中國信通院數據顯示，2019年1-10月中國5G手機出貨量328.1萬部，發展速度遠超業界預期。5G商用的加速推進，讓更廣泛的智能時代提前到來，隨之而來的是海量的芯片需求。然而，先進芯片制造工藝雖有巨資投入，卻僅能滿足CPU、DRAM等一部分芯片市場應用需求；像嵌入式閃存、電源、功率芯片等廣泛存在的需求，則主要由華虹集團旗下上海華虹宏力半導體制造有限公司（“華虹宏力”）為首的特色工藝芯片制造企業，基于成熟工藝設備不斷創新以提升芯片性能和成本優勢來滿足。近日，在中國集成電路設計業2019年會(ICCAD 2
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RF-SOI BCD
問題:我如何處理變化幅度很大的信號？答案:使用對數放大器。世界上最小的哺乳動物當屬Etruscan pygmy shrew，其長度約為3厘米（不包括尾巴在內），重量不到1.5克 -
是老鼠的十分之一。最大的哺乳動物則是藍鯨，其長度超過30米，重量達150余噸，是大象體重的30倍。藍鯨的身長是Etruscan pygmy
shrew的1000倍，重量是它的1億倍。測量小的東西很容易，測量大的東西也不難；但是，如果必須同時測量這兩
種東西，事情就變得復雜起來。系統能夠處理的最小信號與最大信號的比值
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信號 放大器 rf
近日，分立、邏輯和 MOSFET 器件的專業制造商Nexperia，今天推出650V的功率器件GAN063-650WSA，宣布其進入氮化鎵場效應管(GaN)市場。這款器件非常耐用，柵極電壓 (VGS) 為 +/- 20 V，工作溫度范圍為 -55 至 +175 °C。GAN063-650WSA的特點是低導通電阻（最大RDS(on) 僅為 60 m?）以及快速的開關切換；效率非常高。Nexperia氮化鎵器件的目標是高性能要求的應用市場，包括電動汽車、數據中心、電信設備、工業自動化和高端電源。Nexperi
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Nexperia GaN FET 氮化鎵功率器件 MOSFET 器件
寬帶RF分集開關BGS14WMA9和BGS12WN6具有高開關速度，它們針對WLAN和藍牙應用進行了優化，可為FM廣播、LTE、LAA和5G應用提供0.05至6.0GHz寬帶支持。除了高開關速度外，這兩種類型RF開關還提供高達26dBm輸入功率的高線性度、低插入損耗和高達6GHz的端口到端口高隔離度。其低耗電量可進一步節省系統級的功耗。這些RF開關采用英飛凌的專利MOS技術制造，具有砷化鎵(GaAs)開關的性能，并具有傳統CMOS(互補金屬氧化物半導體)開關的經濟性、集成度和靜電放電(ESD)魯棒性。與采
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RF 開關
各行業所需高溫半導體解決方案的領導者CISSOID近日宣布：在湖南株洲舉行的中國IGBT技術創新與產業聯盟第五屆國際學術論壇上，公司與湖南國芯半導體科技有限公司（簡稱“國芯科技”）簽署了戰略合作協議，將攜手開展寬禁帶功率技術的研究開發，充分發揮其耐高溫、耐高壓、高能量密度、高效率等優勢，并推動其在眾多領域實現廣泛應用。近年來，寬禁帶半導體功率器件（如碳化硅SiC和氮化鎵GaN等）憑借多方面的性能優勢，在航空航天、電力傳輸、軌道交通、新能源汽車、智能家電、通信等領域開始逐漸取代傳統硅器件。然而，在各類應用中
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IGBT SiC GaN
2019年9月30日 — 美國國家儀器(National Instruments，簡稱NI)是一家提供軟件定義平臺的供應商，其平臺有助于加速自動化測試和自動化測量系統的開發和性能提升，該公司今日發布了硬件加速的5G毫米波OTA驗證測試參考架構，可對5G 毫米波波束成形AiP器件進行全面的特性分析和驗證。與傳統的點對點軟件控制測試系統相比，NI的毫米波OTA驗證測試參考架構可在24 GHz到44 GHz的5G毫米波頻段內快速掃描OTA空間，幫助用戶顯著縮短AiP器件的OTA射頻驗證測試時
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RF NI 5GOTA
定向耦合器用于檢測RF功率，應用廣泛，可以出現在信號鏈中的多個位置。本文探討ADI公司的新器件ADL5920，其將基于寬帶定向耦合器與兩個RMS響應檢測器集成在一個5 mm×5 mm表貼封裝中。相比于要在尺寸和帶寬之間艱難取舍的傳統分立式定向耦合器，該器件具有明顯的優勢，尤其是在1 GHz以下的頻率。在線RF功率和回波損耗測量通常利用定向耦合器和RF功率檢波器來實現。圖1中，雙向耦合器用于無線電或測試測量應用中，以監測發射和反射的RF功率。有時希望將RF功率監測嵌入電路中，一個很好的例子是將兩個或更多信號
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RF 測量 回波 功率
2019年9月17日 中國上海 -? SOI產業聯盟( SOI微電子完整價值鏈的領先行業組織)今日宣布了半導體行業的兩位杰出獲獎者,分別是來自村田制作所(Murata)旗下pSemi公司的董事長兼首席技術官Jim Cable和中芯集成電路(寧波)有限公司的首席執行官兼總經理Herb Huang(黃河),二位為RF-SOI (一種廣泛用于蜂窩通信芯片的領先技術)技術進步做出貢獻而榮獲此殊榮。此次SOI產業聯盟在上海舉辦了年度RF-SOI論壇,共有來自中國和世界各地的450多位行業領袖參加,是SOI
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SOI RF
全球SiC晶圓市場規模約為8千多億美元，SiC晶圓與GaN on SiC磊晶技術大廠Cree為求強化自身功率及射頻元件研發能力，決議2019年5月于美國總部北卡羅萊納州特勒姆市，擴建1座先進自動化8寸SiC晶圓生產工廠與1座材料超級工廠(Mega Factory)，期望借此擴建案，提升Cree在SiC晶圓上的生產尺寸與提升晶圓使用市占，并提供GaN on SiC先進磊晶技術進一步應用于功率及射頻元件中。
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Cree 射頻 GaN on SiC磊晶技術
兩年多前，德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵（GaN）功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率，且易于設計，帶集成柵極驅動和穩健的器件保護。從那時起，我們就致力于利用這項尖端技術將功率級盡可能提高（和降低）。氮化鎵在任何功率級別都很關鍵。工程師正努力提高切換速度、效率和可靠性，同時減小尺寸、重量和元件數量。從歷來經驗來看，您必須至少對其中的部分因素進行權衡，但德州儀器正通過所有這些優勢實現設計，同時通過在一個封裝中進行復雜集成來節省系統級成本，并減少電路板元件數量。從將PC適配器的尺寸減半，到為并
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德州儀器 600V氮化鎵（GaN）功率器件
運營商利用現有的頻譜和面向大規模 MIMO 基站的新型前端無線電解決方案快速遷移至 5G
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Qorvo? 5G RF 設備
摘要 軟件定義無線電(SDR)代表了一種對傳統射頻(RF)設計技術的突破。原有的傳統系統只能提供固定的功能，而且包含的功能也非常有限。通過靈活的RF前端和高性能數字硬件，開發人員可以利用新技術從無線頻譜中獲取更多容量，并構建高度差異化的系統。工程師可以用SDR構建抗干擾能力更強的無線電系統，應用更高級的信道編碼方案來提高數據速率，并可利用其他先進的RF技術。還能夠訪問包括開源程序庫在內的硬件和軟件生態系統，這意味著比以往任何時候都更容易獲得SDR設計經驗。 自從20多年前推出2G蜂窩網絡以來，RF
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SDR RF
中國，北京 – 2019年3月7日 – 移動應用、基礎設施與國防應用中核心技術與 RF 解決方案的領先供應商 Qorvo,
Inc.(納斯達克代碼：QRVO)今日宣布，多項新款智能手機設計成功采用最新一代 RF Fusion? 射頻前端 (RFFE)
模塊。這些最新應用成果表明，Qorvo 現在利用高度集成的中頻/高頻模塊解決方案，能夠為多家領先的智能手機制造商提供廣泛的新產品發布支持。最新一代 RF
Fusion 模塊包括功率放大器、開關和濾波器組件，采用 Qorvo 獨有的內核功能組合
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Qorvo RF
MACOM Technology Solutions Holdings公司(納斯達克股票代碼:MTSI)
(以下簡稱“MACOM”)和意法半導體(紐約證券交易所股票代碼:STM))(以下簡稱“ST”)于25日宣布，將在2019年擴大ST工廠150mm
硅基GaN的產能，200mm硅基GaN按需擴產。該擴產計劃旨在支持全球5G電信網建設，基于2018年初 MACOM和ST宣布達成的廣泛的硅基GaN協議。 隨著全球推出5G網絡并轉向大規模MIMO(M-MIMO)天線配置，射頻RF功率產品需求預計
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MACOM GaN
全球領先的半導體解決方案供應商MACOM Technology Solutions Inc. (“MACOM”)
宣布推出全新MAMG-100227-010寬帶功率放大器 (PA) 模塊，擴展其硅基氮化鎵 (GaN-on-Si) 功率放大器 (PA)
產品組合。該寬帶PA模塊經過優化改良，適用于陸地移動無線電系統(LMR)、無線公共安全通信以及軍事戰術通信和電子對抗 (ECM)
領域。MAMG-100227-010 PA模塊兼具50Ω 全匹配、
兩級PA架構的高效設計，以及頂端和底端安
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MACOM GaN
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