IT之家 11 月 13 日消息，韓國日報稱，三星電子打破了 SK 海力士為 NVIDIA 獨家供應 HBM 3 的局面，該公司計劃從明年 1 月開始向英偉達提供 HBM3。有分析師預測稱，今年以來一直低迷的三星電子半導體業務業績將在明年迅速復蘇。一些猜測認為，三星電子可能會在明年下半年在 HBM 市場份額上超過 SK 海力士。此前，三星電子已成功向美國 AMD 供應 HBM3 內存，但由于 AMD 在該市場的主導地位并不大，因此據說供應有限。市場研究公司 Trend Force 預測，SK 海
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不負期待?與美光相約2023進博會2023年11月5日，第六屆中國國際進口博覽會正式開幕，吸引了來自世界各地的企業參展。其中，美光首次亮相進博會，為業界帶來了一系列創新的內存和存儲產品及解決方案，并展示了其為賦能數據經濟發展，推動人工智能和5G應用進步所付出的不懈努力。深入存儲四大應用領域美光的展位以“深耕存儲領域，賦能數字中國”為主題，向觀眾展示了一系列高性能內存和存儲產品。展臺劃分為數據中心、汽車與智能邊緣領域、移動設備以及PC客戶端四大應用領域，最新的產品和解決方案令人印象深刻。這些創新的
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美光 進博會 LPDDR5 內存 存儲技術
IT之家?10 月 26 日消息，全球第二大內存芯片制造商 SK 海力士公司表示，人工智能的熱潮將推動芯片利潤增長，該公司在第三季度的虧損比上一季度大幅縮小。該公司在周四表示，用于人工智能的高級芯片的強勁需求，緩解了由于智能手機和電腦等設備中使用的普通芯片需求持續低迷而造成的影響。SK 海力士表示，其銷售用于科技設備的 DRAM 芯片的業務，在第三季度重新盈利，而今年前兩個季度都是虧損的。該芯片制造商在一份聲明中說：“DRAM 業務…… 預計隨著生成型人工智能的繁榮而繼續改善。仍然虧損的 NAN
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IT之家 10 月 11 日消息，美光公司今天發布新聞稿，進一步擴展了 1β（1-beta）工藝節點技術，推出 16Gb DDR5 內存。美光演示的 1β DDR5 DRAM 目前已經開始向數據中心和 PC 用戶提供，峰值速度可以達到 7200 MT/s。這款新型 DDR5 內存采用先進的 high-k CMOS 器件技術，4 相時鐘和時鐘同步（clock-sync）1，相比較上一代性能提高 50%，每瓦性能提高了 33%。全新 1β DDR5 DRAM 產品線提供 4,800 MT/s 至 7
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據媒體引述內存模組制造商表示，主要半導體制造商正在增加DDR5內存的可用容量，該內存預計將在2024年成為主流。預計到2023年底，他們的DDR5內存bit銷售額合計將占bit銷售額總額的30-40%。DDR5是第5代雙倍數據速率同步動態隨機存取內存，又稱DDR5 SDRAM。相比DDR4，DDR5在帶寬，頻率上優勢都是非常明顯的。今年來，DDR5的動態頻繁傳來：三星方面，該公司于今年5月量產12納米級16Gb DDR5 DRAM，于9月已成功開發12nm級32Gb DDR5 DRAM。三星表示，全新12
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臺積電、英特爾等大廠近年來不斷加大對異構集成制造及相關研發的投入。隨著 AIGC、8K、AR/MR 等應用的不斷發展，3D IC 堆疊和 chiplet 異構集成已成為滿足未來高性能計算需求、延續摩爾定律的主要解決方案。不久前，華為公布了一項芯片堆疊技術的新專利，顯示了該公司在芯片技術領域的創新實力。這項專利提供了一種簡化芯片堆疊結構制備工藝的方法，有望解決芯片堆疊過程中的各種技術難題。堆疊技術可以提高芯片的效率，并更好地利用可用空間，進一步推動芯片技術的進步。盡管目前該專利與將兩個 14nm 芯片堆疊成
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三星電子宣布已開發出其首款
7.5Gbps（千兆字節每秒）低功耗壓縮附加內存模組（LPCAMM）形態規格，這有望改變個人計算機和筆記本電腦的 DRAM（動態隨機存取存儲器）
市場，甚至改變數據中心的DRAM市場。三星的突破性研發成果已在英特爾平臺上完成了系統驗證。三星LPCAMM內存模組結構示意圖截至目前，個人計算機和筆記本電腦都在使用傳統的 LPDDR DRAM 或基于 DDR 的
So-DIMM（小型雙重內嵌式內存模組）。然而受結構限制，LPDDR需要被直接安裝在設備的主板上，導致其在維修
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IT之家 9 月 12 日消息，根據韓國 The Elec 報道，三星電子和 SK 海力士兩家公司加速推進 12 層 HBM 內存量產。生成式 AI 的爆火帶動英偉達加速卡的需求之外，也帶動了對高容量存儲器（HBM）的需求。HBM 堆疊的層數越多，處理數據的能力就越強，目前主流 HBM 堆疊 8 層，而下一代 12 層也即將開始量產。報道稱 HBM 堆疊目前主要使用正使用熱壓粘合（TCB）和批量回流焊（MR）工藝，而最新消息稱三星和 SK 海力士正在推進名為混合鍵合（Hybrid Bonding
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這兩年，DRAM內存芯片、NAND閃存芯片都需求疲軟，導致價格持續處于地位，內存、SSD硬盤產品也越來越便宜。不過，這種好日子似乎要結束了。根據集邦咨詢最新研究報告，預計在2024年，內存、閃存原廠仍然會延續減產策略，尤其是虧損嚴重的閃存，但與此同時，至少在2024年上半年，消費電子市場需求仍不明朗，服務器需求相對疲弱。由于內存、閃存市場在2023年已經處于低谷，價格也來到相對低點，因此 預計在2024年，內存、閃存芯片的市場需求將分別大漲13.0％、16.0％，相比今年高出大約6.5個、5.0
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汽車事件數據記錄系統（EDR）市場的不斷發展正在推動專用數據記錄存儲設備的需求，這些設備能夠即時捕獲關鍵數據并可靠地存儲數據長達數十年。近日，英飛凌科技股份公司進一步擴展其EXCELON? F-RAM存儲器產品，推出兩款分別具有1Mbit和4Mbit存儲密度的新型F-RAM存儲器。全新1Mbit EXCELON? F-RAM是業內首款車規級串行F-RAM存儲器。這兩款新品已通過AEC-Q100 1級認證，支持更寬泛的溫度范圍（-40°C 至+125°C ），補充了存儲密度從4Kbit到16Mbit不等的車
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由于各大企業對布局AI領域的興趣激增，同時，SK海力士在用于生成式AI領域的高帶寬存儲器（HBM）DRAM方面處于市場領先地位，其二季度用于AI領域的高性能DRAM銷售增長強勁，對高端DRAM的需求增長了一倍多。繼英偉達之后，全球多個科技巨頭都在競購SK海力士的第五代高帶寬內存HBM3，包括AMD、微軟和亞馬遜等等。
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簡單解釋ROMROM：只讀存儲器，內容寫入后就不能更改了，制造成本比較低，常用于電腦中的開機啟動如啟動光盤bios，在系統裝好的電腦上時，計算機將C盤目錄下的操作系統文件讀取至內存，然后通過cpu調用各種配件進行工作這時系統存放存儲器為RAM。PROM：可編程程序只讀存儲器，但是只可以編寫一次。EPROM：可抹除可編程只讀存儲器，可重復使用。EEPROM：電子式可抹除可編程只讀存儲器，類似于EPROM但是摸除的方式是使用高電場完成。RAMRAM：隨機存取存儲器，也叫主存，是與CPU直接交換數據的內部存儲器
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ROM RAM FLASH DDR EMMC
2022年9月底，Intel宣布徹底終結Optane傲騰業務，包括SSD固態硬盤、PMem持久內存兩大產品線，但是現在，傲騰內存還要再掙扎一下。Intel原計劃在今年9月30日之后停止出貨傲騰持久內存100系列，但是現在，Intel將截止期限延長到了12月29日，多供貨3個月。同時，Intel建議客戶，按照0.44％的年故障率備足存貨，以備不時之需。不過，Intel并未解釋延長出貨期限的原因，不知道是客戶仍有需求，還是庫存太多清不完？傲騰持久內存的地位介于傳統DIMM內存、傲騰SSD之間，將數據比特保存在
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英特爾 Intel 傲騰 SSD PMem 內存
計算機關閉時，RAM 中存儲的信息會丟失，而長期存儲設備（SSD 或 HDD）中的數據會保留。
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