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華虹NEC完成Cypress的0.13微米NVM技術(shù)授權(quán)

　　上海，中國(guó)—圣何塞，加利福尼亞，3月24日，2008—賽普拉斯半導(dǎo)體公司（紐交所代碼：CY）和上海華虹NEC電子有限公司（華虹NEC）今天共同宣布， Cypress的0.13微米嵌入式非揮發(fā)性存儲(chǔ)器（NVM）技術(shù)已經(jīng)在華虹NEC獲得成功驗(yàn)證。始于2006年12月的技術(shù)授權(quán)項(xiàng)目已經(jīng)順利完成。　　與Cypress歷經(jīng)14個(gè)月的默契協(xié)作，華虹NEC完成了所有的新設(shè)備安裝、工藝轉(zhuǎn)移以及閃存模塊IP的設(shè)計(jì)，達(dá)到了對(duì)于Cypress相對(duì)較高的成品率，并且都通過了工藝驗(yàn)證。Cypress
關(guān)鍵字： NVM

　　鐵電存儲(chǔ)器同時(shí)具備可存儲(chǔ)大量資料的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器DRAM)與高速運(yùn)作的靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)的優(yōu)點(diǎn)，且在斷電后，資料不會(huì)消失，亦具備快閃存儲(chǔ)器的優(yōu)點(diǎn)。在所有非易失性存儲(chǔ)器(NVM)中，鐵電存儲(chǔ)器件被認(rèn)為是最有吸引力的用于IT的存儲(chǔ)器件之一[1]。1T單元體積更小，集成度更高。特別是這種方式易于實(shí)現(xiàn)多值存儲(chǔ)，在相同規(guī)模下可以達(dá)到更高的存儲(chǔ)容量，因而在提高性價(jià)比方面具有極大的優(yōu)勢(shì)。　　為了系統(tǒng)地從理論上研究鐵電存儲(chǔ)器IT單元特性，米勒首先提出了數(shù)學(xué)模型[2]。后人也有用實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)、依據(jù)實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)得到的
關(guān)鍵字：存儲(chǔ)器 SRAM NVM 存儲(chǔ)器

如果你認(rèn)為過去的歸過去，未來的歸未來，那么你就錯(cuò)了，因?yàn)闆]有過去就不會(huì)有現(xiàn)在，沒有現(xiàn)在當(dāng)然就不會(huì)有未來。然而過去、現(xiàn)在、未來之間是如何相互依存的呢？從某方面來說這是神秘難以解答的一件事，但簡(jiǎn)單來講就是靠記憶的作用，過去雖然不存在了，卻可以回想，未來雖然還沒有決定，現(xiàn)在卻可以一步步去計(jì)劃、設(shè)想與實(shí)踐
關(guān)鍵字： NVM SRAM DRAM

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