nor flash 文章最新資訊

中國NAND Flash產業鏈的布局日趨完整

　　研究機構TrendForce表示，隨著清華紫光投資NAND Flash儲存相關公司的腳步加快，以及中國半導體業者在NAND Flash產業鏈的布局日趨完整，中國業者在NAND Flash產業地位也越來越關鍵。　　TrendForce 旗下存儲器儲存事業處DRAMeXchange研究協理楊文得表示，雖然NAND Flash短期內受到供過于求的影響呈現較為疲軟的格局，但長遠來看，NAND Flash的相關應用成長依舊快速。SSD與eMMC在各種電子產品的能見度越來愈高，NAND Flash成為未來儲存
關鍵字： NAND Flash SSD

臺半導體整并再一樁，晶豪科 2016 年中并宜揚

　　隨著全球半導體大者恒大的趨勢底定，加以紅色供應鏈頻頻發動并購，不少臺半導體廠也紛紛開始整合，尋求新的可能，從聯發科今年一舉并購四臺廠，到日月光收購矽品股份的動作可見一斑。尤有甚者，利基型記憶體 IC 設計廠商晶豪科與旗下 NOR Flash IC 設計公司宜揚也宣告合并，整合資源。　　晶豪科在 2011 年即取得宜揚 19.94% 股份，10 日更進一步宣布將與宜揚換股進行整并，以晶豪科為存續公司、宜揚為消滅公司。換股比例暫訂為宜揚普通股 2.55 股換晶豪科普通股 1 股。為合并宜揚晶豪科也將增
關鍵字：聯發科 NOR

中國NAND Flash產業鏈的布局日趨完整

　　研究機構TrendForce表示，隨著清華紫光投資NAND Flash儲存相關公司的腳步加快，以及中國半導體業者在NAND Flash產業鏈的布局日趨完整，中國業者在NAND Flash產業地位也越來越關鍵。　　TrendForce 旗下存儲器儲存事業處DRAMeXchange研究協理楊文得表示，雖然NAND Flash短期內受到供過于求的影響呈現較為疲軟的格局，但長遠來看，NAND Flash的相關應用成長依舊快速。SSD與eMMC在各種電子產品的能見度越來愈高，NAND Flash成為未來儲存
關鍵字： AND Flash

科技行業為Flash準備“葬禮”

過去多年時間里，來自Adobe的熱門軟件Flash讓網絡變得更豐富，然而，Flash的安全性一直飽受詬病，而近期發生的信息安全事故再次表明，Flash應當走向消亡。
關鍵字： Adobe Flash

基于ARM7軟中斷程序的設計

　　筆者在設計一項目時采用LPC2458。此CPU為ARM7內核，帶512K字節的片內FLASH，98k字節的片內RAM，支持片外LOCAL BUS總線，可從片外NOR FLASH啟動CPU.由于代碼量較大，程序放在片外的NOR FLASH中。且存在片外NOR FLASH在運行程序時，需對片外的NOR FLASH擦寫的需求。圖1為存儲部分框圖。　　　　圖1存儲部分原理框圖　　在設計中，片外NOR FLASH的大小為16M字節。其中2M規劃為存放運行程序，剩余的空間用于產品運
關鍵字： ARM7 FLASH

研調：NAND Flash需求漸加溫，估Q3擺脫供過于求

　　TrendForce旗下記憶體儲存事業處DRAMeXchange最新調查報告顯示，受到新款智慧型手機上市以及今(2015)年度蘋果新款iPhone即將開始拉貨的影響，NAND Flash市況將逐漸增溫，預估在第三季將擺脫供過于求，轉為供需較為平衡的格局。　　從供給面觀察，雖然各家NAND Flash廠商陸續宣布3D -NAND Flash的量產時程，但嵌入式產品應用仍須考量控制晶片的搭配，與各種系統端搭配的相容性問題，DRAMeXchange預估，2015年3D-NAND Flash的產出比重將僅
關鍵字： TrendForce NAND Flash

基于TFFS的成像聲吶文件系統設計

　　1 VxWorks系統的啟動流程　　嵌入式VxWorks操作系統的啟動包括兩個階段，一是BootRom引導，二是VxWorks操作系統映像的啟動。BootRom映像也叫做啟動映像，它主要是初始化串口、網口等很少的硬件系統來下載VxWorks映像。VxWorks映像包含完整的VxWorks OS，是真正在目標板上運行的操作系統。它啟動后會重新初始化幾乎所有的硬件系統，這樣操作系統才可以在目標板上正常運行。兩種映像的區別如表 1所示。　　VxWorks內核有多種啟動流程。本文基于的聲吶原型機采
關鍵字： VxWorks 嵌入式 TFFS Flash MTD

NAND flash市占，三星美光增、東芝獨垂淚！

　　2014年NAND flash銷售數據出爐，IHS報告稱，前四大業者中，三星電子(Samsung Electronics)、美光(Micron)、SK海力士(SK Hynix)銷售皆有成長，唯有二哥東芝(Toshiba)疑似因為產品出包遭蘋果召回，市占和業績雙雙下滑。　　BusinessKorea報導，IHS 13日報告稱，三星電子穩居NAND flash老大，去年銷售年增4%至90.84億美元，市占率成長0.1%至36.5%。二哥東芝去年市占率由34.3%減至31.8%，銷售也大減將近3億美元。
關鍵字：三星 NAND flash

儲存市場新廠突圍　傳統大廠嚴陣以待

　　儲存裝置市場正醞釀一波小型新創公司革命。過去由惠普(HP)、IBM、NetApp與EMC等業者把持的儲存市場，目前已遭到許多小型新創公司崛起并搶走市場。調查也發現，消費者預期未來將擴大使用Flash存儲器與固態硬碟(SSD)，因此，傳統大廠必須調整策略才能扭轉頹勢。　　據TechRadar報導，全球四大儲存大廠惠普、IBM、NetApp與EMC近期受到甫成立不久的新創公司推出快閃技術產品，因此，其外部硬碟儲存市場占有率已逐漸流失。　　據IDC調查發現，截至2014年第2季為止，由四大廠供應的高
關鍵字： IBM SSD Flash

東芝傳年內量產3D Flash 技術更勝三星

　　三星電子(Samsung Electronics)領先全球同業、于去年10月搶先量產3D架構的NAND型快閃存儲器(Flash Memory)產品，但三星的領先優勢恐維持不了多久，因為三星NAND Flash最大競爭對手東芝(Toshiba)傳出將在今年下半年量產3D NAND Flash、且其制造技術更勝三星一籌! 　　日本媒體產經新聞25日報導，三星于去年量產的3D NAND Flash產品為垂直堆疊32層，但東芝已研發出超越三星的制造技術、可堆疊48層，且東芝計劃于今年下半年透過旗下四日市工廠
關鍵字：東芝 3D Flash

大陸手機市場驚人Mobile DRAM消費量陡升

　　中國大陸智能型手機的高成長，使得內存等零組件的消耗激增。這也使得南韓的內存供應商不管是從零組件競爭還是手機整機的競爭上都倍感壓力。
關鍵字： DRAM NAND Flash

半導體市場今年迎向高規格之爭

　　2015年由行動裝置帶動的高規格半導體之爭蓄勢待發;行動應用處理器、LPDDR4、UFS(Universal Flash Storage;UFS)、三階儲存單元(Triple Level Cell;TLC)等新一代半導體需求增加，被視為半導體產業成長新動能。　　據韓媒亞洲經濟的報導，智慧型手機的功能高度發展，讓核心零組件如應用處理器(Application Processor;AP)、LPDDR4、UFS、TLC等下一代半導體的需求日漸增加。首先是AP從32位元進化到64位元，可望讓多工與資料處理
關鍵字：半導體 NAND Flash LPDDR4

淡季影響銷售，NAND Flash 供應商 Q1 將供過于求

　　根據 TrendForce 旗下記憶體儲存事業處 DRAMeXchange 最新報告顯示，第四季 NAND Flash 市況雖依舊維持健康水準，但在三星電子、東芝與晟碟各自面臨價格與產銷端的壓力影響營收、及第三季呈現微幅衰退的情況下，品牌供應商營收僅較第三季成長 2% 至 87.5 億美元。DRAMeXchange 研究協理楊文得表示，因需求端面臨淡季效應，2015 年第一季整體市況將轉為供過于求，在價格滑落幅度轉趨明顯的情況下，業者將藉由加速先進制程的轉進，改善成本架構，以減低價格跌幅的沖擊。　
關鍵字： NAND Flash 三星東芝

國際大廠找Mobile RAM貨源　敲開與臺廠合作大門

　　存儲器廠持續在eMCP(eMMC結合MCP封裝)領域擴大進擊，繼東芝(Toshiba)與南亞科洽談策略聯盟，新帝(SanDisk)亦傳出首度來臺尋找移動式存儲器Mobile RAM合作伙伴，考慮與南亞科簽定長約或包下產能，顯示國際存儲器大廠亟欲尋找Mobile RAM貨源，并敲開與臺廠合作大門。　　半導體業者透露，在三星電子和SK海力士主導下，智能型手機內建存儲器規格從eMMC轉為eMCP，原本NAND Flash芯片外加關鍵零組件Mobile RAM芯片，2015年東芝??新帝陣營將展開大反撲。
關鍵字： NAND Flash Mobile RAM

NAND Flash價格續滑　難擺脫供給過剩困境

　　由于MLC(Multi-Level Cell)NAND Flash供應量持續增加，造成價格連續兩個月下滑，業界預期若三星電子(Samsung Electronics)等業者提高TLC(Triple-Level Cell)NAND Flash生產比重，后續MLC產品價格下滑情況恐將更明顯。　　根據韓媒DigitalTimes報導，由于USB、硬碟與記憶卡市場進入淡季，加上庫存堆積，導致NAND Flash價格走滑，市場供給過剩情況恐持續到農歷春節。業界認為目前NAND Flash下滑走勢雖大部分是受
關鍵字： NAND Flash 三星

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nor flash介紹

NOR Flash存儲器　　NOR和NAND是現在市場上兩種主要的非易失閃存技術。Intel于1988年首先開發出NOR flash技術,徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統天下的局面。緊接著,1989年,東芝公司發表了NAND flash結構,強調降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盤一樣可以通過接口輕松升級。但是經過了十多年之后,仍然有相當多的硬件工程師分不清NOR和NAND閃存 [ 查看詳細 ]