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華邦：NOR Flash市場(chǎng)缺口達(dá)20%
- 華邦總經(jīng)理詹東義表示，NOR Flash市場(chǎng)供不應(yīng)求的情況仍然嚴(yán)重，估計(jì)市場(chǎng)缺口約20%，第3季的NOR Flash價(jià)格仍會(huì)持續(xù)調(diào)漲，甚至對(duì)于第4季營(yíng)運(yùn)都相當(dāng)樂(lè)觀，尤其是華邦在客戶策略上，逐漸集中在一線客戶之后，受到全球景氣波動(dòng)的影響相對(duì)較小。 華邦表示，若扣除重覆下單(Double Booking)，目前NOR Flash市場(chǎng)缺口約20%，華邦的優(yōu)勢(shì)在于質(zhì)量、成本和交期穩(wěn)定。目前對(duì)于NOR Flash產(chǎn)能的規(guī)劃，仍由目前的7,000片提升至年底1萬(wàn)片水平，但預(yù)計(jì)這樣的產(chǎn)能水平仍無(wú)法滿足客戶需求
- 關(guān)鍵字： 華邦 NOR Flash
美光12億美元并恒憶 坐擁DRAM、NAND、NOR三大技術(shù)
- 美光科技(Micron Technology Inc.)7日宣布完成收購(gòu)NOR Flash大廠恒憶(Numonyx B.V.)的所有程序。依據(jù)協(xié)議，美光已發(fā)行大約1.38億股普通股(大約相當(dāng)于12億美元)給恒憶股東(英特爾、意法半導(dǎo)體、私募股權(quán)基金Francisco Partners)。 完成收購(gòu)恒憶后美光成為同時(shí)擁有DRAM、NAND以及NOR技術(shù)的記憶體晶片大廠。恒憶去年第4季營(yíng)收約5.50億美元，自由現(xiàn)金流量達(dá)4,200萬(wàn)美元。交易完成后美光/恒憶將與意法共享位于義大利Agrate的&ld
- 關(guān)鍵字： 美光 DRAM NAND NOR
三星出貨全球首款多芯片封裝相變存儲(chǔ)顆粒
- 相變存儲(chǔ)技術(shù)看來(lái)終于要走出實(shí)驗(yàn)室，走向市場(chǎng)了。繼Numonyx宣布出貨Omneo系列相變存儲(chǔ)芯片后，三星電子近日也宣布，推出全球首款多芯片封裝(MCP)PRAM相變存儲(chǔ)顆粒產(chǎn)品。 相變存儲(chǔ)屬于非易失性存儲(chǔ)技術(shù)，可以像閃存那樣在關(guān)機(jī)后繼續(xù)保持?jǐn)?shù)據(jù)。三星就表示，這款512Mbit容量MCP封裝PRAM顆粒在軟硬件功能上都和40nm級(jí)NOR閃存顆粒完全兼容，方便客戶廠商在產(chǎn)品中加入該存儲(chǔ)顆粒。由于相變存儲(chǔ)技術(shù)的高寫(xiě)入速度特性，采用PRAM可有效提升數(shù)碼設(shè)備的存儲(chǔ)速度。 三星表示，多芯片封裝PRA
- 關(guān)鍵字： Numonyx 相變存儲(chǔ) NOR
富士通開(kāi)發(fā)NOR型閃存新技術(shù)
- 富士通微電子公司日前宣布，已經(jīng)成功開(kāi)發(fā)出一種NOR型閃存新技術(shù)，可提高閃存讀取速度，并同時(shí)降低工作電流。富士通在NOR型閃存中，引入了其專(zhuān)利FCRAM(Fast-Cycle Random-Access Memory高速訪問(wèn)隨機(jī)存儲(chǔ))中的電路元素，從而實(shí)現(xiàn)了高速低功耗和高可靠性。這種新型NOR閃存可將訪問(wèn)速度提高2.5倍達(dá)，訪問(wèn)時(shí)間僅10ns，同時(shí)工作電流降低三分之二達(dá)到9µA。通過(guò)在嵌入式設(shè)備中應(yīng)用這項(xiàng)技術(shù)，便攜音視頻設(shè)備將有望改進(jìn)性能，同時(shí)延長(zhǎng)電池續(xù)航時(shí)間。 富士通表示，將以這項(xiàng)N
- 關(guān)鍵字： 富士通 NOR 閃存
Numonyx和Macronix第四季度加熱NOR閃存市場(chǎng)
- 據(jù)iSuppli公司，經(jīng)濟(jì)復(fù)蘇已帶動(dòng)長(zhǎng)期低迷的NOR閃存市場(chǎng)反彈，類(lèi)似于整體內(nèi)存市場(chǎng)的情形。 2009年第四季度總體NOR營(yíng)業(yè)收入為12.3億美元，比第三季度的12.2億美元增長(zhǎng)0.7%。 “這標(biāo)志這個(gè)市場(chǎng)連續(xù)第三個(gè)季度實(shí)現(xiàn)環(huán)比增長(zhǎng)。2009年第一季度形勢(shì)非常糟糕，營(yíng)業(yè)額下降到不足10億美元，”iSuppli公司的資深內(nèi)存與存儲(chǔ)分析師Michael Yang表示，“第四季度NOR閃存營(yíng)業(yè)收入受到來(lái)自多個(gè)消費(fèi)產(chǎn)品領(lǐng)域的需求推動(dòng)，包括液晶電視、手機(jī)和電腦。需
- 關(guān)鍵字： Numonyx NOR 內(nèi)存
美光科技斥資12.7億美元收購(gòu)恒億半導(dǎo)體
- 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，美國(guó)最大的電腦存儲(chǔ)芯片制造商美光科技(Micron Technology)周二宣布，將斥資12.7億美元收購(gòu)閃存芯片制造商恒憶半導(dǎo)體(Numonyx Holdings BV)，借此增強(qiáng)其閃存芯片業(yè)務(wù)。 收購(gòu)恒億 美光科技科技在聲明中表示，將向恒憶半導(dǎo)體的投資者——英特爾、意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)以及私募股權(quán)公司Francisco Partners——定向增發(fā)1.4億股股票。除此之外，美光科技還會(huì)向恒憶
- 關(guān)鍵字： 美光 NOR Numonyx
創(chuàng)造消費(fèi)價(jià)值是關(guān)鍵
- 32位MCU強(qiáng)勢(shì)增長(zhǎng) 從全球范圍內(nèi)的微控制器(MCU)的市場(chǎng)情況看(如圖1)，08年出貨量是119億美元，到09年降低到86億美元。從增長(zhǎng)曲線看，32位微控制器在過(guò)去5年增長(zhǎng)了一倍。目前可以看到8位和32位的深V型增長(zhǎng)。從銷(xiāo)售額來(lái)看，在2009年的前10個(gè)月里有7個(gè)月32位高過(guò)8位，到10月底時(shí)，32位總體下降了近23%，而8位MCU下降了近27%。從數(shù)量上看，8位的下降是26%，而32位只下降10%，因此從單位數(shù)量來(lái)說(shuō)，32位下降較少，NXP(恩智浦)認(rèn)為32位還是有比較強(qiáng)勁的增長(zhǎng)勢(shì)頭，這
- 關(guān)鍵字： MCU NAND NOR Android
為什么存儲(chǔ)器是產(chǎn)業(yè)的風(fēng)向標(biāo)
- 存儲(chǔ)器通常包括DRAM，NAND，NOR及SRAM。在半導(dǎo)體業(yè)中經(jīng)常分成兩類(lèi)，DRAM及閃存類(lèi)。由于其兩大特征，能大量生產(chǎn)以及應(yīng)用市場(chǎng)面寬，使其半導(dǎo)體業(yè)中有獨(dú)特的地位。業(yè)界有人稱它為半導(dǎo)體業(yè)的風(fēng)向標(biāo)。 縱觀DRAM發(fā)展的歷史，幾乎每8至10年一次大循環(huán)，最終一定有大型的存儲(chǔ)器廠退出，表示循環(huán)的結(jié)束。如1980年代的TI及IBM等退出;1990年代的東芝，日立及NEC退出，如今2000年代的奇夢(mèng)達(dá)最先退出。奇夢(mèng)達(dá)的退出使市場(chǎng)少了10萬(wàn)片的月產(chǎn)能。 在全球硅片尺寸轉(zhuǎn)移中，存儲(chǔ)器也是走在前列，如
- 關(guān)鍵字： 存儲(chǔ)器 DRAM NAND NOR SRAM
張汝京下課 中芯大漲
- 為中芯解開(kāi)多年無(wú)法突破的經(jīng)營(yíng)困境，而與臺(tái)積電未來(lái)如能合作，將會(huì)是個(gè)雙贏的局面。張汝京的下臺(tái)，為臺(tái)積電、中芯國(guó)際都找到下一個(gè)春天。 11月11日，臺(tái)灣有四家報(bào)紙的頭版頭條報(bào)道了同一則新聞：中芯國(guó)際創(chuàng)辦人、執(zhí)行長(zhǎng)張汝京宣布辭職;董事會(huì)即刻宣布由王寧國(guó)接任執(zhí)行董事兼集團(tuán)總裁、首席執(zhí)行官。全世界最大的晶圓代工廠臺(tái)積電入股中芯半導(dǎo)體10%的股份。 中芯將分5年賠償臺(tái)積電2億美元，并且無(wú)償授予臺(tái)積電8%的中芯股權(quán)，且臺(tái)積電另可在3年內(nèi)以每股1.3港幣的價(jià)格認(rèn)購(gòu)2%的中芯股權(quán)。 這件事情所以在臺(tái)灣
- 關(guān)鍵字： 中芯國(guó)際 晶圓 NOR NAND
消息稱張汝京或?qū)⒐芾碇行境啥技拔錆h芯片廠
- 據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道，近期市場(chǎng)傳出中芯國(guó)際將切割代管的成都廠及武漢廠等兩地晶圓廠，而兩座廠將可能由中芯前總裁張汝京出面統(tǒng)籌管理，張汝京等于找到了新舞臺(tái)。 臺(tái)灣媒體引述“內(nèi)部人士”的話報(bào)道稱，成都及武漢兩地政府日前希望與中芯國(guó)際CEO王寧國(guó)見(jiàn)面，但王寧國(guó)未有正面回應(yīng)，目前中芯切割兩晶圓廠政策已是箭在弦上，成都市政府上周密會(huì)中芯前總裁張汝京，兩地政府希望未來(lái)成都廠及武漢廠由張汝京出面統(tǒng)籌管理。 據(jù)報(bào)道，中芯在張汝京時(shí)代，曾與成都、武漢等兩地方政府達(dá)成協(xié)議，成都市政府出資成立成
- 關(guān)鍵字： 中芯國(guó)際 晶圓 NOR NAND
NAND成本優(yōu)勢(shì)明顯，NOR成明日黃花
- 市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)水清木華日前發(fā)布“2009年手機(jī)內(nèi)存行業(yè)研究報(bào)告”指出，NOR閃存在512Mb是個(gè)門(mén)檻。高于350Mb，NOR閃存的成本飛速增加。同時(shí)，NOR閃存的應(yīng)用領(lǐng)域單一，應(yīng)用廠家很少;而NAND閃存則容量越大，成本優(yōu)勢(shì)越明顯，應(yīng)用領(lǐng)域更廣泛，應(yīng)用廠家也多。手機(jī)市場(chǎng)變化迅速，現(xiàn)在每一款手機(jī)的生命周期通常都小于5年，NOR最強(qiáng)大的優(yōu)勢(shì)“長(zhǎng)壽”也不復(fù)存在。盡管NOR閃存的成本在進(jìn)入65納米后也大幅度下降，但是專(zhuān)心NOR領(lǐng)域的只有Spansion。而NAND
- 關(guān)鍵字： 手機(jī) NAND NOR
手機(jī)內(nèi)存：NAND優(yōu)勢(shì)愈加明顯，NOR風(fēng)光不再
- 市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)水清木華日前發(fā)布"2009年手機(jī)內(nèi)存行業(yè)研究報(bào)告"指出,NOR閃存在512Mb是個(gè)門(mén)檻.高于350Mb,NOR閃存的成本飛速增加.同時(shí),NOR閃存的應(yīng)用領(lǐng)域單一,應(yīng)用廠家很少;而NAND閃存則容量越大,成本優(yōu)勢(shì)越明顯,應(yīng)用領(lǐng)域更廣泛,應(yīng)用廠家也多.手機(jī)市場(chǎng)變化迅速,現(xiàn)在每一款手機(jī)的生命周期通常都小于5年,NOR最強(qiáng)大的優(yōu)勢(shì)"長(zhǎng)壽"也不復(fù)存在.盡管NOR閃存的成本在進(jìn)入65納米后也大幅度下降,但是專(zhuān)心NOR領(lǐng)域的只有Spansion.而NAND領(lǐng)域,三
- 關(guān)鍵字： 三星 NAND NOR RAM
傳Spansion將出售日本300mm工廠
- 據(jù)來(lái)自ISMI Symposium的消息，NOR閃存制造商Spansion將出售其300mm工廠。 Spansion高層拒絕對(duì)這座名為SP1工廠的狀態(tài)進(jìn)行評(píng)論。“SP1是Spansion Japan的資產(chǎn)，目前正在對(duì)可能的重組方案進(jìn)行評(píng)估。我們繼續(xù)和Spansion Japan緊密合作，并通過(guò)我們內(nèi)部和外部的資源，對(duì)客戶的要求進(jìn)行最大程度的支持。”Spansion在一份聲明中表示。 2007年，Spansion啟用業(yè)界首座300mm NOR閃存工廠。這座耗資12億美
- 關(guān)鍵字： 閃存 NOR 300mm
nor 介紹
NOR和NAND是現(xiàn)在市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開(kāi)發(fā)出NOR flash技術(shù)，徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。緊接著，1989年，東芝公司發(fā)表了NAND flash結(jié)構(gòu)，強(qiáng)調(diào)降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盤(pán)一樣可以通過(guò)接口輕松升級(jí)。但是經(jīng)過(guò)了十多年之后，仍然有相當(dāng)多的硬件工程師分不清NOR和NAND閃存。 相“flash存儲(chǔ)器”經(jīng)常可 [ 查看詳細(xì) ]
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