǎo)者東芝存儲器株式會社今日宣布開發(fā)出世界首款[1]采用堆疊式結(jié)構(gòu)的BiCS FLASH?三維(3D)閃存[2]。最新的BiCS FLASH?設(shè)備是首款采用4位元(四階存儲單元，QLC)技術(shù)的閃存設(shè)備，該技術(shù)使閃存設(shè)備的存儲容量較3位元(TLC)設(shè)備進(jìn)一步提高并推動了閃存技術(shù)創(chuàng)新。 多位元內(nèi)存通過管理每個(gè)獨(dú)立存儲單元中的電子數(shù)目來存儲數(shù)據(jù)。實(shí)現(xiàn)QLC技術(shù)帶來一系列技術(shù)挑戰(zhàn)，在相同電子數(shù)目下位元數(shù)目每增加一個(gè)，需要兩倍于TLC技術(shù)的精度。東芝存儲器株式會社利用其先
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NOR Flash行業(yè)趨勢解讀：供不應(yīng)求或成常態(tài) 大陸存儲雄心勃勃
- 這個(gè)時(shí)間點(diǎn)我們討論Nor Flash行業(yè)趨勢與全年景氣度，一方面是Nor廠商二季度業(yè)績即將公布，而相關(guān)公司一季度業(yè)績沒有充分反映行業(yè)變化;另一方面是相關(guān)標(biāo)的與行業(yè)基本面也出現(xiàn)了變化(如Switch超預(yù)期大賣以及兆易創(chuàng)新收到證監(jiān)會反饋意見等)，同時(shí)我們調(diào)高AMOLED與TDDI Nor的需求拉動預(yù)期，詳細(xì)測算供需缺口，以求對未來趨勢定性、定量研究; 汽車電子與工控拉動行業(yè)趨勢反轉(zhuǎn) TDDI+AMOLED新需求錦上添花 1、汽車與工控拉動2016趨勢反轉(zhuǎn) 從各方面驗(yàn)證，2016年是NOR
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東芝變賣閃存業(yè)務(wù)“跳票” 股東們表示很失望
- 本周，東芝的股東和業(yè)界都在等待一個(gè)巨大消息：周二或者周三，東芝將和一個(gè)美日韓聯(lián)合體簽約，正式變賣閃存芯片業(yè)務(wù)，獲得急需的180億美元。 然而在周三的股東大會上，東芝高管宣布了令人失望的消息。據(jù)法新社報(bào)道，東芝的“跳票”讓股東感到十分氣憤。 東芝總裁綱川智周三表示，依然無法公布上一財(cái)年的財(cái)報(bào)，另外轉(zhuǎn)讓閃存業(yè)務(wù)的談判依然沒有結(jié)束。 在轉(zhuǎn)讓閃存業(yè)務(wù)方面，東芝已經(jīng)花費(fèi)了太多的時(shí)間，效率之低下令股東十分不滿。日本權(quán)威媒體日經(jīng)新聞本周曾報(bào)道，東芝已經(jīng)敲定了閃存業(yè)務(wù)的接手方
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PC內(nèi)存一年價(jià)格翻一倍多，二季度還要再漲10-20%
- 2017年JS靠著挖礦顯卡價(jià)格大漲賺錢了，只不過這一波顯卡漲價(jià)雖然很瘋狂，但是漲幅并不是最高的，內(nèi)存價(jià)格上漲的才是驚人，8GB DDR4內(nèi)存條現(xiàn)在普遍在400元以上，去年這時(shí)候價(jià)格才199元呢，當(dāng)時(shí)還覺得貴呢，現(xiàn)在價(jià)格翻倍都不止了。目前內(nèi)存漲價(jià)的趨勢還沒有得到抑制，Q1季度PC內(nèi)存已經(jīng)大漲36%了，可Q2季度還會繼續(xù)上漲10-20%，因?yàn)槿恰K Hynix及美光等廠商現(xiàn)在的產(chǎn)能并沒有增加，市場供需還是不平衡。 這一年多了沒升級什么PC硬件了，雖然寫新聞的過程中也知道內(nèi)存、
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再延期 東芝傾向于將閃存芯片業(yè)務(wù)賣給美日韓聯(lián)合體
- 6月20日消息，據(jù)國外媒體報(bào)道，東芝預(yù)計(jì)將在月底決定閃存芯片業(yè)務(wù)的最終買家，而此前出價(jià)最高的由富士康和蘋果等企業(yè)組成的競購團(tuán)，有可能在競購中白忙活一場，因?yàn)橥饷降南@示，東芝更傾向于將閃存芯片業(yè)務(wù)賣給貝恩資本牽頭的由美國、日本和韓國企業(yè)組成的聯(lián)合體。 由于美國核電業(yè)務(wù)減記帶來了巨大的虧損，東芝目前面臨資不抵債的困境，急需資金，東芝因此決定剝離閃存芯片業(yè)務(wù)并將其出售以換取資金。 目前共有富士康、美國芯片制造商博通、貝恩資本牽頭的三大財(cái)團(tuán)參與東芝閃存芯片業(yè)務(wù)的競購
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被傳產(chǎn)線遭受重大化學(xué)污染 武漢新芯發(fā)聲明回應(yīng)
- 如今某些網(wǎng)絡(luò)新聞媒體缺乏基本的職業(yè)道德，為博眼球胡謅瞎報(bào)，誤導(dǎo)群眾，損人又害己，更有可能會影響NOR Flash行業(yè)良性發(fā)展。 歪曲報(bào)道如下： 武漢新芯廠內(nèi)傳出化學(xué)污染事件，雖然沒有造成人員傷亡，但是造成NOR Flash產(chǎn)線制程污染，影響產(chǎn)能在9000片左右，市場預(yù)料，將造成NOR Flash產(chǎn)能缺口。 由于美光及賽普拉斯(Cypress)相繼退出中低容量的NOR Flash市場，使中低容量產(chǎn)品全球供給量遭遇缺口，現(xiàn)在武漢新芯受到化學(xué)污染，有望再度推升NOR Flash報(bào)價(jià)，市場最
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NAND閃存的三種架構(gòu)：MLC、SLC、MBC
- NAND閃存的內(nèi)部架構(gòu):NAND閃存可以分為三種不同架構(gòu)，即：單層單元SLC 多層單元MLC多位單元MBC。其中，MBC以NROM技術(shù)為基礎(chǔ)的NAND閃存架構(gòu)，由英飛凌與Saifun合作開發(fā)，但該項(xiàng)架構(gòu)技術(shù)并不成熟。采SLC架構(gòu)是在每個(gè)Cell中存儲1個(gè)bit的信息，以達(dá)到其穩(wěn)定、讀寫速度快等特點(diǎn)，Cell可擦寫次數(shù)為10萬次左右。作為SLC架構(gòu)，其也有很大的缺點(diǎn)，就是面積容量相對比較小，并且由于技術(shù)限制，基本上很難再向前發(fā)展了。
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大容量NOR Flash與8位單片機(jī)的接口設(shè)計(jì)
- Flash存儲器又稱閃速存儲器，是20世紀(jì)80年代末逐漸發(fā)展起來的一種新型半導(dǎo)體不揮發(fā)存儲器。它兼有RAM和ROM的特點(diǎn)，既可以在線擦除、改寫，又能夠在掉電后保持?jǐn)?shù)據(jù)不丟失。NOR Flash是Flash存儲器中最早出現(xiàn)的一個(gè)品種，與其他種類的Flash存儲器相比具有以下優(yōu)勢：可靠性高、隨機(jī)讀取速度快，可以單字節(jié)或單字編程，允許CPU直接從芯片中讀取代碼執(zhí)行等。因此NOR Flash存儲器在嵌入式系統(tǒng)應(yīng)用開發(fā)中占有非常重要的地位。本文以SST公司的NOR Flash芯片SST39SF040和MCS-51單
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