- 臺灣媒體報道，茂德今天宣布，他們已在其臺灣科技園中部的12寸晶圓廠使用爾必達 63nm(65nm-XS、Super-shrink)工藝成功試產出了1Gb DDR3內存顆粒。首批測試結果顯示，顆粒規格符合業界規范，并全面兼容PC、數碼移動電子品應用。茂德今年三月份開始使用爾必達的63nm堆疊制程工藝試產DDR3顆粒，計劃在今年三季度實現量產。到年底時，茂德每月為DDR3芯片生產提供的晶圓產量 將達到3.5萬片。
茂德表示，他們預計將在明年下半年開始使用爾必達的45nm工藝進行生產，并計劃在明年年底
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茂德 DDR3 內存
- 日本爾必達公司和臺灣南亞內存公司最近發表聲明稱公司愿意接受歐委會有關涉嫌惡意操縱內存芯片價格的處罰決定，不過同遭此指控的其它幾家內存廠商則尚未就 此事發表類似的聲明。
本月18日，歐委會宣布完成了內存芯片價格壟斷案的審理，據歐委會表示，此案涉及10家生產個人電腦/服務器產品用內存芯片品牌，開出的反壟斷罰金總額高達4.09億美元。除了爾必達和南亞之外，此案還涉及三星，Hynix以及鎂光等。不過由于鎂光在歐盟開始調查此案時主動采取坦白從寬的態度，承認自己涉嫌操縱內存芯片價格，因此歐委會決定網開一面赦
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鎂光 內存
- 全球第二大內存廠商Hynix周二證實，已經接到歐盟通知，將因為非法操縱內存價格而遭到罰款。
Hynix表示，歐盟計劃于周三宣布具體的罰款金額。此外，Hynix并未透露其他詳情，包括將被罰款的其他芯片廠商等。關于全球多家頂級內存廠商合謀操 控產品價格，歐盟已經調查了多年。美國司法部門也對此展開了調查，并對三星、Hynix和英飛凌進行了罰款。
本周早些時候曾有報道稱，此次將有9家企業遭到歐盟罰款，除了上述3家，其他6家公司分別是Elpida、NEC電子、日立、東芝、三菱電子和南亞科技。
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Hynix 內存
- 據報道，日本DRAM大廠爾必達今天宣布已經研發出40nm 2Gb移動(Mobile RAM)內存顆粒。該顆粒大小不到50平方毫米，號稱目前能夠使用40nm工藝實現量產的最小顆粒。該2Gb移動內存顆粒基于40nm CMOS工藝，支持x16-bit、x32-bit位寬，采用60/90-ball FBGA或PoP式FBGA封裝。除JEDEC標準的1.8V電壓外，該顆粒還可支持1.2V的低電壓工作，數據傳輸率400Mbps，工作溫度-25到85度。
爾必達稱，新40nm顆粒在使用了爾必達獨家設計工藝以及
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爾必達 40nm 內存
- 期相變化內存(PCMorPRAM)市場戰況火熱，繼三星電子(SamsungElectronics) 宣布將相變化內存用在智能型手機(Smartphone)用的MCP(Multi-ChipPackage)芯片問世后，恒憶(Numonyx)也宣布推出針對PC、消費性電子和通訊市場使用的相變化內存新品牌Omneo，采用90奈米制程，容量達128Mb，隨著國際大廠接連發動攻勢，讓原本冷門的相變化內存市場一夕之間熱了起來!
全球相變化內存分為3大陣營，包括恒憶/英特爾(Intel)、三星、旺宏/IBM，三
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三星電子 內存
- 據國外媒體報道，臺灣內存制造商南亞科技和華亞科技周二都發布了財報。由于內存價格反彈，兩家公司第一季度凈虧損同比都縮窄，但業績低于預期，反映出在升級技術削減生產成本上遇到困難。
由于過去2年資本投資的疲軟，導致全球內存供應短缺，亞洲DRAM芯片制造商從價格反彈中受益。Windows 7的發布也促使消費者和企業更新換代，購買了要求更大內存的新電腦。南亞科技副總裁白佩林表示，4月公司將在3月的基礎上再調高價格，隨著設備使用率提高，第二季度出貨量將比第一季度增加10%。
南亞科技第一季度凈虧損從1
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南亞科 內存
- 摘要：為了解決PCI9052和雙口RAM之間讀寫時序不匹配的問題，本設計采用可編程器件來實現它們之間的接口電路。此電路可以使系統更加緊湊。核心邏輯部分采用有限狀態機實現，使控制邏輯直觀簡單，提高了設計效率。
通
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FPGA PCI9 RAM PCI
- WinCE文件目錄定制及內存調整, 本文介紹了WinCE文件目錄定制及內存調整的操作方法。WinCE的文件目錄結構以及文件的位置都是在DAT文件中定義的。所有的dat文件會在WinCE編譯時合并成initobj.dat文件，WinCE會根據DAT中的描述生成相應目錄。
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內存 調整 定制 目錄 文件 WinCE
- 根據WSTS統計，09Q4全球半導體市場銷售值達673億美元，較上季(09Q3)成長7.0%，較去年同期(08Q4)成長28.9%;銷售量達 1,549億顆，較上季(09Q3)成長3.2%，較去年同期(08Q4)成長31.8%;ASP為0.434美元，較上季(09Q3)成長3.7%，較去年同期(08Q4)衰退2.3%。2009年全球半導體市場全年總銷售值達2,263億美元，較2008年衰退9.0%;總銷售量達5,293億顆，較 2008年衰退5.6%;2009年ASP為0.428美元，較2008年衰退
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臺積電 晶圓代工 內存
- 雙端口RAM的并口設計應用,摘要：IDT7132/IDT7142是一種高速2k×8雙端口靜態RAM,它擁有兩套完全獨立的數據、地址和讀寫控制線。文中分析了雙端口RAM（DPRAM）的設計方案。并以IDT7132/7142為例介紹了雙端口RAM的時序、競爭和并行通訊接口設計以
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應用 設計 并口 RAM 雙端口
- 引言
高性能和環保是當前技術創新的兩大要求。二者共同推動半導體元器件的發展，同時也為全球眾多企業和消費者所耳熟能詳。
若系統設計需要采用半導體存儲器技術，工程師有(但不限于)以下選擇：電池備份靜態隨機存儲器(battery backed static random access memory, BBSRAM);非易失性SRAM;鐵電隨機存取存儲器(F-RAM);以及其它noVRAM技術。在從工廠自動化和電信到計量和醫療技術的每一種應用中，要確定最適合的存儲器選擇，是一項重要的設計考慮事項。
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Ramtron F-RAM BBSRAM
- 據iSuppli公司，經濟復蘇已帶動長期低迷的NOR閃存市場反彈，類似于整體內存市場的情形。
2009年第四季度總體NOR營業收入為12.3億美元，比第三季度的12.2億美元增長0.7%。
“這標志這個市場連續第三個季度實現環比增長。2009年第一季度形勢非常糟糕，營業額下降到不足10億美元，”iSuppli公司的資深內存與存儲分析師Michael Yang表示，“第四季度NOR閃存營業收入受到來自多個消費產品領域的需求推動，包括液晶電視、手機和電腦。需
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- 據彭博社報道，海力士(Hynix Semiconductor Inc.)債權人任命Kwon Oh Chul擔任這家全球第二大電腦內存片制造商CEO。
海力士主要債權人韓國外換銀行(Korea Exchange Bank)今天在一份電子郵件聲明中表示，該公司債權人在對海力士執行副總裁Choi Jin Seog、執行副總裁Park Sung Wook、和高級副總裁Kim Min Chul評審之后，最后選擇了今年51歲的Kwon Oh Chul。海力士債權人為了給予救助而對這家韓國電腦內存片制造商投入
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- 市場研究公司Gartner預計，2010年全球半導體營收將增長20%，達到2760億美元。
2009年，全球半導體營收下滑了10%。但Gartner周三指出，今年全球半導體銷售額有望達到2760億美元，與去年的2310億美元相比將增長19.5%。
Gartner表示，處理器和內存是推動2010年半導體營收增長的主要動力。其中，DRAM芯片漲幅將達到55%。
Gartner預計，至少在2014年之前，半導體市場將持續增長。到2012年，全球半導體市場規模將達到3040億美元。
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半導體 處理器 DRAM 內存
- 據市場研究公司iSuppli稱，經過連續三年的下降之后，DRAM內存市場2010年的銷售收入將達到319億美元，增長40%。
iSuppli負責DRAM內存業務的高級分析師Mike Howard在聲明中說，2010年將在2009年第四季度增長的基礎上繼續增長。2009年第四季度整個DRAM內存行業的銷售收入環比增長了40%。 Howard指出出貨量的增長和平均銷售價格的提高是這種增長的主要原因。
2009年第四季度是DRAM內存行業在最近的記憶中表現最好的一個季度。據iSuppli稱，20
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