nor flash 文章最新資訊

全快閃儲存導入新型Flash存儲器以降低成本、生態大洗牌

　　許多廠商開始將重心轉移到降低全快閃儲存陣列的成本，如Dell與EMC都已在全快閃產品中導入低成本的TLCFlash記憶體;眾多廠商爭相發展全快閃儲存陣列，也改變了既有的全快閃儲存市場消長　　在全快閃儲存陣列這類型產品誕生初期，唯一的賣點便是高效能，應用面向也局限于線上交易處理等高IO需求領域。為了擴展應用環境，后來的全快閃儲存陣列發展也有了不同的發展。　　我們可以把全快閃儲存陣列的發展分為4個階段：　　第一階段是效能導向。提供高效能，是全快閃儲存陣列這類產品誕生的目的，早期的全快閃儲存陣列
關鍵字： Flash 存儲器

全快閃儲存導入新型Flash存儲器以降低成本、生態大洗牌

　　許多廠商開始將重心轉移到降低全快閃儲存陣列的成本，如Dell與EMC都已在全快閃產品中導入低成本的TLC Flash記憶體;眾多廠商爭相發展全快閃儲存陣列，也改變了既有的全快閃儲存市場消長　　在全快閃儲存陣列這類型產品誕生初期，唯一的賣點便是高效能，應用面向也局限于線上交易處理等高IO需求領域。為了擴展應用環境，后來的全快閃儲存陣列發展也有了不同的發展。　　我們可以把全快閃儲存陣列的發展分為4個階段：　　第一階段是效能導向。提供高效能，是全快閃儲存陣列這類產品誕生的目的，早期的全快閃儲存陣
關鍵字： Flash 存儲器

中國半導體存儲器市場前景

本文介紹了存儲器芯片分類，國際存儲芯片廠商的發展情況，及我國存儲芯片供需情況。
關鍵字：存儲器市場 DRAM Flash 201607

NAND Flash供貨吃緊態勢明顯　價格走揚

　　第三季NAND Flash供貨吃緊的態勢越發明顯，TLC-Wafer與現貨卡片價格自4月初以來已連續三個月份逐步走揚。　　TrendForce旗下記憶體儲存事業處DRAMeXchange最新報價顯示，第三季NAND Flash供貨吃緊的態勢越發明顯，TLC-Wafer與現貨卡片價格自4月初以來已連續三個月份逐步走揚，而近一個月漲幅開始增加。　　DRAMeXchange研究協理楊文得表示，NAND Flash原廠持續降低對于通路(Channel)的供貨比重來滿足eMMC/eMCP與固態硬碟(SS
關鍵字： NAND Flash

火災后瘋7供應商三星Flash廠部分復工

三星西安工廠受到變電站爆炸停電影響，對供應緊張的NAND Flash雪上加霜，不過事故后回復速度很快，給當地供電局和三星應急處理點個贊。
關鍵字：三星 Flash

下半年NAND Flash一定缺貨，且會非常缺

　　全球儲存型快閃記憶體(NAND Flash)晶片最大供應商慧榮科技總經理茍嘉章昨(21)日表示，固態硬碟(SSD)價格已到甜蜜點，今年出貨將大爆發，成為成長最強勁的記憶體產品;法人預估臺廠概念股群聯、創見、威剛、宇瞻、廣穎、宜鼎等，可望掀比價效應。　　慧榮是以臺灣為研發重心，立足全球的國際公司，上周五(20日)股價以每股42.19美元創2005年6月在美國那斯達克掛牌以來新高，市值達1.48億美元(約新臺幣48.5億元)，同創歷史新高。　　茍嘉章昨天主持慧榮愛心園游會后，針對今年NAND Fl
關鍵字： NAND Flash

發展Flash晶圓制造的四大投資方向

　　中國大陸業者在NANDFlash產業鏈的相關布局與投資不斷開展，成為中國大陸半導體業揮軍全球的下一波焦點。　　某研究所最新研究報告顯示，隨著紫光國芯(原同方國芯)投資、武漢新芯擴廠，及國際廠如三星、英特爾增加產能，預估2020年中國大陸國內Flash月產能達59萬片，相較于2015年增長近7倍。　　　　預估2012~2016年NANDFlash生產端年平均位元增長率達47%，其最終消費端需求年平均位增長率亦高達46%，顯示NANDFlash仍為高速發展產業。　　拓墣
關鍵字： Flash 晶圓

TrendForce：2020年中國大陸國內Flash月產能上看59萬片

　　中國大陸業者在NAND Flash產業鏈的相關布局與投資不斷開展，成為中國大陸半導體業揮軍全球的下一波焦點。TrendForce旗下拓墣產業研究所最新研究報告顯示，隨著紫光國芯(原同方國芯)投資、武漢新芯擴廠，及國際廠如三星、英特爾增加產能，預估2020年中國大陸國內Flash月產能達59萬片，相較于2015年增長近7倍。　　TrendForce預估2012~2016年NAND Flash生產端年平均位元增長率達47%，其最終消費端需求年平均位增長率亦高達46%，顯示NAND Flash仍為高速發
關鍵字： Flash NAND

Flash芯片你都認識嗎？

　　Flash存儲器，簡稱Flash，它結合了ROM和RAM的長處，不僅具備電子可擦除可編程的性能，還不會因斷電而丟失數據，具有快速讀取數據的特點;在現在琳瑯滿目的電子市場上，Flash總類可謂繁多，功能各異，而你對它了解有多少呢?　　為了讓大家更深入了解Flash，今天將主要根據芯片的通信協議并且結合Flash的特點，給大家一個全新認識。　　一、IIC?EEPROM　　IIC?EEPROM，采用的是IIC通信協議;IIC通信協議具有的特點：簡單的兩條總線線路，一條串行數據線(SDA)
關鍵字： Flash EEPROM

Flash與SAS硬碟價格2015年恐現死亡交叉

　　資料儲存解決方案大廠NetApp表示，經由云端與Flash兩股推力驅動，讓近年IT基礎架構進入新一波的轉型期，其中2016年經由融合式基礎架構(Converged Infrastructure)、DevOps(Development and Operations)系統工具應用性竄升，將讓2016年成為IT的精簡之年。　　此外值得注意的是，TLC架構的Flash存儲器借由需求性提升及單位成本快速下降，預期今年每GB的FLash價格也將較SAS硬碟更低，并讓All Flash資料中心的將進入主流儲存領
關鍵字： Flash SAS

手機標稱16G內存，為何實際卻少于16G

　　摘要：現在市面上存在NAND FLASH和eMMC這兩種的大容量存儲介質，就是各類移動終端及手機的主要存儲介質。兩者有何區別，存儲芯片的實際大小與標稱值又有什么關系呢? 　　我們總是在說手機內存，那到底是用什么介質存儲的呢?99%是用NAND Flash和eMMC這兩種的存儲介質。eMMC是近幾年智能手機興起后，為滿足不斷增大的系統文件而誕生的，是NAND Flash的升級版,他的結構如下：　　　　我們接觸到的16G、32G等手機，為何實際存儲容量卻總是小于這些值呢?難道
關鍵字： NAND FLASH eMMC

中國下個購并標的：NAND Flash控制芯片

　　中國政府近來積極透過中資集團陸續收購或入資海外半導體公司，期建立自有半導體供應鏈。現階段，邏輯晶片從設計、制造到封裝測試皆已具雛型，反觀記憶體領域則為主要發展缺口。資策會MIC認為，中資集團下一波購并目標將鎖定NAND Flash控制晶片業者，并設法取得大規模制造產能，以補強記憶體產業發展。　　資策會MIC產業顧問兼主任洪春暉表示，中國近期積極透過購并，來改善半導體自制比例過低的情形，現今中國在本土邏輯IC設計、晶圓代工、邏輯IC封測等產業鏈上，已有一定程度的發展，上述領域皆具有本土廠商或已與外商
關鍵字： NAND Flash 芯片

賽普拉斯推出業內最快、支持擴展溫度范圍的64Mb Quad SPI NOR閃存

　　嵌入式系統領域的領導者賽普拉斯半導體公司今日發布一款配備四串行外設接口(Quad SPI)的1.8V 、64Mb NOR閃存產品。借助Quad SPI接口，賽普拉斯FS-S NOR閃存家族中的這個最新成員能夠提供業內最高的讀取帶寬和最快的編程速度，同時具備小巧的PCB布局，是視頻電子游戲機、高級駕駛輔助系統(ADAS)、汽車儀表盤及信息娛樂系統、網絡設備和機頂盒等高性能應用的理想選擇。　　高性能系統需要最高的讀取帶寬來執行程序，同時需要小尺寸低引腳數的
關鍵字：賽普拉斯 NOR

TrendForce：經濟前景未明，2016年全球NAND Flash產值增長有限

　　全球經濟依舊前景不明，各項NAND Flash終端需求廠商態度相對保守，TrendForce旗下存儲事業處DRAMeXchange調查顯示，由于終端設備平均搭載量與固態硬盤(SSD)需求增長，2016年整體NAND Flash需求位量將較2015年增長44%，然而生產端為了快速降低成本以刺激更多的需求，NAND Flash廠商將會加速3D-NAND Flash的開發，整體NAND Flash年度位元產出增長率將大幅增長50%。　　DRAMeXchange研究協理楊文得表示，2016年NAND Fl
關鍵字： NAND Flash TLC

掌握ECC/壞區塊管理眉角　NAND Flash嵌入式應用效能增

　　NAND Flash記憶體在出廠時是允許部分晶片含有壞區塊，或者好的區塊中含有一些錯誤位元，因此在實際應用時，須搭配使用控制器，透過硬體與軟體進行壞區塊管理，以及利用錯誤更正編碼(ECC)演算法修正錯誤位元，方能提升嵌入式系統儲存效能。　　NAND型快閃記憶體(NAND Flash) IC的技術演進快速，平均每1∼2年就前進一個制程世代來降低成本，在售價大幅下降情況下，愈來愈多嵌入式系統，例如：藍光播放器、電視、數位相機、印表機等應用均采用NAND低成本的優勢，取代原本使用的NOR型快閃記
關鍵字： NAND Flash

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nor flash介紹

NOR Flash存儲器　　NOR和NAND是現在市場上兩種主要的非易失閃存技術。Intel于1988年首先開發出NOR flash技術,徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統天下的局面。緊接著,1989年,東芝公司發表了NAND flash結構,強調降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盤一樣可以通過接口輕松升級。但是經過了十多年之后,仍然有相當多的硬件工程師分不清NOR和NAND閃存 [ 查看詳細 ]