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nor flash 文章 最新資訊

麥格理分析師:DRAM和Flash價格會持續漲到年底

  •   據外媒報道,存儲芯片市場上周出現降溫雜音,麥格理分析師Daniel Kim提出反駁。   他認為下半年DRAM和NAND價格仍會續漲,有利美光、西部數據、三星、南亞科、力成、東芝和SK海力士股價。   據巴隆周刊(Barron's)報導,Daniel Kim發布報告說:「所有數據和消息都表明存儲芯片市場今年下半年會比預期更強。 」他看好存儲芯片價格會持續漲到今年底。   整體來說,Daniel Kim認為芯片價格上漲,即暴露看空論點的瑕疵。   他指出,建構數據中心的廠商「重視的是系統的表現而
  • 關鍵字: DRAM  Flash  

蘋果入局加劇NOR芯片缺貨 預估今年漲幅60%

  •   蘋果新手機iPhone 8將導入采用編碼型快閃存儲(NOR Flash),已讓NOR芯片缺貨更為嚴重。存儲業者透露,今年NOR芯片供給缺口將擴大至20%,主要供應大廠賽普拉斯(Cypress)也正式發出漲價通知,業者估計今年漲幅可能擴大至逾60%。     業者預期,會有更多廠商來臺搶貨,臺廠相關供應商包括旺宏、華邦電及晶豪科等,也樂見睽違4年多難得一見的榮景,將同步調漲售價,且估計第2季漲幅將逾20%之高。   存儲通路商透露,去年下半年以來,市場焦點一直以DRAM和儲存型快閃存
  • 關鍵字: 蘋果  NOR  

手機OLED相關組件賣到缺貨,它成國內最大受益者

  • AMOLED面板日益受到全球手機品牌青睞,讓OLED驅動IC需求快速上揚。OLED驅動IC采用的高壓制程,目前還無法加入嵌入式閃存(eFlash),只好退而求其次采用外掛NOR Flash來記憶狀態以及補償AMOLED的電流和亮度……
  • 關鍵字: OLED  NOR   

出售NOR芯片事業/再擴產能 千年老三美光要逆襲三星?

  • 在存儲器領域,美光屈居三星及SK 海力士之下,老三地位尷尬,難以出頭。臺灣是美光布局亞洲的橋頭堡和合伙人,合縱連橫,才有一線生機啊!
  • 關鍵字: 美光  NOR  

手機用OLED面板滲透率提升,加速2017年NOR Flash價格漲勢

  •   日前,根據平面媒體的報導,由于記憶體大廠美光科技(Micron)計劃處分旗下編碼型快閃記憶體(NOR Flash)事業,將導致供應鏈大洗牌,如此造成包括美系音響大廠,以及歐系車用系統大廠都來臺搶產能的情況,使得 NOR Flash 預計 2017 年上半年漲幅將超過 30%。而根據科技新報所掌握到的獨家消息,目前 NOR Flash 缺貨的情況,還包括南韓三星電子用于 AMOLED 的色彩控制上,一年估計要超過 4.8 億顆的需求,更是拉抬 NOR Flash 在 2017 年的漲勢。 &nbs
  • 關鍵字: OLED  NOR   

美光出售NOR芯片業務 兆易華邦接手可能性大

  •   全球存儲器業務整并潮持續進行,美光科技將退出NOR Flash業務,計劃出售旗下NOR芯片業務,正尋求相關買家,全力沖刺DRAM及3D NAND Flash,傳華邦電及兆易創新可能接手。   美光當初并入此芯片事業花12億美元,以目前內存市況持續加溫來看,要以多少價格出售,有待觀察。   半導體設備相關人士透露,美光已和多家廠商接洽,主因美光認為NOR芯片業務在該公司營收占比不高,產能也不具經濟效益,且近年全力聚焦在DRAM和NAND兩大內存的效益整合,因而計劃出售NOR芯片業務,戰力集中在提升D
  • 關鍵字: 美光  NOR  

賽普拉斯FL-L NOR 閃存系列迎來新成員,為汽車、工業和物聯網應用實現更高安全性、可靠性和性能

  •   全球領先的嵌入式解決方案提供商賽普拉斯半導體公司今日宣布其配備四串行外設接口(Quad?SPI)的NOR閃存系列新增64Mb和128Mb產品。全新的兩款FL-L?NOR閃存可為那些在擴展溫度范圍內運行并需要存儲重要數據的嵌入式系統提供最高可靠性和安全性。該系列閃存產品具備低功耗和AEC-Q100汽車認證,并且能夠在擴展溫度范圍內提供更高的讀帶寬和更快的編程速度。借助小巧、統一的4KB物理存儲單元,該系列閃存產品能夠以最佳方式存儲程序代碼和參數數據,是高級輔助駕駛系統(ADAS)、汽
  • 關鍵字: 賽普拉斯  NOR  

盤點+分析:Flash原廠2016年財報

  • 2016年Flash原廠加速向3D NAND切換,除了研發成本增加,切換過程中也很容易出現產能損失,同時還需要更新舊設備,增加新設備,以及擴大生產空間,從而導致Flash原廠NAND Flash產出減少,以及投資成本增加。
  • 關鍵字: Flash  三星  

大陸韓國擴產競賽 Flash后年產能恐過剩

  •   儲存型快閃存儲(NANDFlash)軍備競賽再起,南韓存儲大廠SK海力士決定再投資3.16兆韓元(約27億美元),在南韓及大陸兩地增加存儲產能;紫光集團旗下的長江存儲武漢廠,也預定本月底正式動土,都為2018年供給過于求再現,埋下隱憂。   目前各市調機構均看好明年NANDFlash仍處于供不應求局面,但南韓存儲大廠SK海力士上周宣布將在南韓蓋一座全新快閃存儲廠,在中國大陸也將加碼投資9,500億韓元,擴充產能,希望市占率能趕上三星,但也為NANDFlash市場投下新變數。   稍早三星和美光也都
  • 關鍵字: Flash  晶圓  

為滿足NAND Flash市場需求 SK海力士建新廠

  •   SK海力士宣布將在忠清北道清州市新建一個存儲器晶圓廠,滿足NAND Flash市場增加的需求。新工廠將坐落在清州科技園。SK海力士下個月開始設計外部的建設,2017年8月到2019年6月期間完成潔凈室的裝備,總投資達2.2兆韓元(18.4億美金)。     SK海力士表示,公司決定額外的新建一座Fab工廠,主要是為了確保能夠滿足NAND Flash市場需求的增長,以及引導向3D NAND發展。加之,考慮到通常建立一個半導體工廠需要超過2年,所以提前做好準備。   SK海力士曾在20
  • 關鍵字: NAND Flash  SK海力士  

Flash數據為何不翼而飛

  •   芯片貼板后跑不起來?Flash里面的數據在使用過程中莫名改變或不翼而飛?程序丟失可能無法正常運行,從而造成整個系統崩潰,下面我們來看看是什么原因讓數據異常變化。        1、用戶代碼對Flash的誤操作不當引起程序丟失或被錯誤改寫  例如,在有對Flash寫入或擦除操作的代碼中,如果用戶誤調用了寫入或擦除函數或者由于程序跑飛而恰好執行了Flash擦除或寫入函數,這自然會導致數據丟失或改變。針對以上情況,可以在程序中設置多個允許操作的變量,當執行寫入或擦除操作時,對
  • 關鍵字: Flash  芯片  

NAND Flash供不應求,第三季品牌商營收大幅季成長19.6%

  •   TrendForce集邦科技旗下存儲研究品牌DRAMeXchange(全球半導體觀察)最新調查顯示,受惠于智能手機需求強勁,及供給端2D-NAND 轉進3D-NAND 所導致的整體產出減少,第三季NAND Flash開始漲價,使得NAND Flash原廠營收季成長19.6%,營業利益率也較上季大幅進步。   DRAMeXchange研究協理楊文得表示,第四季各項終端設備出貨進入今年最高峰,預估整體NAND Flash供不應求的市況將更為顯著,各項NAND Flash產品的合約價漲幅將更高,廠商的營收
  • 關鍵字: NAND Flash  英特爾  

Flash缺貨,存儲器成為三星的搖錢樹

  •   NAND Flash缺貨,加上SSD可能是新款電子產品的重要選擇,缺貨現象可能延續到2017Q1。(法新社)   根據DIGITIMES的報導,NAND Flash缺貨,加上SSD可能是新款電子產品的重要選擇,缺貨現象可能延續到2017Q1以后。估計2017年DRAM供應量成長率是15%,比2016年的32%低很多,而Flash更是從67%暴跌至35%。更值得注意的是,2016年投資金額為10兆韓元的記憶體產業,2017年將增加至13兆韓元,其中4兆韓元用于DRAM,Flash則約9兆韓元,遠不如原
  • 關鍵字: Flash  存儲器  

中國存儲三大勢力成形 各自進擊

  •   早前報導,中國存儲三大勢力成形,目前長江存儲、晉華集成已積極展開建廠、布建產能,就差合肥團隊還未有相關消息,現在相關招募信息與環評結果曝光,也透露更多發展信息。   中國發展存儲成三路進擊,除了由武漢新芯與紫光合體組成的長江存儲、聯電相助的福建晉華集成,第三勢力在兆易創新與前中芯CEO王寧國主導的合肥長鑫合作下也蠢蠢欲動,現在從兆易創新的招募消息與合肥長鑫的環評公告,也可一窺其在合肥的布局。   合肥將發展存儲的消息已不是新聞,但原先傳出與合肥市政府合作的爾必達前社長坂本幸雄,目前得到消息已淡出合
  • 關鍵字: 長江存儲  Flash   

基于TMS320C6678的多核DSP加載模式研究

  • 摘要:德州儀器TI推出的八核DSP芯片TMS320C6678是目前基于Keystone架構的最高性能的DSP器件,是市場上應用廣泛的C6455高端處理平臺升級的理想選擇。本文主要研究了C6678 DSP程序的各種單核加栽和多核加載的幾種模式
  • 關鍵字: C6678 DSP  flash boot  多核boot  I2C引導  SRIO  網絡  
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nor flash介紹

NOR Flash存儲器   NOR和NAND是現在市場上兩種主要的非易失閃存技術。Intel于1988年首先開發出NOR flash技術,徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統天下的局面。緊接著,1989年,東芝公司發表了NAND flash結構,強調降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盤一樣可以通過接口輕松升級。但是經過了十多年之后,仍然有相當多的硬件工程師分不清NOR和NAND閃存 [ 查看詳細 ]

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