據HKEPC網站報道，市調機構DRAMeXchange指出， 9月份下半DRAM顆粒合約價持續下調， DDR3 1Gb顆粒均價趺破2美元關口， DDR3 2GB模塊合約價亦由36美元下調至34美元，跌幅約為5.5% ，而低位更曾經下試33美元新低水平，第三季度DDR3模塊合約價下跌約2.3% ，創下至去年年中減產后單季最大跌幅，不僅DDR3內存DDR2合約價亦緊貼DDR3合約價下跌， DDR2 2GB模塊合約均價約為33美元水平，跌幅約為6% 。
現貨市場方面，由于廣州亞運將于11月舉辦，大陸方
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內存 DRAM
高階智能型手機和平板計算機應用逐漸侵蝕筆記型計算機(NB)市場，全球存儲器大廠包括三星電子(Samsung Electronics)、爾必達(Elpida)、美光(Micron)紛重兵部署Mobile RAM市場，由于生產標準型DRAM利潤減少，國際存儲器大廠持續將產能移往Mobile RAM產品。臺系DRAM廠加入Mobile RAM戰局時間點較晚，其中，南亞科Mobile RAM已送客戶認證，預計2011年第1季放量，茂德2011年亦將在爾必達授權下加入戰局，而華邦Mobile RAM更是目前營運
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三星電子 存儲器 RAM
高階智能型手機和平板計算機應用逐漸侵蝕筆記型計算機(NB)市場，全球存儲器大廠包括三星電子(Samsung Electronics)、爾必達(Elpida)、美光(Micron)紛重兵部署Mobile RAM市場，由于生產標準型DRAM利潤減少，國際存儲器大廠持續將產能移往Mobile RAM產品。臺系DRAM廠加入Mobile RAM戰局時間點較晚，其中，南亞科Mobile RAM已送客戶認證，預計2011年第1季放量，茂德2011年亦將在爾必達授權下加入戰局，而華邦Mobile RAM更是目前營運
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三星電子 RAM 智能手機
目前模擬、內存與PC芯片等市場，似乎處于淡季狀態──如果不是真的衰退;那么，半導體產業究竟是正朝向成長速度趨緩、停滯，抑或是又一次恐怖的衰退?對此市場研究機構VLSI Research執行長G. Dan Hutcheson認為，以上皆非，芯片產業在2010年的熱啟動之后，將「回歸正常」。
也就是說，芯片市場會冷卻到某種程度，回到一個更合理的成長周期;但該市場仍有一些值得憂慮的地方──9月份全球芯片銷售額數字就是一個警訊，可能預示今年剩下的時間與明年，市場表現會不如預期。「有一個說法“
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半導體 內存
據iSuppli市調公司發布的調查報告顯示，內存業界生產DRAM芯片的平均制造成本出現了四年以來的首次正增長，不過據iSuppli公司分析，芯片 制造成本正增長的局面有望在數個季度之內有所緩解。根據統計數據顯示，今年第二季度內存芯片的制造成本從上一季度的2美元/GB提升到了2.03美元 /GB，盡管提升的幅度僅有1.2%，但這是四年以來的首次成本正增長，相比之下，2005年至今的制造成本提升幅度則平均僅-9.2%。
據分析，造成內存芯片制造成本攀升的原因主要是芯片制造的復雜度和技術要求越來越
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芯片 內存 DRAM
DSP芯片TMS320C6712的外部內存自引導功能的實現,TMS320C6000系列與TMS320C54系列的引導方式有很大差別。在開發應用TMS320C6000系列DSP時，許多開發者，尤其是初涉及者對DSP ROM引導的實現有些困難，花費許多時間和精力摸索。筆者結合開發實例，介紹了實現外部存儲器
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引導 功能 實現 內存 外部 芯片 TMS320C6712 DSP
據國外媒體報道，市場研究公司iSuppli 15日表示，由于爾必達公司和南亞科技股份有限公司生產費用出現增長，電腦內存芯片的生產成本近4年來首次上升。
美國加州的市場研究公司iSuppli周二的調查報告顯示，動態隨機存取存儲器(DRAM)內存芯片的平均生產成本從第一季度的每G內存2美元上升到了第二季度的2.03美元，而上一次內存芯片制造成本的上升發生在2006年的第三季度。
爾必達公司和南亞科技股份有限公司分別是全球第三和第五大芯片制造商。iSuppli表示，南亞科技股份有限公司在采用新的
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內存 DRAM
在眾多組合導般系統中，INS/GPS組合導航系統更是發展迅速，在軍用和民用領域均已獲得廣泛應用，而且愈來愈受到重視。就INS/GPS組合導航系統而言，除了要完成大量的導航解算工作外，還要完成控制、人機接口、與外
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日圓兌美元匯率強勢升值，創近15年來新高;臺灣存儲器業者表示，日圓走勢對日系廠商營運勢必產生壓力，未來將更仰賴臺灣合作伙伴。
日本兩大半導體廠在全球市場占有舉止輕重的影響力，其中爾必達 (Elpida)今年第2季在全球動態隨機存取內存 (DRAM)市場占有率為18%，是全球第3大DRAM廠。
東芝(Toshiba)今年第2季在全球儲存型閃存(NAND Flash)市場占有率達33.1%，僅次于韓國三星，居全球第2大廠地。
南亞科技副總經理白培霖指出，日圓急遽升值，對日本內存廠爾必達及
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內存 DRAM
據臺系內存業者透露，由于PC產品市場需求較為弱勢，因此今年9月份內存產品的協議價將繼續走低，消息來源并希望年底企業用戶更換新電腦產生的市場需求能 夠幫助內存產品穩定價格。值得注意的是，在臺系內存廠商發出這種悲觀的論斷之前，三星公司電子芯片部門的首腦人物曾稱目前PC銷量的持續走低將導致明年第 一季度內存市場出現供過于求的局面。
據消息來源分析，在內存價格下跌的大潮中，PC廠商很有可能會考慮增加自己部分產品的內存容量到4GB水平，不過內存方面的升級將僅限于部分高端型號。另外，歐洲和美國市場對PC機型
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據國外媒體報道，惠普周二宣布與韓國海力士半導體(Hynix Semiconductor)達成合作協議，共同研發下一代內存技術電阻式內存并將其推向市場。
據一份聲明顯示，兩家公司將合作開發新型材料和技術，實現電阻式內存(ReRAM)技術的商業化。海力士將會采用由惠普實驗室研發出的新型元件憶阻器(memristor)。憶阻器相比現有的固態存儲技術能耗更低，速度更快，而且能在斷電時存儲數據。惠普今年春季稱表示，憶阻器也能夠執行邏輯。
ReRAM技術的初衷是成為低功耗Flash的替代品。ReRAM
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三星電子今天宣布，已經開始在全球范圍內首家采用30nm級工藝(30-39nm)批量生產2Gb DDR3內存顆粒。三星稱，這種新工藝DDR3內存顆粒在云計算和虛擬化等服務器應用中電壓1.35V，頻率最高可達1866MHz，而在PC應用中電壓為1.5V，皮哦年率最高2133MHz，號稱比DDR2內存快3.5倍，相比于50nm級工藝的DDR3也要快1.55倍。
該顆粒屬于三星的綠色內存系列，在服務器應用中能比50nm級工藝產品節約最多20%的功耗，在多核心PC系統中30nm級工藝4GB DDR3內存條
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三星電子 內存 30nm
1內存條的工作原理DDR內存條是由多顆粒的DDRSDKAM芯片互連組成，DDRSDRAM是雙數據率同步動態隨機...
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據國外媒體報道，由于芯片廠商提高產量和PC廠商堅持反對價格進一步上漲的強硬立場，DRAM內存價格在今年6月出現了一年以來的首次下降。
內存芯片價格下降對于每個購買新PC的用戶來說都很重要，因為昂貴的DRAM內存芯片價格是PC價格在幾年來首次出現上漲的原因之一。但是，內存芯片價格的下降是這個市場出現轉變的一個信號。今年年初出現的內存芯片短缺導致芯片廠商提高產量，從而緩解了短缺情況。
現在，Gartner預測內存芯片的平均銷售價格在2010年剩余的時間里將溫和下降，并且指出DRAM內存廠商能夠
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